【課題】半導体基板の欠陥検査において、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うこと。
【解決手段】
半導体基板の欠陥検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハをステージ上に配置する際、確実に位置決め精度を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における位置決めガイドＰＡＧがリング形状をしているため、半導体ウェハの外縁部全体にわたって位置決めガイドＰＡＧで保持することができる。このことから、たとえ、半導体ウェハの外縁部の一部に割れやカケが存在していても、本発明における位置決めガイドＰＡＧによれば、半導体ウェハを確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥座標に含まれている誤差を低減可能な光学式検査装置を提供する。
【解決手段】チャンネルが配列されたラインセンサと、ウエハをステージに載せてラインセンサに対して移動させる移動手段と、行列の行毎に１つ且つ列毎に１つ擬似欠陥ダイが形成され擬似欠陥ダイには複数の擬似欠陥が列方向に一列に形成されている座標管理用ウエハを検査したのを受けてチャンネル上に結像した擬似欠陥のステージ上の位置を擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０として検出するステージ位置検出手段と、擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０を擬似欠陥ダイ座標に変換する座標変換手段と、設計座標に対する擬似欠陥ダイ座標の差分ΔＸを算出する差分算出手段と、擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０に対して差分ΔＸが一定の振幅Ａ１で振動し直線Ｌ１に沿って増加又は減少する座標誤差特性パターンＣＰ１を取得する特性パターン取得手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された半導体装置の特性不良を精度よく検出することができる半導体装置の検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、第１ウエハ検査工程と、２ウエハ検査工程と、判定工程とを含む半導体装置の検査方法が提供される。第１ウエハ検査工程は、複数個の半導体装置に同時にプローブ針を接触させるプローブカードを用いて半導体ウエハ上に形成された半導体装置の特性を検査する。第２ウエハ検査工程は、第１ウエハ検査工程によって特性不良と判定された半導体装置の半導体ウエハ上の分布に基づいて、プローブカードの半導体ウエハに対する位置を第１ウエハ検査工程の位置からずらして、半導体装置の特性を再検査する。判定工程は、第２ウエハ検査工程による再検査の結果に基づいて、半導体装置の特性不良のうち、複数個の半導体装置単位で行われる製造処理において生じる特性不良を判定する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査装置の設置スペースを削減することができると共に設置コストを低減することができるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ検査装置１０は、ウエハを一枚ずつ搬送するように第１の搬送領域Ｓ２に設けられた第１のウエハ搬送機構１２と、第１の搬送領域の端部にあるアライメント領域Ｓ３内でウエハ保持体１５を介して第１のウエハ搬送機構１２によって搬送されるウエハＷを検査位置にアライメントするアライメント機構１４と、第１の搬送領域Ｓ２及びアライメント領域Ｓ３に沿う第２の搬送領域Ｓ４内でウエハ保持体１５を介してウエハＷを搬送する第２のウエハ搬送機構１６と、第２の搬送領域に沿う検査領域Ｓ５に配列され且つウエハ保持体１５を介して第２のウエハ搬送機構１６によって搬送されるウエハＷの電気的特性検査を行う複数の検査室１７と、を備え、検査室１７ではアライメント後のウエハの電気的特性検査を行う。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】板状部材を処理する効率を向上することができるようにすること。
【解決手段】支持装置１０は、半導体ウエハＷが載置される載置面１６を有する載置手段１１と、半導体ウエハＷの外縁側を検査する検査手段１２と、半導体ウエハＷの外縁に当接可能な複数の当接手段２２と、当接手段２２を回転して半導体ウエハＷを周方向に回転可能な回動モータ２３と、載置面１６と平行な方向に当接手段２２を移動可能な移動手段２６とを備えて構成されている。各当接手段２２は、回動モータ２３を介して回転することにより、半導体ウエハＷを周方向に回転すると同時に、半導体ウエハＷを載置面１６に離間接近する方向に移動可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第１サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第１サーチダイの右隣のダイを第２サーチダイとし、第２サーチダイの上隣のダイを第３サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第２サーチダイ及び第３サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第２サーチダイのパターンマッチ座標と第３サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第１サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。 （もっと読む）

【課題】真空ロボットによる試料搬送時の位置ずれを補正するための簡単な機構を備えた検査装置を提供する。
【解決手段】試料ステージのロードポジション(X_L,Y_L)及びアンロードポジション(X_U,Y_U)と、プリアライナの回転角(θ_L)を保存する。プリアライナ上のウエハを基準方位に対して回転角(θ_L)だけ回転させるプリアライメントを実行し、更に、プリアライナに対するウエハの偏心量(Δx₁,Δy₁)を測定する。この偏心量(Δx₁,Δy₁)に基づいて、試料ステージのロードポジション(X_L,Y_L)を補正する。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡を用いたグローバルアライメント（ウェーハの位置ずれ・回転検出）を安定かつ自動に行う技術を提供する。
【解決手段】グローバルアライメント用のパターンとして、複数のアライメントパターン候補を算出し（１０７）、アライメントパターン毎に複数のマッチング用データを作成し（１０８）、光学顕微鏡からの画像信号に基づく画像（１１３）とアライメントパターンとして適正度の高いアライメントパターン候補順にアライメントパターン毎にマッチング用データとマッチングを行い（１１４）、マッチングの結果に基づき（１１５）ウェーハの位置ずれ量・回転量を算出する（１１６）。 （もっと読む）

【課題】マッチング精度が向上するＡＰを設定可能な走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料上のＥＰを観察する前に位置決め用として前記ＥＰ周辺に設定されたＡＰに関する情報を含む撮像レシピに基づき、ＥＰの画像を取得する走査型電子顕微鏡であって、前記ＡＰの位置と前記試料の設計データを含む情報を取得する情報取得部と、前記情報を基に、前記ＡＰのＦＯＶに含まれるパターンが閉図形であるか否かを判定するパターン解析部と、前記ＡＰのＦＯＶに含まれるパターンが閉図形の場合、該閉図形を包含する矩形領域が前記ＡＰのＦＯＶに収まる場合は頂点数を最も多く有する閉図形が前記ＡＰの中心になるように前記ＡＰを移動するか、または前記矩形領域が前記ＡＰのＦＯＶに収まらない場合は前記閉図形の頂点数が最も多くなる位置に前記ＡＰを移動する位置調整部と、前記最適化したＡＰの位置を撮像レシピに登録する撮像レシピ登録部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡で画像を撮像するとき，焦点を合わせるために動作させるＺ座標の走査範囲を短くして，焦点を合わせる時間を短縮する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡で試料上の複数の箇所のＳＥＭ画像を順次取得することを、最初の所定の数の箇所においては電子ビームの焦点位置を試料の表面の法線方向に所定の範囲走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせてから試料を撮像し、最初の所定の数の箇所において試料の表面に合わせた電子ビームの焦点位置の情報を用いて試料の表面の曲面形状を推定し、最初の所定の数の箇所で撮像した後は、電子ビームの焦点を試料の表面に合わせるために電子ビームの焦点位置を法線方向へ走査する範囲を推定した曲面情報を用いて最初の所定の数の箇所において走査した所定の範囲よりも狭い範囲で走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせて前記試料を撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査装置でベアウエハ（鏡面ウエハ）を検査する場合、ウエハ上には何もマークがないため、ベアウエハを正しく位置決めできない。
【解決手段】本発明は、前記基板を移動する搬送系と、前記基板に光を照射する照明光学系と、前記基板からの光を検出する検出光学系と、前記検出光学系の検出結果に基づいて前記基板の欠陥を検出する第１の処理部と、前記検出光学系の検出結果に基づいて画像を取得する第２の処理部とを有し、前記第２の処理部は、前記基板の外周部の画像、及び前記基板のノッチ部の画像を取得し、前記外周部の画像に基づいて、前記基板の中心位置を計算し、前記中心位置、及び前記ノッチ部の画像に基づいて、前記基板の回転ずれを計算し、前記搬送系は、前記中心位置、及び前記基板の回転ずれに基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ高精度にパッド中央の位置情報を得ること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路の検査装置は、半導体の複数の端子に接続された複数のパッドにそれぞれ対応する複数のプローブピンを有するプローブカードを前後、左右に移動する駆動部と、半導体の複数の端子に接続された複数のパッドの形状及び半導体集積回路の配置を記憶した記憶部と、記憶部から取得したパッドの形状に基づいて駆動部を制御する制御部とを有する。制御部は、駆動部を制御して、前記複数のパッドのうち検査対象である一の検査パッドの頂点座標を検出する検出処理を行い、当該検査パッドの一頂点を検出した場合は、検査パッドの形状の情報から検査パッドの中央の座標を算出し、算出された検査パッドの中央の座標にプローブピンを押圧して半導体集積回路の検査をする。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを放出中であっても高真空を維持可能な小型荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の電子光学系の差動排気の上流に非蒸発ゲッター
ポンプを配し，下流に必要最小限のイオンポンプ配して，両者を併用することにより達成
される。さらに，取り外し可能なコイルを電子銃部に実装することにより，別の課題を解
決する。
【効果】カラム内の真空度を１０^−８Ｐａ台の高真空で維持できる小型荷電粒子線装置，例えば，小型の走査型電子顕微鏡，複数のカラムを有する荷電粒子ビーム装置を得ることができる。さらに，半導体の電気特性を直接計測するプローバ装置の探針の位置をモニタする小型ＳＥＭカラムを容易に内蔵できる。その他にも，半導体素子検査用のミラープロジェクション方式の電子線検査装置の電子線照射カラムの小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーの工程で必要とされるホットスポット検査において、広い観察面積を短時間で観察できる高解像度の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数本の電子線１１８で試料１１９上を走査し、それぞれの電子線から放出される２次電子１２０を同一の検出器１１２で取り込むことで、ＳＥＭ画像は複数本の電子線間の相対距離に依存した、位置がずれた画像（ゴースト画像）となる。前記相対距離を調整し、画像処理部１０４で位置ずれを復元することで、画素サイズが大きくても高感度なホットスポット検査装置を実現することができ、広い面積を短時間で観察できる。 （もっと読む）

【課題】正確に、かつ短時間に空間フィルタの設定を行なうことができ、検出感度の低下防止も可能な表面欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】それぞれ異なるパターンピッチを有する複数の領域からの光像が混在した回折光像710aを表示し、選択した領域のパターンピッチ702aと算出された回折光ピッチ702bが表示される。回折光ピッチ702bに合わせたピッチのゲージ710b、701cが回折光像710aに重畳して表示させる。ゲージ710b、710cは回折光像710cのピッチに合わせられるように作業者が移動でき、ゲージ710b、710cを合わせたピッチの画像が抽出され、別の表示領域に表示される。異なるパターンピッチを有する複数の領域のそれぞれに対して実行し、それぞれのパターンピッチとそれに対応する画像を表示する。表示した画像等に従い、選択した回折光を除去可能なように空間フィルタの間隔を設定できる。 （もっと読む）