【課題】汎用性を有し、高速で動作する半導体装置を検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、第1貫通電極24bと、テスト信号を生成する信号生成ユニット30とを有する第1半導体基板24と、複数の接触子60を有するプローブ基板27と、第2貫通電極25bと、複数の接触子60と信号生成ユニット30との間の信号経路をプログラム可能に設定するスイッチマトリックス20eとを有する第2半導体基板と、を備え、第1半導体基板24と第2半導体基板25とは積層されており、第1貫通電極24bは、信号生成ユニット30が生成したテスト信号をスイッチマトリックス20eに伝達し、第2貫通電極25bは、スイッチマトリックス20eによって経路設定されたテスト信号を所定の接触子60に伝達し、信号生成ユニット30から、着脱自在に接続される電気的接続部を介さずに、接触子60にテスト信号が伝達される。 （もっと読む）

【課題】半導体試験装置のベースユニットにおいて、プローブカードが、高温測定時の熱等の影響によって被試験デバイス方向に変形することを防ぐ。
【解決手段】ベースユニット本体と、ベースユニット本体の下方向に配置され、ベースユニット本体に対する傾きを変更可能な、プローブカードを固着するユニットの上部に設けられ、下面の両側に斜面が形成されたテーパブロックと、ベースユニットの下部において、テーパブロックの傾斜方向に設けられたガイド沿って直線移動可能であり、テーパブロックを挟んで配置された１対の下部プレートとを備え、１対の下部プレートは弾性手段により互いに連結され、それぞれの下部プレートは、ガイドに対する停止手段と、テーパブロックの斜面と接触する位置に設けられ、移動方向に回転する回転手段とを備えているベースユニット。 （もっと読む）

【課題】試料の鮮明な画像を撮影することができる電子顕微鏡システム及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】電子顕微鏡システムは、電子線を発生させる電子銃と、電子線を試料に照射するための光学系と、当該試料をセットするステージと、当該試料を観察するために、当該試料への電子線の照射を基に試料を撮影する撮影機構と、撮影機構が撮影した当該試料の画像を解析する解析機構と、当該試料と撮影機構との相対的位置を調節する位置調節機構と、を備える。位置調節機構は、解析機構の解析結果を基に、ステージ又は撮影機構の視野のうちの少なくとも一方を移動させる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をＬＰＤとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でＬＰＤの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてＬＰＤの検出を繰り返し、ＬＰＤの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でＬＰＤの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて２回以上検出された、ＬＰＤの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 （もっと読む）

【課題】精度の良い試料表面検査を行える方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子線式試料表面検査装置を用いて試料表面を検査する方法であって、前記試料表面検査装置の電子銃から発生した電子ビームを前記試料表面に照射し、前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面に向けて結像させ前記試料表面を検査する方法において、前記検出器の検出面における前記二次電子の結像条件を、前記試料表面の電位が前記試料表面に照射された電子ビームの量に応じて変化するように制御する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの製造を分析するためのアッセンブリを提供する。
【解決手段】ウエハが部分的に製造された状態である時点からでも、ウエハの製造を分析することができる。特定の性能パラメータ値は、ウエハのダイの能動領域の複数の箇所で決定することができる。特定の性能パラメータが、製造の特定の製造プロセスを示すことは周知である。このとき、評価情報は、複数の箇所における性能パラメータ値の変動に基づいて得ることができる。これは、ダイから生成されるチップの有用性に影響を及ぼさずに実施可能である。評価情報は、性能パラメータ値が示した特定の製造プロセスを含む１つ以上のプロセスが実施された方法を評価するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】アクチュエータ駆動装置に対し、１サーボ演算ルーチンの処理時間を短縮させてサーボ動作帯域を向上させ、より複雑で高度な演算処理を行った場合でもサーボ動作帯域を確保する。
【解決手段】半導体の検査装置又は製造装置の試料移動台をサーボ制御するためのアクチュエータを駆動させるアクチュエータ駆動装置において、前記アクチュエータの１駆動軸又は複数駆動軸に対して、複数の演算機を用いてソフトウェア・サーボにより駆動させる構成を有することを特徴とする。また、前記ソフトウェア・サーボを複数にブロック化して、各々のブロックをソフトウェア・サーボの演算スケジュールに則り前記複数の演算機にて分散処理させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の測定において、半導体素子の搬送に伴う影響を減らして、正確な測定を行う方法の提供。
【解決手段】半導体測定支援システムは、測定位置に配置された半導体素子１１の測定を行う測定手段１２と、測定手段１２による測定の前後に半導体素子の搬送を行う搬送手段１３と、半導体素子１１が測定位置に配置されるように搬送手段１３を制御するセンサ１４と、搬送手段１３により半導体素子１１が測定位置に配置された場合に、センサ１４による搬送手段１３の制御を停止させ、測定手段１２により当該半導体素子１１の測定が終了した場合に、センサ１４による搬送手段１３の制御を再開させ、搬送手段１３により当該半導体素子１１を測定位置から搬出させる搬送制御手段１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの検査測定における品質及び生産性の向上を目的とする。
【解決手段】高温ステージ２６ａと低温ステージ２６ｂとを有するチップ測定用ステージ３００と、チップ測定用ステージ３００を移動する機構２８，２９と、チップ吸着固定部２４と、プローブ支持部２２とを有する半導体チップ検査装置１００において、チップ測定用ステージ３００は、チップを測定する位置に、高温ステージ２６ａ及び低温ステージ２６ｂが自動的に移動され、チップ吸着固定部２４は、プロービングストッパの構造を有し、かつ、熱伝導性が優れた部材を有し、プローブ支持部２２は、チップの材料またはチップの熱膨張係数と略同一の熱膨張係数の材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジを支持することでウェーハ裏面とステージ面２２とを非接触にして該ウェーハが載置される測定ステージ２０と、ウェーハを測定ステージ上方に移動させるとともに上方からウェーハを測定ステージに載置するウェーハ搬送手段３０と、測定ステージの中央に形成されて上方に向かってガスを供給する噴出孔２６とを備えたウェーハ測定装置１００において、ウェーハ搬送手段に、圧力ガスが供給されることでウェーハ表面を非接触で吸着保持し、ウェーハを上に凸状に撓ませるベルヌーイチャック４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】省スペース化及び低コスト化が可能な半導体ウェハ試験装置を提供する。
【解決手段】プローブカード３２１が電気的に接続された複数のテストヘッド３２ａ〜３２ｄと、半導体ウェハＷを保持可能なウェハトレイ２と、ウェハトレイ２に保持された半導体ウェハＷをプローブカード３２１に対して相対的に位置決めして、ウェハトレイ２をプローブカード３２１に対向させるアライメント装置５と、を備えており、ウェハトレイ２は、当該ウェハトレイ２をプローブカード３２１に引き寄せる減圧機構を有し、アライメント装置５は、テストヘッド３２ａ〜３２ｄの配列方向に沿って移動することが可能となっている。 （もっと読む）

干渉計システムは、２つの間隔を空けて配置された参照フラットを含み得る。前記２つの間隔を空けて配置された参照フラットは、２つの平行参照表面間に光キャビティを形成する。第１のおよび第２の基板表面が対応する第１の参照表面および第２の参照表面に実質的に平行な様態で、前記第１のまたは第２の基板表面の間の空間が前記参照表面または減衰表面のうち対応するものから３ミリメートル以下の位置に来るように、前記基板を前記キャビティ内に配置するように基板ホルダが構成され得る。前記キャビティの直径方向において対向する両側においてかつ前記キャビティ光学的に結合して、干渉計デバイスが設けられ得る。
（もっと読む）

【課題】 可動部の位置の変化によらず略一定の支持力可動部に対して付与し、且つ構造が簡単で、外部からエネルギーを供給する必要が無く、構成部品の劣化が発生しない自重支持装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、
軸方向に着磁され、両先端に磁極を有する柱形状からなる第一の永久磁石と、
貫通穴を有し、前記貫通穴の軸方向と平行で且つ略一様な磁場が、前記貫通穴内部の一定範囲において発生するように着磁された第二の永久磁石とからなり、
前記第一の永久磁石の一方の先端が、前記第二の永久磁石に形成された前記貫通穴に非接触で挿入され、且つ前記略一様な磁場の範囲内に位置するよう配置されており、
前記第一の永久磁石の他方の先端が、前記第二の永久磁石に形成された前記貫通穴の外部に位置するよう配置されており、
前記第一の永久磁石と前記第二の永久磁石との間に発生する磁力を、支持力として利用することとした。 （もっと読む）

【課題】ウェハの電気的特性を精度よく測定することができると共に、ウェハの破損を防止することができる技術を提供する。
【解決手段】プローブ針１８を用いた検査時において、プローブ針１８をステージ４の溝６に対応する位置に接触させるときは、ウェハ支持部材１０を移動機構１６によって、ステージ４の載置面４ａ方向へ押し上げる。これによって、載置面４ａとウェハ支持部材１０が同一平面を形成し、ウェハ２０を支持する。 （もっと読む）

【解決手段】基板を調査するためのツールであって、基板を調査するためのツールヘッドと、基板の上面をツールヘッドに近接して配置するためのチャックと、基板に近接するツールヘッド上に配置される空気ベアリングとを具える。空気ベアリングは、圧力源および真空源を有し、真空源は、基板を空気ベアリングの方へ引き寄せ、圧力源は、基板が空気ベアリングに物理的に接触することを防止する。圧力源および真空源は、基板の上面をツールヘッドから所定の距離に配置するよう協働して働く。この方法で空気ベアリングをツールの一部として用いることによって、基板のツールヘッドに対する位置合わせは、基板の後ろ側ではなく、基板の上面に対して行われる。 （もっと読む）

非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板（１２）を保持するように適合されたウエハキャリア（１０）と、材料特性評価装置（２０）、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板（１２）を含むウエハキャリア（１０）の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。
（もっと読む）

【目的】検査処理時間を短縮させる基板検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の基板検査装置１００は、基板１０１を検査する基板検査装置１００において、水平方向に移動するＸＹステージ１２１と、前記ＸＹステージ１２１上に配置され、上下方向と回転方向に移動するＺ・θステージ１２２と、基板１０１の検査面の高さ位置が、Ｚ・θステージ１２２の重心高さ位置に配置されるように基板１０１を保持する保持具１０２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエーハのスクラッチ検出装置及びスクラッチ検出装置を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、スクラッチ検出手段は、ウエーハ１１に対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域の上部に配設されたフォトディテクタ１０８と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光して該フォトディテクタに導く集光手段と、フォトディテクタで検出される光量が所定の閾値を超えた際スクラッチ有りと判定するスクラッチ判定手段１１０とから構成される。 （もっと読む）

【課題】試料移動ステージをスライドさせて生じるスライドの変形が試料テーブルに伝達されることを防止する試料移動ステージに関する。
【解決手段】ベースフレームに取り付けられ第１のガイドブロックに沿って移動する第１のスライド、および前記第１のスライドに取り付けられかつ第２のガイドブロックに沿って移動する第２のスライドが相互横断方向に取り付けられる可動部と、前記第２のスライドに形成されたひずみメカニズムモジュール５０を仲介して取り付けられた試料テーブルによって試料を移動させる。前記ひずみメカニズム５０は、上下方向に沿って一定間隔で上記第２のスライドの上面を規則的に貫通する多数の緩衝孔５３と、前記緩衝孔５３の中心に当たるように切断され、かつ上記試料テーブルが取り付けられるブリッジ部５６および取付部５２の変形空間を提供する多数の変形ライン５４とからなり、スライドによる変形が試料テーブルに伝達されない。 （もっと読む）

【課題】 高温検査時や低温検査時にプローブカードのプリヒート時間をなくして検査時間を短縮することができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 本発明の検査装置１０は、温度調節可能な載置台１１を昇降させる昇降駆動機構１２と、昇降駆動機構１２を制御する制御部と、複数のプローブ１３Ａを有するプローブカード１３と、を備え、昇降駆動機構１２は、載置台１１に連結されたボール螺子１４と、ボール螺子１４を駆動させて載置台１１を昇降させるサーボモータ１５と、を有し、制御部は、サーボモータ１５を位置制御する位置制御部１６１と、プローブカード１３が温度変化により膨張、収縮する時にサーボモータ１５をトルク制御するトルク制御部１６２と、位置制御部１６１とトルク制御部１６２を切り換える切換部１６３と、を有するサーボドライバ１６として構成されている。 （もっと読む）