【課題】半導体ウェーハの裏面粗さ評価方法に関し、簡便に裏面の粗さを評価することができるようにする。
【解決手段】エッチングされた半導体ウェーハの裏面の凹凸成分のうちの特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度を反映する特定入射角で測定された光沢度を求める光沢度取得工程（Ａ１０〜Ａ３０）と、その光沢度が許容範囲内に収まっているか否かを判定することによりウェーハ裏面の粗さを評価する評価工程（Ａ４０）とを備え、このとき、特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度は、ウェーハ裏面と静電チャックプレートの吸着面との間に熱交換媒体として供給される不活性ガスのリーク量と相関するパワースペクトル密度であり、許容範囲は上記リーク量の範囲と相関する許容範囲であるものとする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、高真空排気が可能な真空室内のガス成分を、高精度に測定するガス測定方法、及び真空装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、真空室に当該真空室内のガス成分を測定する測定装置を備えた装置のガス成分測定法において、ガス成分測定時に、前記真空室の真空排気速度を下げることを特徴とするガス成分測定方法、及び装置を提案する。即ち、残留ガスの排気がされづらい環境を作り出した上で、ガス成分分析を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造において発生する水素が、当該半導体装置等に与える影響、例えばＦＲＡＭの製造においてキャパシタ膜である強誘電体膜に及ぼされる、当該強誘電体膜の弱点である水素による様々な影響を、分析用試料を用いて定量的に正確に把握することを可能とする。
【解決手段】シリコンウェーハ１１上に、水素を吸蔵する性質を有するＴｉ膜１２と、水素を含む雰囲気で成膜されるＨＤＰ−ＳＩＯ膜１３とを順次積層形成し、分析用試料１０を作製する。この分析用試料１０を用いて、ＴＤＳ分析を行い、その結果をＰＺＴ膜への水素によるダメージの定量的評価として供する。 （もっと読む）