【課題】有底の凹部の状態を非破壊で検査し、製造コストを低減させる。
【解決手段】本発明のウエハ５０のビア孔５１の検査方法は、有底のビア孔５１が表面に形成されたウエハ５０に被転写材料を塗布し、この被転写材料をビア孔５１内に充填させ、被転写材料を硬化させた後、ウエハ５０から離型させることでビア孔５１がビア像７１として転写されてなる被転写体７０を形成する転写工程と、ビア像７１の表面を観察することでその表面形状の画像データを作成する表面観察工程と、ビア像７１の画像データに基づいてビア像７１の形状を評価し、ビア孔５１内の状態を検査する検査工程とを備えたところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部の幅広い位置変化にも追従することができる光学式検査装置及びエッジ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１００の表面の欠陥を検査する表面検査装置３００と、この表面検査装置３００に対するウェハ１００の搬送路に設けたウェハステージ２１０と、このウェハステージ２１０上のウェハ１００のエッジ部を検査するエッジ検査部５３０と、このエッジ検査部５３０を当該エッジ検査部５３０の光軸に沿って移動させる移動装置６５０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第１の欠陥検査処理（ステップＳ１１）を実行した後、その第１の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する（ステップＳ１２，Ｓ１３）。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第１の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動的解析を短時間で行う技術を提供する。
【解決手段】ＳＤＬ／ＬＡＤＡ解析に用いるスポット光１２の径を変更可能なようにする。大径のスポット光による検査対象の半導体装置の照射中、テスタは該当する照射範囲の電気的動作の検証を行う。この照射中、不良箇所を見つけた場合には、小径のスポット光に切り替えて、検査対象の半導体装置に照射し、テスタによるより小範囲の電気的動作の検証を行う。これを反復することで、不良箇所の特定を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種類、材料、形状によらずコントラストを高くする。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、光源と、光透過率を変更可能な透過率制御素子と、ビームスプリッタと、偏光制御部と、位相制御部と、波面分布制御部と、検出部とを含む。前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。前記偏光制御部は、前記参照光の偏光角および偏光位相を制御する。前記位相制御部は、前記参照光の位相を制御する。前記波面分布制御部は、前記透過率制御素子における前記参照光の波面分布を制御する。さらに、前記検出部は、前記干渉光を検出する。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における光の照射位置に微小な凹凸が形成されている場合でも、この凹凸の影響を排除しつつ、予め規定された高さ以上の異物欠陥が対象物の表面上に存在するか否かを判定する。
【解決手段】表面欠陥検査装置１０は、ウェハ２６の表面に斜方から光を照射するラインレーザ１４と、ウェハ２６の表面におけるラインレーザ光２８の照射位置Ｐ２よりもラインレーザ１４側の位置であってウェハ２６の表面から予め規定された高さ離間した規定高さ位置Ｐ１において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第一ラインカメラ１６と、照射位置Ｐ２において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第二ラインカメラ１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題がある。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【解決手段】本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等の表面欠陥検査装置において、前方散乱光を高感度で検出し、正反射光をも同時に高感度検出可能とすることで、欠陥捕捉率の高い高効率の欠陥検査を実現。
【解決手段】前方散乱光検出手段２０は、ベアウエーハ１の前方散乱光を受光する光学系であり、照明手段１０よりベアウエーハ１に照射された検査光３による欠陥２からの散乱光を受光する検出レンズ２１と全反射ミラー２２とで構成され、その中央部（検査光入射平面と直行した方向）で分割した特徴を持つ。この全反射ミラー２２で側方に分離された前方散乱光は光電変換素子２３で検出され、中央の分割領域を直通する正反射光７は正反射光検出手段３０で検出されるので、前方散乱光と正反射光とで互の影響を抑制しつつ同時に検出することできる。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】
従来技術によれば，試料に熱ダメージを与えることなく，短時間で高感度に欠陥検出・寸法算出することが困難であった。
【解決手段】
被検査対象物である試料の表面の領域を所定の照明条件にて照明する照明工程と、該試料を並進および回転させる試料走査工程と、該試料の照明領域から複数の方向に散乱する複数の散乱光のそれぞれを、前記試料走査工程における走査方向および該走査方向と概略直交する方向の各々について複数画素に分割して検出する散乱光検出工程と、前記散乱光検出工程において検出された複数の散乱光のそれぞれについて、該試料の概略同一領域から概略同一方向に散乱した散乱光を加算処理し、該加算処理した散乱光に基づき欠陥の有無を判定し、該判定された欠陥に対応する複数の散乱光のうち少なくとも一の散乱光を用いて該判定された欠陥の寸法を算出する処理工程と、を備える欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では、微細化につれて致命欠陥の信号強度が減少するので、ＳＮ比を確保するには、ウェハの散乱光によるノイズを低減する必要がある。散乱源であるパターンエッジラフネスや表面ラフネスは、ウェハ全体に広がっている。そのため、ノイズを低減するには、照明領域を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。すなわち、照明領域をスポット状とし、スポットビームの寸法を縮小するのが有効であることを本発明では見出した。
【解決手段】時間的・空間的に分割した複数のスポットビームを試料に照射する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】使用環境に影響されることなく基板上の異物を高精度で検出することができる近接露光装置を提供する。
【解決手段】基板保持部２１の搬送方向に並んで配置され、基板保持部２１に保持された基板Ｗの表面に沿ってレーザービームＬＢ１、ＬＢ２を出射する出射部８０a、８１aと、レーザービームを受光する受光部８０ｂ、８１ｂと、をそれぞれ有する２つの異物検出器８０、８１と、２つの異物検出器８０、８１の各受光部８０ｂ、８１ｂが受光する前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号を比例演算部８３ａによって増幅し、さらに、差分演算部８３ｂによって、２つの増幅した前記レーザービームＬＢ１、ＬＢ２の検出信号の差分を算出し、異物８２の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】
試料全面を短時間で走査し、試料に熱ダメージを与えることなく微小な欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】
試料を回転可能なテーブルに載置して回転させ、この回転している試料にレーザ光源から発射されたパルスレーザを照射し、このパルスレーザが照射された試料からの反射光を検出し、この検出した試料からの反射光を検出し、この検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、回転している試料にレーザ光源から発射されたパルスレーザを照射することを、このレーザ光源から発射されたパルスレーザの１パルスを複数のパルスに分割し、この分割したそれぞれの分割パルスレーザを試料上の異なる位置に照射することにより行うようにした。 （もっと読む）