【課題】有底の凹部の状態を非破壊で検査し、製造コストを低減させる。
【解決手段】本発明のウエハ５０のビア孔５１の検査方法は、有底のビア孔５１が表面に形成されたウエハ５０に被転写材料を塗布し、この被転写材料をビア孔５１内に充填させ、被転写材料を硬化させた後、ウエハ５０から離型させることでビア孔５１がビア像７１として転写されてなる被転写体７０を形成する転写工程と、ビア像７１の表面を観察することでその表面形状の画像データを作成する表面観察工程と、ビア像７１の画像データに基づいてビア像７１の形状を評価し、ビア孔５１内の状態を検査する検査工程とを備えたところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】 撮像カメラの処理能力に制約を受けることなく、検査時間を短縮することができる自動外観検査装置を提供する。
【解決手段】 テーブル部、走査ステージ部、ストロボ照明部、鏡筒部、撮像部並びに、予め登録しておいた検査条件に基づいて、撮像された検査対象物の画像の良否判断をする検査部とを備え、
走査ステージ部には、テーブルの現在位置を計測する位置計測手段が備えられており、
鏡筒部には、観察光を一部透過させると共に、角度を変えて一部反射させる、
光分岐手段が備えられており、
鏡筒部には、光分岐手段で分岐された光を各々撮像することができるように、撮像部が複数取り付けられており、
制御部は、ストロボ発光させる毎に、撮像に用いる撮像部を逐次変えて撮像を行う機能を備えていることを特徴とする、自動外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 （もっと読む）

【課題】現在の手動検査プロセスを置き換える自動化検査システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】自動化欠陥検査システム（１０）が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、ＭＣＭなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体パターンであっても，撮影中一次荷電粒子線照射起因帯電の影響を抑制し，二次荷電粒子の検出率の変化を抑制することにより視野内の計測歪みを抑制することのできる走査型荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 試料８上の二次元領域に対し，荷電粒子線４のライン走査の方向が交互に反転するように走査して走査領域の画像を形成する走査型荷電粒子顕微鏡において，荷電粒子線４の走査ライン間距離は，試料８に荷電粒子線４を照射したときの，試料８の帯電特性又は試料８の明度の視野内均一性に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子顕微鏡のレンズ条件を変化させることなく、予備帯電によってもたらされる電位勾配を抑制する走査型電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料表面を帯電させる第１のビームを試料上に走査した後に、試料より放出される電子を検出するための第２のビームを走査するように、走査偏向器を制御すると共に、第１のビームの走査領域の中心部に対して相対的に、第１のビームの走査領域の周辺部の電荷密度を高めるように、前記第１のビームを走査することを特徴とする走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】故障解析システムの結果をもとに、故障位置の原因の特定に至るために、レビュー装置などの画像の撮像に必要なレシピを効率的に作成する。
【解決手段】パターン観察装置、または前記パターン観察装置に接続されたレシピ作成装置は、前記パターン観察装置にネットワークを介して接続された故障解析システムから入力された故障位置を含む配線情報に基づいて、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定するレシピ作成部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
検査装置の感度設定にかかる処理時間とユーザ負担を低減すると共に、ＬＳＩテスタによる電気的特性検査にかかるコストの増加、及び、電気特性検査が困難な領域の発生に対処する。
【解決手段】
パターンが形成された試料に光源から発射された光を照射し、この光が照射された試料からの反射光を検出器で検出して画像を取得し、この取得した画像を処理して該画像の特徴量を抽出し、この抽出した画像の特徴量を予め設定した基準値と比較して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、予め設定した基準値をパターンが形成された試料を別の検査装置で検査して得た試料の検査結果を用いて作成するようにした。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低いパターンと信頼性の高いパターンを均一に評価されるため、パターンマッチングの成功率が低い場合がある。
【解決手段】パターンマッチングに使用するデザインパターン又はデザインテンプレートのパターンに重みを付し、信頼性の低いパターンの領域と信頼性の高いパターンの領域を重みにより区別可能にする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンにおいて発生する欠陥であるレジスト倒れの発生頻度を正確に計測する、レジストパターンの評価方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの評価方法において、レジストパターン１内に、スペースを挟んで隣接する二つのパターン部分２を含む測定領域を設定し、測定領域内でＣＤ-ＳＥＭを用いた測定を行い、その二つのパターン部分２の二次電子像３を取得し、その二次電子像に含まれる、二つのパターン部分それぞれの二次電子像の分離の程度を評価して、レジストパターン中の欠陥の有無を評価するようにする。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハ表面のキズ、結晶欠陥またはパーティクル等を簡便かつ正確に短時間で評価できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ウェーハの表面欠陥を評価する方法であって、表面欠陥の二次電子像を電子顕微鏡にて取得した後、二値化により二次電子像の輪郭を明確化し、その後明確化した二値化二次電子像の輪郭に外接する四角形を描き、そして前記明確化した二値化二次電子像における前記表面欠陥部分の面積と前記四角形の面積または前記四角形のうち前記表面欠陥部分以外の面積との面積比を求め、面積比により欠陥の種類を分類することを特徴とするウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】
ヘッド先端部に接触センサを搭載し欠陥との接触によりこれを検出する方法によっては、欠陥検出時に欠陥を引きずりウエハ表面に傷をつける可能性がある。
【解決手段】
試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】
既製のInfiniBand（Ｒ）制御を用いる画像分配制御部は、単一ＣＰＵ上のＯＳでバッファメモリ制御と分配処理を行うため、競合が発生し分配レイテンシが変動してしまい、半導体外観検査装置には適用不可であった。
【解決手段】
検査部と、検出部と、前記検出部で検出された反射光に基づく画像を処理して該被検査対象の表面を検査する処理部とを備えた半導体検査装置であって、前記処理部は、該画像を分配する画像分配制御部と前記画像分配制御部により分配された画像を処理する画像処理部とを備え、前記画像分配制御部は、該画像の入力画像量をカウントする画像バッファカウンタと、該画像に関する情報を格納する分配制御テーブルと、入力画像量と前記分配制御テーブルからの該画像に関する情報に基づき該画像の分配開始タイミングを決定する分配タイミング制御回路と、を有することを特徴とする半導体検査装置である。 （もっと読む）

【課題】フォーカス位置がずれた画像であっても作業時間を増大させることなく検査を行なうことができる画像処理装置、検査装置、画像処理方法および画像処理プログラムを提供すること。
【解決手段】所定のパターンを有する基準画像、前記パターンを有する取得画像および基準画像のコントラスト比とフォーカス位置からのずれ量との関係を示すコントラスト特性、およびコントラスト比から算出される取得画像のずれ量と取得画像の復元を行なう際に用いるパラメータである復元係数との関係を示す復元特性を記憶する記憶部と、基準画像と取得画像とのコントラスト比を算出し、コントラスト比が閾値を超えたか否かを判定する判定部と、コントラスト比が閾値未満であると判定された場合、コントラスト特性からずれ量を求め、ずれ量から復元特性をもとに復元係数を取得して取得画像の復元処理を行なう復元処理部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）