【課題】半導体装置の半導体基板に機械的なダメージを与えることを回避しつつ、その半導体基板の裏面処理をすることができる裏面処理方法を提供する。
【解決手段】裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 （もっと読む）

本発明は、基板の少なくとも一部の上の表面の１つ以上の位置における厚さを測定する移動式装置および／またはシステムと、前記装置および／またはシステムを使用する方法とに関する。移動式装置および／またはシステムは、一実施形態では、被覆厚さモニタと、任意選択で、基板上に塗布される被覆の厚さを同時に調節するための装置および／またはシステムとを有する、装置および／またはシステム含む。別の実施形態では、装置およびシステムは、被覆の形成後に被覆の厚さを測定する機能を有する。
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【課題】シリコン基板にガラスを陽極接合した加速度センサ等の構造体の検査方法において、陽極接合後の接合部、ガラス表面の清浄度を簡単に評価できるようにする。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１の上下に陽極接合されるガラス３、ガラス２と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造のカンチレバー１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備えた加速度センサ１０のシリコン基板１上に、上部ガラス３の陽極接合のためのアルミ電極として、検査電極を兼ねるよう離間して設けた二つのアルミ電極６ａ、６ｂに予め検査用測定端子６ｃ、６ｄを設け、このアルミ電極６ｃ、６ｄ間にプローグ９を接続して絶縁抵抗計１１により絶縁抵抗を測定する。測定した絶縁抵抗から、陽極接合後のガラス表面の清浄度を容易に評価することができる。 （もっと読む）