【課題】探針の先端等の電気的接触性が悪化しても、探針のファーストコンタクトを正確に検出する。
【解決手段】プローブカードの複数の探針の研磨を行う際に上記各探針のうちのいずれかが最初に研磨材に接触するファーストコンタクトを検出するファーストコンタクト検出システム及びそれを用いた研磨装置である。上記探針の接触に伴って発生して上記プローブカードを伝播する弾性波を検出するＡＥセンサと、当該ＡＥセンサの検出信号を基に、上記ファーストコンタクトを検知するＡＥ検知装置と、当該ＡＥ検知装置からの検知信号を受けて、その時点での研磨材の位置を基準に設定し、その基準位置に上記各探針のばらつき量を加算した位置を目標位置に設定して、上記研磨材をその目標位置まで上昇させる制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供する。
【解決手段】ゲッタリング性能を評価する対象の樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、該樹脂膜を硬化してシリコンウエハとの積層体を形成する工程、該積層体を金属イオンで汚染する工程、汚染後の該樹脂をエッチングする工程、該エッチングに用いた液の回収液と純水とで金属イオン濃度測定用試料を調整する工程、および該試料をＩＣＰ−ＭＳ等により含有金属元素量の定量を行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の画像を検出して多結晶シリコン薄膜の表面の状態を観察し、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の検査装置を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板１００に光を照射する光照射手段８００と、光照射手段８００により基板１００に照射された光のうち多結晶シリコン薄膜を透過した光または多結晶シリコン薄膜で正反射した光の近傍の多結晶シリコン薄膜からの散乱光の像を撮像する撮像手段８２０と、この撮像手段８２０で撮像して得た散乱光の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査する画像処理手段７４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】より多くの測定ポイントの温度を簡易に測定できる温度測定装置及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源と、光源からの光をｍ個の波長帯域に分波する第１の分波手段と、第１の分波手段からの光を、ｍ個の波長帯域毎にｎ個の光に分岐するｍ個の第１の分岐手段と、ｍ個の第１の分岐手段からの光を、測定対象物の各測定ポイントまで伝送する伝送手段と、各測定ポイントで反射された光を受光する受光手段と、受光手段で受光された光の波形に基づいて、各測定ポイントの温度を算出する温度算出手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高速に測定対象物の物理状態を測定できる物理状態測定装置及び物理状態測定方法を提供する。
【解決手段】光源と、光源からの光を測定対象物の測定ポイントまで伝送する伝送手段と、測定ポイントで反射した光の波長を異なる波長に変換する非線形光学素子と、波長変換後の光を受光する受光手段と、受光手段で受光された光の波形に基づいて、測定ポイントにおける測定対象物の物理状態を測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長後に、成長した半導体層に基板が有する原因による結晶欠陥が生じない炭化珪素単結晶基板およびそれを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、機械研磨が施された主面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記炭化珪素単結晶基板の前記主面に化学機械研磨を施す工程（Ｂ）と、前記化学機械研磨によって形成される変質層を、分光エリプソメトリによって評価する工程（Ｃ）と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】走査型容量顕微鏡を用いた半導体測定装置において、半導体基板などの測定サンプルのキャリア濃度を定量的に正確に測定することができ、しかもこのようなキャリア濃度の測定を、測定システムの規模の増大やコストアップを招くことなく低コストで行う方法の提供。
【解決手段】探針６ａと測定対象サンプル（濃度校正サンプル）３ｂ、３ｃとの間に形成される容量に交流電圧を印加したときの、該交流電圧の変化に対する容量の変化の比率である容量変化率を検出し、既知のキャリア濃度を有する測定比較サンプル３ｂ、３ｃにおける、その容量変化率とキャリア濃度との関係に基づいて、測定対象サンプル３ａの容量変化率から、該測定対象サンプル３ａのキャリア濃度の分布を導出する。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層膜構造における各膜の光学定数を算出する際に，各光学定数の算出精度を向上させる。
【解決手段】基板上に形成された積層膜構造における各膜の光学定数を算出する光学定数算出方法であって，各膜をそれぞれ下から順に対象膜とし，その対象膜の光学定数を既に算出された下層膜の光学定数を用いて算出することによって，各膜の光学定数を順次算出する基本ステップと，基本ステップで算出した対象膜の光学定数を，再フィッティング処理によって下層膜の光学定数を修正しながら算出し直す再計算ステップとを有する。これにより，下層膜の光学定数を物理的に正しい解に導くことができ，光学定数の算出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、使用温度範囲が広く、２次電池などのように充電を不要にできるウェハ型温度計、温度測定装置、熱処理装置および温度測定方法を提供する。
【解決手段】温度測定用ウェハ１の上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に複数の温度センサ２１，２２…２ｎと、温度センサ２１，２２…２ｎが配置された領域外に太陽電池５１，５２…５ｎを配置し、太陽電池５１，５２…５ｎから処理回路４に電流を供給し、複数の温度センサ２１，２２…２ｎの出力信号を処理回路４により温度データに変換して外部に無線で送信する。 （もっと読む）

【課題】被測定物の多点において温度センサを用いて温度測定を行い、且つ、その温度測定を行う際に温度センサと温度測定装置との間の信号の送受信を無線で行うシリコンウエハ多点温度測定装置の提供
【解決手段】シリコンウエハ加熱手段内のシリコンウエハ素材に装着された複数個の圧電振動子と、この圧電振動子と共に装着されたセンサーアンテナ部に所定の掃引信号波を送信して、圧電振動子の残響振動波を受信する。そして、この残響振動波の周波数を計測し、計測した周波数に基づいてシリコンウエハ素材の表面温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】 チップ分割時の不良発生率が低減され、歩留まりの向上が図られた半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】 ＧａＮ基板中の主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択する転位密度評価工程と、転位密度評価工程で選択されたＧａＮ基板上に機能素子部を積層した後、チップ状に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来の方法に比べて、簡易かつ正確に、ウェーハ裏面に形成されるゲッタリング層の良否を確認することができる評価方法の提供することにある。
【解決手段】ウェーハ表面にサンドブラストを打ち付けてショット跡を形成するサンドブラスト工程（図１(ａ)）と、前記ウェーハ表面を洗浄する洗浄工程（図１(ｂ)）と、洗浄したウェーハ表面のショット跡の面内分布と密度をパーティクルカウンタにより測定する測定工程（図１(ｃ)）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 帯電量評価素子に関し、高い感度を持つ平面内の電位差の発生を検出する検出素子を、より安価に、安定して製造する。
【解決手段】 導電性部材１上に設けた絶縁膜２上に導電性部材１とは絶縁され電気的に孤立した孤立電極３を設けるとともに、導電性部材１の一部に絶縁膜２で覆われない非被覆領域４を設ける。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いてウエハの状態で直ちに汚染物質を検出及び分析することのできるウエハ汚染物質の分析装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウエハ汚染物質の分析装置１００は、汚染物質を分析するためのウエハＷを支持するウエハホルダ１６０と、ウエハＷから分離した試料を採取するためにウエハＷ側にレーザＬを照射するレーザアブレーション装置１１０と、レーザＬを照射することによってウエハＷ表面から分離した試料を採取するための分析セル１７０と、分析セル１７０に連結されて前記採取する試料から汚染物質を分析するための分析装置１９０とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難いゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の評価方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、下記一般式（１）で表される構造を有しており、下記一般式（１）で表される構造中のｎが３または４であるものの総数をＡとし、ｎが５以上であるものの総数をＢとしたとき、｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００が１．２％以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。


［式中、ｎは２以上の整数を表す。また、Ｘは水素原子または水酸基を表す。］ （もっと読む）

【課題】磁場センサの測定精度を検査する。
【解決手段】特に製造の間に、磁場センサの測定精度を検査する方法において、半導体チップ２，３を有する半導体ウェーハ１が準備される。少なくとも１つの第１半導体チップ２内に測定コイルが、磁場センサを形成する、少なくとも１つの第２半導体チップ３内に磁場に感度を有する電気回路が内蔵されている。少なくとも１つの第１半導体チップ２が、励磁コイル４に位置決めされ、その励磁コイルが基準磁場を発生させるために通電される。測定コイルを用いて、磁束密度に依存する第１測定値が検出されて、励磁コイル４内の電流が、第１測定値に従って調節される。少なくとも１つの第２半導体チップ３が励磁コイルに位置決めされる。電気回路を用いて、磁束密度に依存する第２測定値が検出されて、基準値領域と比較される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の板状部材にシートを貼付した状態を検査することのできる検査装置及びシート貼付装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷに接着シートＳを貼付する貼付手段１３と、シート貼付後の半導体ウエハ及び接着シートの総厚、或いは、接着シートの面状態を検出する検査装置２１とを備えてシート貼付装置１０が構成されている。検査装置２１は、厚み、面状態を検出する検査手段として、光センサ５１や、カメラ７０を含む。検査手段による検出データは第１の情報記憶処理手段５２に出力されるとともに、当該第１の情報記憶処理手段５２で所定処理されたデータは、半導体ウエハＷを収容するケース６０に取り付けられた第２の情報記憶処理手段５３に入力される。 （もっと読む）