【課題】半導体基板の欠陥検査において、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うこと。
【解決手段】
半導体基板の欠陥検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な測定を複数回行なう場合であっても、正確に測定を行なうことができる半導体素子の測定方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に形成された電極パッドにプローブを接触させて、前記半導体素子における電気的特性を測定する半導体素子の測定方法において、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第１の方向に動くプローブユニット６１を前記電極パッドに接触させ測定を行なう第１の測定工程と、前記第１の測定工程の後、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第２の方向に動くプローブユニット６２を前記電極パッドに接触させる第２の測定工程と、を有し、前記第１の方向と前記第２の方向とは異なる方向である。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの静特性及び動特性の双方をウエハレベルで測定することができ、特に静特性に使用される測定ラインに影響されることなく、パワーデバイスの動特性をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを載置する移動可能な載置台１２と、載置台１２の上方に配置された複数のプローブ１４Ａを有するプローブカード１４と、載置台１２の載置面とその外周面に形成された導体膜電極１３と、導体膜電極１３とテスタ１７とを電気的に接続する測定ライン１６と、を備え、載置台１２上のパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するプローブ装置であって、第２の測定ライン１６には、導体膜電極１３とテスタ１７の間で測定ライン１６の電路を開閉するスイッチ機構１８を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンに損傷を与えることなく欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、半導体基板を測定光学系によって表面観察し、観察結果に基づいて前記半導体基板の欠陥検査を行う基板検査部を備えている。また、前記欠陥検査装置は、前記測定光学系のうち前記表面観察を行う際に前記半導体基板の表面に近接する底部近傍を撮像し、撮像した画像である第１の撮像画像を用いて前記底部近傍の状態検査を行う測定光学系検査部を備えている。前記測定光学系検査部は、前記基板検査部が前記半導体基板の欠陥検査を行っていない間に、前記底部近傍の状態検査を行う。また、前記測定光学系検査部は、前記状態検査の基準となる基準画像と、前記第１の撮像画像と、を比較し、比較結果に基づいて、前記底部近傍の状態検査を行う。 （もっと読む）

【課題】貼合わせウェハ全体について厚さを測定できる装置の提供。
【解決手段】貼合わせウェハ１の厚さ測定光学系及び観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて貼合わせウェハ１の厚さを算出する信号処理装置とを具え、測定光学系は、第１の波長域の測定用光源３０と、この測定光を投射して光スポットを形成する対物レンズ１７と、その反射光の光検出手段４０とを有し、観察光学系は、前記第１の波長域とは異なる第２の波長域の観察用照明光を放出する照明光源４１と、照明光を投射する対物レンズ１７と、その反射光を受光して２次元画像を撮像する撮像装置４８とを有する。これらで共通の対物レンズ１７と測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子３４を配置する。撮像装置４８は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳された像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化が進むと、実際の配線幅に比較して画像中の配線の幅方向のピクセル数が不十分になり、検査精度を向上させるために、撮影倍率を向上させると、処理能力が落ちて、生産性が落ちてしまうという課題を解消できる技術を提供する。
【解決手段】表面に配線が形成された検査対象物の表面を電子カメラで撮像し、その撮像した画像に含まれる配線パターンを検出し、検出した配線パターンのうち画素の配列に対して傾斜した配線像を抽出し、その抽出した配線像の欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面から所定深さでのイオン注入量を測定し得、また、表層よりも深層の影響をより低減してイオン注入量をより精度よく測定し得る。
【解決手段】本発明では、測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が光源部１から放射され、所定の測定波が測定波生成部６から放射され、これらがイオン注入半導体ＳＭへ照射される。一方、測定波をその照射前に一部が分岐されて、参照波としてイオン注入量を測定したい表面からの深さに応じた位相に調整される。参照波とイオン注入半導体ＳＭでの測定波の反射波とが合波され、その強度が検出部１１で検出される。そして、この検出波の強度に基づいて光励起キャリアの寿命に関する指標値が求められ、所与の、光励起キャリアの寿命に関する指標値とイオン注入量との対応関係を表すイオン注入量対応情報に基づいてイオン注入量が求められる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数枚のウエハの表面粗さの測定を連続で自動的に行うことができ、測定効率を向上させることができる表面粗さ測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のウエハ７０を載置できる回転駆動可能なステージ１０と、
該ステージ上で前記複数のウエハを同心円状に位置決め固定する位置決め手段５０と、
上下方向及び水平方向に直線的に移動可能に支持された接触子２１を、所定の測定位置にあるウエハの表面に接触させて水平方向に直線移動させることにより、該ウエハの表面粗さを測定する表面粗さ測定手段２０と、
測定対象となる測定対象ウエハを前記所定の測定位置に前記ステージを回転させて移動させ、前記表面粗さ測定手段により該測定対象ウエハの表面粗さを測定する一連の動作を前記複数のウエハに対して順次行うように前記ステージ及び前記表面粗さ測定手段を制御する制御手段４０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等の表面欠陥検査装置において、前方散乱光を高感度で検出し、正反射光をも同時に高感度検出可能とすることで、欠陥捕捉率の高い高効率の欠陥検査を実現。
【解決手段】前方散乱光検出手段２０は、ベアウエーハ１の前方散乱光を受光する光学系であり、照明手段１０よりベアウエーハ１に照射された検査光３による欠陥２からの散乱光を受光する検出レンズ２１と全反射ミラー２２とで構成され、その中央部（検査光入射平面と直行した方向）で分割した特徴を持つ。この全反射ミラー２２で側方に分離された前方散乱光は光電変換素子２３で検出され、中央の分割領域を直通する正反射光７は正反射光検出手段３０で検出されるので、前方散乱光と正反射光とで互の影響を抑制しつつ同時に検出することできる。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスをウエハ状態のまま検査することができるパワーデバイス用のウエハキャリアを提供する。
【解決手段】本発明のパワーデバイス用のウエハキャリア２０は、パワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行う際に、検査装置１０の載置台１１上に吸着固定して用いられ且つ複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを保持するもので、キャリア本体２１と、キャリア本体２１の第１の主面上にウエハの載置面として形成された導電性金属膜２３と、載置面に形成された真空吸着用の溝２０Ａと、載置台１１の真空吸着用の溝１１Ａと連通し且つ真空吸着用の溝２０Ａ内で開口する吸引孔２０Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留りを効率的に、かつ高精度に算出する。
【解決手段】薄膜を一様に形成した半導体ウェハ２の画像データを取得し、品種ごとに形成された欠陥識別データ３８と製品パターン３９とを用いて、薄膜に形成された欠陥を抽出する。欠陥識別データ３８は、半導体装置の電気特性に影響を与える欠陥サイズの情報であり、製品パターン３８は、回路パターンが疎な領域をマスクしたパターンである。さらに、抽出した欠陥が存在するチップの数から歩留り率の予想値を算出し、その品種に必要とされる規定の歩留り数と比較して半導体ウェハ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】ワーク内部にレーザー光線を集光して改質層を形成する加工装置において、厚さが規格外のワークが搬入されたことを加工前に検出する。
【解決手段】ワーク１を保持手段４０に搬入して保持した状態で、光学式の測定手段７０により、ワーク１の上面１ａの高さ位置を測定する第一の測定工程と基準面に設定した保護テープ１０の粘着面１０ａの高さ位置を測定する第二の測定工程とを行い、第一の測定工程と第二の測定工程とによって得られた値の差分によってワーク１の上面１ａから基準面までの距離を検出し、該距離に基づいて、搬入されたワーク１の厚さが規格外であるか否かを判断する。 （もっと読む）