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Fターム[4M106DB20]の内容

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Fターム[4M106DB20]に分類される特許

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【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置1は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部30と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部40と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部40により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部27とを備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】欠陥座標に含まれている誤差を低減可能な光学式検査装置を提供する。
【解決手段】チャンネルが配列されたラインセンサと、ウエハをステージに載せてラインセンサに対して移動させる移動手段と、行列の行毎に1つ且つ列毎に1つ擬似欠陥ダイが形成され擬似欠陥ダイには複数の擬似欠陥が列方向に一列に形成されている座標管理用ウエハを検査したのを受けてチャンネル上に結像した擬似欠陥のステージ上の位置を擬似欠陥ステージ座標Xs0として検出するステージ位置検出手段と、擬似欠陥ステージ座標Xs0を擬似欠陥ダイ座標に変換する座標変換手段と、設計座標に対する擬似欠陥ダイ座標の差分ΔXを算出する差分算出手段と、擬似欠陥ステージ座標Xs0に対して差分ΔXが一定の振幅A1で振動し直線L1に沿って増加又は減少する座標誤差特性パターンCP1を取得する特性パターン取得手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】欠陥検査工程における未検査を抑制すること。
【解決手段】ウエハを保持するステージ12と、前記ステージに保持されたウエハのアライメントを行なうアライメント部32と、アライメントされた前記ウエハ表面の欠陥を検査する検査部34と、前記アライメント部が前記アライメントを開始してから前記欠陥の検査が終了するまでの時間である検査時間が所定時間より短い場合、前記アライメント部に前記アライメントを再度行なわせ、前記検査部に前記欠陥を再度検査させる制御部36と、を具備する欠陥検査装置。 (もっと読む)


【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第1のパターンと、チップ外領域に形成され第1のパターンとは異なる第2のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第1のパターンとの比較から第2のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第2のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 (もっと読む)


【課題】誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。
【解決手段】
基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程S14とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報,パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】回路パターンの検査が妨げられることなく、焦点補正を行うことができる回路パターン検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】回路パターン検査装置では、同一の回路パターンを有する複数のチップ領域(ダイ)を有する半導体ウエハを検査するとき、チップ領域毎の検出用画像522,523,524をモニタ50に表示し、チップ領域毎の検出用画像522,523,524から、回路パターンの欠陥を検査する。また、チップ領域毎の検出用画像522,523,524から所定の画像領域を切り出し、切り出した画像を用いて自動焦点補正を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体装置や液晶などの回路パターンが形成された基板上の欠陥を検出する目的で検査を行う走査電子顕微鏡を搭載した検査装置において、困難となっている微細欠陥と擬似の識別を容易に実施できる検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】同一箇所を複数回スキャンして得られる画像あるいは画像信号を加算し、加算回数の異なる画像あるいは画像信号を比較することにより、擬似欠陥あるいは真の欠陥の欠陥位置を検出する。擬似欠陥あるいは真の欠陥のいずれを検出するかは、加算回数の異なる複数の画像の比較演算の組み合わせによって定める。 (もっと読む)


【課題】故障解析システムの結果をもとに、故障位置の原因の特定に至るために、レビュー装置などの画像の撮像に必要なレシピを効率的に作成する。
【解決手段】パターン観察装置、または前記パターン観察装置に接続されたレシピ作成装置は、前記パターン観察装置にネットワークを介して接続された故障解析システムから入力された故障位置を含む配線情報に基づいて、前記故障位置を含む配線に沿って画像が撮像されるように前記画像の撮像条件を設定するレシピ作成部を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像,光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像,光学条件選択装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 (もっと読む)


【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し(ステップS1)、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第1原点からの座標によって検出する(ステップS2)。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する(ステップS3)。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第1原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第2原点からの座標に変換する(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】帯電粒子利用型欠陥検査装置によるパターン形成ずみの半導体基板の欠陥の検出に、画像の均一性およびコントラストの質を改善する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板22上の一部の領域を画像化する前に、その画像形成領域の周囲の領域を検査装置10で帯電させてその周囲領域の非対称帯電の悪影響を消去または軽減する。この検査装置10は周囲領域の帯電と画像形成領域からの画像形成とを交互に行って、画像化領域の複数の画像を形成し、それら画像を平均化処理する。これによって、高度に均一でコントラストの改善された画像が得られ、欠陥検出の精度を上げることができる。 (もっと読む)


【課題】レジストパターンにおいて発生する欠陥であるレジスト倒れの発生頻度を正確に計測する、レジストパターンの評価方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの評価方法において、レジストパターン1内に、スペースを挟んで隣接する二つのパターン部分2を含む測定領域を設定し、測定領域内でCD-SEMを用いた測定を行い、その二つのパターン部分2の二次電子像3を取得し、その二次電子像に含まれる、二つのパターン部分それぞれの二次電子像の分離の程度を評価して、レジストパターン中の欠陥の有無を評価するようにする。 (もっと読む)


【課題】露光に起因する欠陥を特定する欠陥検査装置および欠陥特定方法を提供する。
【解決手段】複数の露光領域を有する半導体ウエハを示す画像信号を受け付ける欠陥検査装置は、複数の露光領域内のそれぞれに共通に設定される複数の分割エリアの位置を特定するエリア情報を保持し、検出部が、画像信号に示された半導体ウエハ内の欠陥を検出すると、特定部は、露光領域内における位置が同一の分割エリアにて構成される分割エリア群のうち、分割エリア群内の欠陥の数が第1欠陥閾値を超える欠陥候補エリア群を特定し、露光領域内で所定方向に連続している欠陥候補エリアの数が所定閾値を超えると、露光領域のうち、露光領域内の欠陥候補エリアに存在する欠陥の数が第2欠陥閾値を超える欠陥露光領域を特定し、欠陥露光領域の数が特定閾値を超える場合に、欠陥候補エリア内の欠陥を、露光による欠陥として特定する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の低いパターンと信頼性の高いパターンを均一に評価されるため、パターンマッチングの成功率が低い場合がある。
【解決手段】パターンマッチングに使用するデザインパターン又はデザインテンプレートのパターンに重みを付し、信頼性の低いパターンの領域と信頼性の高いパターンの領域を重みにより区別可能にする。 (もっと読む)


【課題】同一パターンとなるように形成された2つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置において、膜厚の違いなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な欠陥を顕在化でき,広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する。
【解決手段】同一パターンとなるように形成された2つのパターンの対応する領域の画像を比較して画像の不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、複数の検出系とそれに対応する複数の画像比較処理方式を備えて構成し、又、異なる複数の処理単位で比較画像間の画像信号の階調を変換する手段を備えて構成し、画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 (もっと読む)


【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が1nm又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源1からの照明ビームを被検査基板21に向けて投射する対物レンズ20と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系16と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段28と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、mを零又は正の整数とした場合に、第1と第2のサブビームとの間に(2m+1)π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の電位コントラスト像から配線のコントラストを簡便かつ正確に認識し、抽出することのできる半導体装置のコントラスト画像処理方法、処理装置、処理プログラムを提供する。
【解決手段】解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像をコントラスト像に合わせて自動的に減色する減色処理と、減色されたコントラスト像に含まれる画素をあらかじめ設定したコントラスト閾値を基準に分類し、複数のコントラストに分別された配線パターンを抽出する配線コントラスト抽出処理と、配線パターンの輪郭部分に含まれるノイズを輪郭部分のシフトにより除去するシフト処理と、を含み、解析装置から得られた半導体装置のコントラスト像に含まれる配線パターンを所定のコントラストに区分して抽出する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、得られたパターン画像等に基づいて、正確なプロセスモニタ可能とする半導体製造装置の管理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の位置のパターンの形状情報と、露光装置の露光条件との関連を記憶するライブラリと、画像情報から抽出された複数の位置の形状情報と、ライブラリに記憶された形状情報を比較し、画像情報から抽出された複数のパターンの形状情報に相当する複数の露光条件の範囲の論理積に基づいて、前記露光条件を抽出する演算装置を備えた半導体製造装置の管理装置、及び上記処理を実行するコンピュータプログラムを提案する。 (もっと読む)


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