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Fターム[4M106DJ17]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 装置の共通部 (6,103) | 信号処理 (3,352) | 複数信号の検出 (272)

Fターム[4M106DJ17]に分類される特許

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【課題】不良の太陽電池になり得る素地を含む間接バンドギャップ半導体構造の検査システムを提供する。
【解決手段】光源110は間接バンドギャップ半導体構造140にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させる。ユニット114は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ112は光をコリメートする。半導体構造140はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明される。撮像デバイス130は半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、半導体構造140の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理される。 (もっと読む)


【課題】虚報を多発させることなく,システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち,前準備として,少数の実画像101と対応する設計データ102から,特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a,106b),これと,欠陥座標が指定された教示データ103とから,正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には,検査対象の実画像104と,設計データ105から106a,106bと同様にして特徴量を算出し(108a,108b),これらに対し,検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより,欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 (もっと読む)


【課題】表面にDZを有する半導体基板において、該DZの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にDZ、内部にIG層を有する半導体基板において、表面再結合速度を1×10cm/sec以上に調整した第1のサンプルの一次モードのライフタイムτ11を測定し、一次モードのライフタイムτ11および下記数式を用いて、IG層のバルクライフタイムτIGを求め、第1のサンプルに対して、表面再結合速度を1×10cm/sec以下に調整した第2のサンプルの一次モードのライフタイムτ12を測定し、一次モードのライフタイムτ12とIG層のバルクライフタイムτIGを比較し、一次モードのライフタイムτ12とIG層のバルクライフタイムτIGの差が0となったとき、DZが消失したと判定することができる。
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【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物2を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ3と、被吸着物2に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ3に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部15とを備える。 (もっと読む)


【課題】測定値のヒストグラムにおいて、複数の主分布を含む場合であっても、主分布から外れた特異値を示す半導体装置を特定できる半導体装置のスクリーニング装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置のスクリーニング装置は、半導体装置の特性に関する測定結果から構成される測定値集合を、所定の規則に基づき分割することで、複数の測定値部分集合を生成するデータ分割部と、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果の評価基準となる第1の評価値を算出する第1の評価値算出部と、第1の評価値に基づいて、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果を変換するデータ変換部と、データ変換部が変換した後の測定結果の評価基準となる第2の評価値を算出する第2の評価値算出部と、第2の評価値に基づいて、測定対象である半導体装置の良否を判定する判定部と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部12は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第1の測定結果データ(例えば、第1の設定条件での検査における比較電圧VREFの測定値VR1と、温度特性を持つ出力電圧VPTATの測定値VP1等。)と、第2の測定結果データ(例えば、第2の設定条件での検査における比較電圧VREFの測定値VR2と、出力電圧VPTATの測定値VP2等。)とを得る。その後で、制御部13は、第1の測定結果データと第2の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果(TSD機能動作温度TP3)を、その上限値TP3H(℃)および下限値TP3L(℃)と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 (もっと読む)


【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置1は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部30と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部40と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部40により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部27とを備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】欠陥画像取得時間を短縮することが可能な欠陥観察方法および欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】複数の画像取得条件から選択した任意の画像取得条件を用いて検査対象である試料の表面を撮像して欠陥画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程にて取得した欠陥画像を処理して、該試料の表面上の欠陥位置を算出する欠陥位置算出工程と、前記欠陥位置算出工程にて算出した欠陥位置の確からしさである欠陥検出確度を求める欠陥検出確度算出工程と、前記欠陥検出確度算出工程にて求めた欠陥検出確度が予め定めた条件を満たすかどうかを判定する終了判定工程と、を備え、前記終了判定工程にて該条件を満たすと判断するまで、前記複数の画像取得条件から画像取得条件を選択し直し、前記画像取得工程と前記欠陥位置算出工程と前記欠陥検出確度算出工程と前記終了判定工程とを繰り返す。 (もっと読む)


【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置200は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ(1)に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップBを作成するWPフィルタ処理部56と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップCを作成するLPフィルタ処理部58と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ(2)に対し、LPフィルタ処理をおこなって位置ずれマップCを作成するLPフィルタ処理部64と、位置ずれマップAと位置ずれマップBの差分に位置ずれマップCを加算することによって合成して位置ずれマップDを作成する合成部66と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、テストパターンを長く複雑なパターンにする必要がなく、スクリーニングで検出することができる回路パターンの不具合の割合を増やすことができる半導体検査装置、および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成した複数の半導体チップに対してスクリーニングを行なう半導体検査装置10である。半導体検査装置10は、ステージ2と、プローブ4と、テスタ部8と、光検出部5と、発光解析部6と、主制御部7と、異常判定部9とを備えている。光検出部5は、光学的なスクリーニングを行なうために、回路パターンに印加した電気信号に基づく発光を、半導体基板の他方の面側から検出する。異常判定部9は、テスタ部8で検出した出力信号に基づき、回路パターンの不具合を判断し、発光解析部6で解析した発光に基づき、回路パターンの不具合を判断して、半導体チップの異常を判定する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性がウエハ上の位置に応じて変動する場合においても、半導体装置の不良品を高い精度で検出できるようにすること。
【解決手段】スクリーニング方法は、ウエハに含まれる複数の半導体装置のそれぞれの電気的特性値を測定する工程と、前記ウエハ上における前記複数の半導体装置のそれぞれの位置情報を取得する工程と、前記複数の半導体装置の電気的特性値の変動のうちの前記ウエハ面上で相対的に緩やかに変動する成分を、前記複数の半導体装置のそれぞれの電気的特性値から差し引いて、前記複数の半導体装置のそれぞれの電気的特性値を補正する工程と、前記補正後の電気的特性値の分布を前記複数の半導体装置に対して生成する工程と、前記分布に基づいて、前記補正後の電気的特性値が外れ値となる半導体装置を前記複数の半導体装置の中から検出する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の金属汚染評価をDLTS法によってより一層高感度に行うための手段を提供する。
【解決手段】半導体試料上の半導体接合に対して空乏層を形成するための逆方向電圧VRと該空乏層にキャリアを捕獲するための弱電圧V1とを交互かつ周期的に印加することで発生するDLTS信号を温度を変化させながら測定し第一のDLTSスペクトルを得て、又上記半導体接合に対して、上記VRを周期的に印加することで発生するDLTS信号を温度を変化させながら測定し第二のDLTSスペクトルを得て、第二のDLTSスペクトル、または第二のDLTSスペクトルを直線ないし曲線近似して得られたスペクトルを補正用スペクトルとして、該補正用スペクトルと前記第一のDLTSスペクトルとの差分スペクトルを得る。前記差分スペクトルを評価用DLTSスペクトルとして用いる。 (もっと読む)


【課題】ウェハに含まれる半導体集積回路の電気的特性の測定には、測定対象となる全ての半導体集積回路が専用の測定回路を備えている必要があるが、全ての半導体集積回路に対して専用の測定回路を配設すると、半導体集積回路の面積が増加してしまう問題がある。そのため、半導体集積回路の面積を増加させることなく、半導体集積回路の電気的特性の測定を可能とする半導体試験装置が望まれる。
【解決手段】半導体試験装置は、第1の半導体集積回路と、電気的特性を測定するための測定回路及び測定端子と、前記測定回路に近接する第2の半導体集積回路と、を含むウェハの特性の測定を行う測定部と、第2の半導体集積回路に対して実施するウェハテストから得られる第1の電気的特性と、測定端子から測定した第2の半導体集積回路についての第2の電気的特性と、の相関に基づいて第1の半導体集積回路について第2の電気的特性を推定する制御部と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第1のパターンと、チップ外領域に形成され第1のパターンとは異なる第2のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第1のパターンとの比較から第2のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第2のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 (もっと読む)


【課題】
ステップ・アンド・リピート式の高解像度SEMを用いて予め定められた危険点を検査し、危険点での欠陥発生頻度を統計的かつ信頼性を持って推定する半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】
デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定し、この指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ別に選択し、この選択した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像してこの検査点における欠陥を検出し、欠陥タイプ別に撮像した検査点の数に対する検出した欠陥の数の比である欠陥比率とこの欠陥比率の信頼区間を算出し、この算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間と予め設定した基準値とを比較し、この基準値を超える欠陥発生比率をもつ欠陥タイプを求める半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムとした。 (もっと読む)


【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に1未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 (もっと読む)


【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している2つのパターンを抽出する。測定対象候補の2つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の2つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 (もっと読む)


【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第1の欠陥検査処理(ステップS11)を実行した後、その第1の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する(ステップS12,S13)。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第1の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する(ステップS16)。 (もっと読む)


【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源101、偏向手段(103、104、105等)、焦点位置変更手段(106、108)を制御すると共に検出器119により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部121と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部120を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 (もっと読む)


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