【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠陥検査において、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うこと。
【解決手段】
半導体基板の欠陥検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析技術において、解析成功率の向上や解析時間の短縮を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ショートしていると推測される一方の特定配線を特定（Ｓ１０３）し、その相手と推測される隣接配線の抽出（Ｓ１０４）をおこない、両配線間において電圧状態（論理状態）が異なる異電圧時間帯の算出（Ｓ１０７）をし、その異電圧時間帯で発生する発光現象の頻度を調査することにより、上記一方の特定配線に対して、どの隣接する配線がショートしているのかを短時間で確実に推定する。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テストパターンを長く複雑なパターンにする必要がなく、スクリーニングで検出することができる回路パターンの不具合の割合を増やすことができる半導体検査装置、および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成した複数の半導体チップに対してスクリーニングを行なう半導体検査装置１０である。半導体検査装置１０は、ステージ２と、プローブ４と、テスタ部８と、光検出部５と、発光解析部６と、主制御部７と、異常判定部９とを備えている。光検出部５は、光学的なスクリーニングを行なうために、回路パターンに印加した電気信号に基づく発光を、半導体基板の他方の面側から検出する。異常判定部９は、テスタ部８で検出した出力信号に基づき、回路パターンの不具合を判断し、発光解析部６で解析した発光に基づき、回路パターンの不具合を判断して、半導体チップの異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】貼合わせウェハ全体について厚さを測定できる装置の提供。
【解決手段】貼合わせウェハ１の厚さ測定光学系及び観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて貼合わせウェハ１の厚さを算出する信号処理装置とを具え、測定光学系は、第１の波長域の測定用光源３０と、この測定光を投射して光スポットを形成する対物レンズ１７と、その反射光の光検出手段４０とを有し、観察光学系は、前記第１の波長域とは異なる第２の波長域の観察用照明光を放出する照明光源４１と、照明光を投射する対物レンズ１７と、その反射光を受光して２次元画像を撮像する撮像装置４８とを有する。これらで共通の対物レンズ１７と測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子３４を配置する。撮像装置４８は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳された像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。
【解決手段】評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の高温特性検査において、チップ面積を増大させることなく低コストで実現可能な半導体発光素子の温度特性検査装置および温度特性検査方法を提供する。
【解決手段】温度特性検査装置１０は、電流印加・電圧測定装置１と測定対象の半導体発光素子２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、電流印加部１１、電圧検出部１２を含む。電流印加・電圧測定装置１は、たとえば、チッププローバであり、ウェハ状態の半導体発光素子２の電極にプローブをあて電流印加、電圧測定を行っている。測定された順方向電圧値や光出力値を用いて、たとえば、外部にある演算部３、判定部４により、半導体発光素子２の温度特性の良否判定が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面に形成された保護膜の厚みを精度よく測定できる測定方法および測定装置を提供すること。
【解決手段】本発明の測定方法は、ウェーハＷに光吸収剤を含む保護膜６１を形成するステップと、保護膜６１に測定光を照射し、測定光の吸収による保護膜６１の発光を受光するステップと、事前に作製された保護膜６１の厚みの変化に対する保護膜６１の発光による光スペクトルの変化を示す測定データを参照して、保護膜６１の発光強度から保護膜６１の厚みを測定するステップとを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】活性領域と素子分離絶縁膜との段差を精度よく評価する技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１０に形成されたトレンチに埋め込まれた素子分離絶縁膜１８と、前記半導体基板１０に形成され不純物を含む活性領域３６と、前記活性領域３６と前記素子分離絶縁膜１８との間の段差を測定するための前記活性領域３６の幅Ｗ１〜Ｗ７が異なる複数の段差測定部５２ａ〜５２ｇと、を具備する評価素子によって前記段差を測定し、この測定結果に基づき、ゲート寸法を調整する。 （もっと読む）

【課題】電気的接続装置の組み立て及び位置調整を容易にして、電気的接続装置を廉価にすることにある。
【解決手段】電気的接続装置は、第１、第２及び第３の板状部材を、第１の板状部材が第２及び第３の板状部材の間になるように重ね合わせ、第２の板状部材を調整装置により第１の板状部材に対し変位させることにより、電気的接続装置に取り付けられる光照射装置を位置決めるべく第２の板状部材に設けられた位置決め穴又は位置決めピンと、第３の板状部材の下側に設けられたプローブ組み立て体の針先位置との相対的な位置合わせをする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベルＬＥＤチップのための検出用法及び検出装置並びにそれらの等眼０プローブカードについて開示している。
【解決手段】透明プローブカードが備えられ、その透明プローブカードは、ＬＥＤチップにおいて照明試験を実行するようにコンタクトを介してＬＥＤチップの試験パッドに電気的に接続するためのウェーハを覆う。ＬＥＤチップが照明されるとき、イメージング処理が、検知要素において画像を生成するようにＬＥＤチップの光信号に関して実行される。画像が捕捉され、画像浸透は、ＬＥＤチップの各々に対応する光フィールド情報及び位置情報に変換される。ＬＥＤチップのスペクトル及び発光強度は、ＬＥＤチップの光フィールド情報に従って得られる。ＬＥＤチップは、ＬＥＤチップのスペクトル及び発光強度に従って分類される。 （もっと読む）