【課題】基板におけるチップ面積の確保を容易に行うことができ、基板の保持方法による影響を受けることなく、また、高価な計測機器を用いることなく、高精度かつ簡便に、基板の歪みを測定することができる基板の歪み測定装置を提供する。
【解決手段】基板２０を保持する保持面に、前記基板２０に設けられた位置ズレ測定用のマーク４０の比較対象となる基準マーク５０を有する基板保持部３１と、前記基板２０を透過する光を照射する光源部３２と、前記光源部３２により前記光が前記基板２０に照射されることで得られる前記位置ズレ測定用のマーク４０と前記基準マーク５０との重なりを観察する観察部３３と、前記観察部３３により観察された前記重なりから、前記基準マーク５０に対する前記位置ズレ測定用のマーク４０のズレ量を算出する算出部３６と、前記算出部３６により算出された前記ズレ量から、前記基板の歪みを測定する測定部３７とを備える測定装置。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスでウェーハ表面を処理する際にウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整でき、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化膜珪素膜形成方法、及び、従来よりも安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、
該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置。 （もっと読む）

【課題】接合ウェーハを破壊することなく、接合界面に間隙が生じていない場合であっても、局所的な接合部の接合強度を検査することができる検査装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ接合強度検査装置１００は、接合ウェーハ２００を保持する試料ステージ１６０と、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生器１５１と、接合ウェーハ２００を透過又は反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出器１５７と、テラヘルツ波検出器１５７によって検出したテラヘルツ波より接合ウェーハ２００のＴＨｚ波特性を演算する演算部と、を有する。演算部は、予め求めた基準試料のＴＨｚ波特性と接合強度の間の関係から、検査対象の接合ウェーハのＴＨｚ波特性に対応する接合強度を演算する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内又は基板上に形成された構造内の埋込ボイドを検出するための方法を提供する。
【解決手段】構造を形成するための少なくとも１つの処理ステップを実施する工程と、基板の質量Ｍ_１を測定する工程と、熱処理を実施する工程と、基板の質量Ｍ_２を測定する工程と、前記実施した熱処理の前後で測定した基板の質量の差を計算する工程と、前記質量の差を所定値と比較することにより、前記構造内の埋込ボイドの存在を推測する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全面において高精度に評価が可能な、Ｐ型シリコンウェーハ中の金属不純物濃度を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法であって、
（Ａ）Ｐ型モニター用シリコンウェーハを用いてＦｅ以外のキャリア再結合中心密度とバルク金属不純物濃度との相関関係を決定するステップと、
（Ｂ）ＳＰＶ法により評価対象のＰ型シリコンウェーハのＦｅ以外のキャリア再結合中心密度を測定するステップと、
（Ｃ）前記ステップ（Ｂ）において測定したＦｅ以外のキャリア再結合中心密度と、前記ステップ（Ａ）において予め決定された相関関係とに基づき、前記評価対象のＰ型シリコンウェーハのバルク金属不純物濃度を算出するステップと
を有することを特徴とするＰ型シリコンウェーハの金属不純物濃度評価方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、基板の表面を液滴で処理する基板処理方法と基板処理装置とを提供する。
【解決手段】円形の仮想線に沿って設けられた開口から気体を噴き出し可能になった治具１０と前記治具１０の内部での内部圧力を検出する圧力センサとを準備し、基板５の表面の直交方向から基板５を見て基板５の表面に付着した液滴を前記開口で囲う様に前記治具１０を保持して前記開口から噴き出した気体を基板５の表面に吹き付けながら前記内部圧力と特定圧力値との差圧を小さくする様に前記治具１０の基板５の表面の直交方向に沿った位置を調整し、基板５の表面の直交方向から基板を見て基板の表面に付着した液滴を前記開口で囲う様に前記治具１０を保持して前記開口から噴き出した気体を基板の表面に吹き付けながら前記治具１０を基板の表面に沿って相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】４探針プローブの移動及び移動速度を容易に制御することが可能な抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】 試料が載置される測定ステージと、４探針プローブと、回転軸を有するモーターと、前記モーターの前記回転軸に連結された偏心カムと、前記４探針プローブを保持するとともに、前記偏心カムの回転に従動して前記４探針プローブを前記測定ステージに対して接近する側及び離間する側にそれぞれ移動させる保持体と、前記モーターの回転及び回転速度により前記４探針プローブの移動及び移動速度を制御する制御部と、を備えた抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】板を搬送し膜厚測定器との間で基板の受渡しを行う搬送用ロボットの待機時間を削除または減少させるように搬送用ロボットの基板搬送動作を制御することで、装置全体としてのスループットを向上させる。
【解決手段】基板の膜厚を測定する膜厚測定器との間で基板の受渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法において、膜厚測定器は、内部に搬入された基板に対する膜厚測定が終了する所定時間前に事前終了予告信号を出力し、膜厚測定器から出力された事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御する。 （もっと読む）

【課題】試料の所望の領域の所望の層を短時間で一括加工し、荷電粒子線による検査、解析、微細加工等を実現する荷電粒子線装置を提供する。数百ミクロン以上の所望領域を高速に一括加工可能な機能が従来の荷電粒子線装置には無かった。
【解決手段】荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶基板の検査方法に関するもので、結晶の検査工程に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【解決手段】準備工程として、結晶基板に樹脂溶液を塗布する第１の工程と、検査工程として、前記樹脂溶液を塗布した結晶基板を検査装置に固定し、検査を行い、その後、結晶基板を検査装置から取り外す第２の工程と、検査後工程として、検査装置から取り外された結晶基板を樹脂除去溶媒に浸漬し、結晶基板表面の樹脂を除去する第３の工程と、を備えた結晶基板の検査方法。 （もっと読む）

【課題】試料分解時の不純物の混入を確実に避けることにより、精度の高い多結晶シリコンの分析を可能にする。
【解決手段】上方が開放され、前記試料を収容可能な試料容器と、上方が開放され、前記試料を分解する分解用溶液を保持する溶液容器と、前記試料容器および前記溶液容器を収容して密閉空間を形成するチャンバと、前記試料容器を所定の試料温度に加熱する試料加熱器と、前記分解用溶液を所定の溶液温度に加熱する溶液加熱器とを備え、多結晶シリコンに含まれる不純物濃度を分析するために多結晶シリコンの試料を分解昇華させる装置。 （もっと読む）

【課題】剥離が発生した段階を知ることのできるテスト方法の提供。
【解決手段】前記複数の剥離補強ブロック２−１，２，３，４の各々は、複数の配線層に形成された配線群と、前記複数の配線層間で前記配線群を電気的に接続する、導体ホールとを備える。前記テスト回路１は、前記複数の剥離補強ブロックに対応して設けられた、複数のデータ保持回路と、前記複数の剥離補強ブロックの各々の一端に、テスト信号を供給する、テスト信号供給端と、前記複数のデータ保持回路に接続された、不揮発性の記憶回路とを備える。前記複数のデータ保持回路の各々は、対応する前記各剥離補強ブロックの他端から前記テスト信号に応じて出力される信号をテスト結果データとして保持する。前記不揮発性の記憶回路は、前記各データ保持回路に保持された前記テスト結果データを、前記各データ保持回路と対応付けて記憶するように、前記各データ保持回路と接続されている。 （もっと読む）

半導体ウエハ（Ｗ）などの基板に付着する汚染物質の量を、ウエハを容器内の水と接触させた後に予測する方法について記載する。汚染物質は、ウエハの特性に悪影響を与える物質を含んでいてもよく、このとき、ウエハの表面に付着する汚染物質の量は既知のシステムの検出限界レベル未満の量であってもよい。当該方法は、第１の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程であって、前記ウエハがウエハ表面を有する、工程と、前記ウエハを乾燥させる工程と、前記ウエハ表面の汚染物質を決定するために前記ウエハを分析する工程と、第１の期間よりも短い第２の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着する汚染物質の量を予測する工程とを含む。
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【課題】ＵＶインクを用いる場合において信頼性の高い吐出を行うことのできる液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】基板に紫外線硬化型の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、液滴が吐出された基板に紫外線を照射する紫外線処理部７０と、液滴吐出ヘッド及び紫外線処理部７０を収容する装置本体と、を備えた液滴吐出装置３である。紫外線処理部７０は、処理チャンバー７０ａと、処理チャンバー７０ａ内に収容され、紫外線を照射するランプ部７３を有している。ランプ部７３は、紫外線を照射するランプ７３ａと、ランプ７３ａを収容する筐体７３ｂと、筐体７３ｂ内の雰囲気を装置本体の外部に排気する排気手段７４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの導通状態を容易に検査できる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】半導体装置を作製する際に基板上に形成され、２つの筒状のコンタクトホールが底面側で接続されて管状を成すとともに管状の両端が基板上面に設けられた２つの開口部で開口している管状コンタクトホールのＵ字管６に対し、開口部のうち一方の開口部を覆う可塑性膜４を第１の気圧状態で形成する被膜形成ステップと、可塑性膜４で覆われた基板を第１の気圧とは異なる第２の気圧状態にさらすことによって、Ｕ字管６のうちＵ字管６の管状の一部が塞がっているＵ字管６上の可塑性膜４を変形させる気圧変更ステップと、可塑性膜４が変形したか否かを観察することによって、Ｕ字管６の管状の一部が塞がっているか否かを検査する検査ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを観察できる試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料観察方法は、電子ビームを用いて試料のパターンを観察する。この方法は、試料に電子ビームを照射し、電子ビームの照射によって生じるミラー電子を検出し、検出されたミラー電子から試料の画像を生成する。電子ビームを照射するステップは、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーＬＥが調整された電子ビームを試料に照射する。好適な条件は、ＬＥＡ≦ＬＥ≦ＬＥＢ＋５[ｅＶ]である。 （もっと読む）

本発明は、ウエハ表面の欠陥分析のためにウエハ欠陥部位にイオンデコレーションを行う際に、デコレーション作業とイオン抽出作業とを別に分離し、イオン抽出の完了した電解液を循環させることで、デコレーション作業時に面倒で長い時間がかかる過程を最小化し、全体デコレーションにかかる時間を画期的に短縮させて、終局としてウエハ欠陥分析時間の短縮と欠陥分析の効率性を向上させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。
また、デコレーション作業のためのイオン抽出時にイオンの活動性を向上させてイオン抽出時間を画期的に短縮させることができるウエハ欠陥分析装置及びこれに用いられるイオン抽出装置、並びに該ウエハ欠陥分析装置を用いるウエハ欠陥分析方法を提供する。 （もっと読む）