【課題】半導体基板の一方の表面のみかつ当該表面の全体をエッチング液に接触でき、半導体基板以外からの不純物の混入(コンタミ)がない半導体基板表面の不純物の回収方法、及び、前記不純物の回収方法を使用する半導体基板表面の不純物の定量分析方法を提供する。
【解決手段】平坦な底面を有する支持容器１にエッチング液２を添加し、その上に分析対象の半導体基板３を載せて、半導体基板３表面のエッチング液２への溶解に要する時間放置後、当該エッチング液２を回収する方法であって、半導体基板３の直径をＸｃｍとしたとき、支持容器１に添加されるエッチング液２の量が、２×（Ｘ／５）^２ｍｌ以上、３×（Ｘ／２）^２ｍｌ以下であり、かつ支持容器１とエッチング液２の接触角が６５°以上であることを特徴とする半導体基板表面の不純物の回収方法及び、前記不純物の回収方法を使用する半導体基板表面の不純物の定量分析方法。 （もっと読む）

【課題】有底の凹部の状態を非破壊で検査し、製造コストを低減させる。
【解決手段】本発明のウエハ５０のビア孔５１の検査方法は、有底のビア孔５１が表面に形成されたウエハ５０に被転写材料を塗布し、この被転写材料をビア孔５１内に充填させ、被転写材料を硬化させた後、ウエハ５０から離型させることでビア孔５１がビア像７１として転写されてなる被転写体７０を形成する転写工程と、ビア像７１の表面を観察することでその表面形状の画像データを作成する表面観察工程と、ビア像７１の画像データに基づいてビア像７１の形状を評価し、ビア孔５１内の状態を検査する検査工程とを備えたところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】検査時のプロービングによる不良の疑いのあるチップの流出を確実に防止することのできるウェハ検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】各チップにプローブを接触させて通電テストを制御するテスト制御手段５と、テスト制御手段５の結果からチップの良否を判定するテスト判定手段６と、各チップのアドレス情報と各チップに対するテスト判定手段６のテスト判定情報及びプローブによるコンタクト情報とを対応させて記憶する記憶手段７と、プローブがチップに接触する毎にチップのアドレス情報に対応するコンタクト情報を更新するコンタクト制御手段８と、コンタクト情報が予め設定した限界条件を超えたときはチップを不良と判定するコンタクト判定手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置における故障位置をＯＢＩＲＣＨ法により解析して特定できるようにした半導体装置の故障位置解析方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０〜８１０ｎｍのレーザー光を用いる。 （もっと読む）

【課題】虚報を多発させることなく，システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち，前準備として，少数の実画像101と対応する設計データ102から，特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a，106b），これと，欠陥座標が指定された教示データ103とから，正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には，検査対象の実画像104と，設計データ105から106a，106bと同様にして特徴量を算出し(108a，108b)，これらに対し，検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより，欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 （もっと読む）

【課題】 離散的に出現する微結晶を検出することができるポリシリコン結晶膜の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ１５は、ＣＣＤカメラ１２によって撮像された画像を、Ｙ方向に複数の第１の分割領域４１、およびＸ方向に複数の第２の分割領域４２に分割し、第１の分割領域４１のＸ方向の濃度分布を表す第１の濃度値分布特性、および第２の分割領域４２のＸ方向の濃度分布を表す第２の濃度値分布特性を算出する。第１の分割領域４１をＸ方向に分割した複数の第３の分割領域４３のから、第１または第２のの濃度値分布特性が基準濃度値以上の第３の分割領域４３を黒領域とする。黒領域のＸ方向の数を計数し、計数値が所定値以上である黒領域からなる部分を、許容できない断続的な列状部であると判断する。 （もっと読む）

【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】測定値のヒストグラムにおいて、複数の主分布を含む場合であっても、主分布から外れた特異値を示す半導体装置を特定できる半導体装置のスクリーニング装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置のスクリーニング装置は、半導体装置の特性に関する測定結果から構成される測定値集合を、所定の規則に基づき分割することで、複数の測定値部分集合を生成するデータ分割部と、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果の評価基準となる第１の評価値を算出する第１の評価値算出部と、第１の評価値に基づいて、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果を変換するデータ変換部と、データ変換部が変換した後の測定結果の評価基準となる第２の評価値を算出する第２の評価値算出部と、第２の評価値に基づいて、測定対象である半導体装置の良否を判定する判定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析技術において、解析成功率の向上や解析時間の短縮を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ショートしていると推測される一方の特定配線を特定（Ｓ１０３）し、その相手と推測される隣接配線の抽出（Ｓ１０４）をおこない、両配線間において電圧状態（論理状態）が異なる異電圧時間帯の算出（Ｓ１０７）をし、その異電圧時間帯で発生する発光現象の頻度を調査することにより、上記一方の特定配線に対して、どの隣接する配線がショートしているのかを短時間で確実に推定する。 （もっと読む）

【課題】目視による外観検査を不要としながら、高精度に効率よく半導体ウエハの外観異常を検出する。
【解決手段】検査装置により、欠陥の検出感度を標準感度にして半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ１，Ｆ２が検出される。続いて、検出感度を標準感度よりも検出感度が高い高感度に設定して、半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ３〜Ｆ６（図中、点線で示す）が得られる。そして、標準感度にて検出された欠陥箇所と高感度にて検出された欠陥箇所とが重複している欠陥箇所において、高感度にて検出された欠陥箇所（欠陥箇所Ｆ６，Ｆ３）を欠陥箇所エリアと決定し、該欠陥箇所エリアに該当する半導体チップを不良チップとする処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する半導体チップテスト方法及び半導体チップテスト装置を提供する。
【解決手段】（ａ）所定の関連を有する所定枚数の半導体ウェハ上に形成された各半導体チップについて、ウェハ状態またはチップ状態でその電気的特性を検査し、良否判定する工程と、（ｂ）前記所定枚数の半導体ウェハ上の前記半導体チップの前記判定結果から、前記判定結果がＮＧである前記半導体チップの割合を、前記半導体チップの前記半導体ウェハ上の位置を示すウェハアドレス毎に不良率として算出する工程と、（ｃ）前記不良率が閾値以上と算出された前記ウェハアドレスに係る前記半導体チップについて、前記判定結果が良の場合に当該判定結果を否に更新する工程とを備える半導体チップテスト方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像取得時間を短縮することが可能な欠陥観察方法および欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】複数の画像取得条件から選択した任意の画像取得条件を用いて検査対象である試料の表面を撮像して欠陥画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程にて取得した欠陥画像を処理して、該試料の表面上の欠陥位置を算出する欠陥位置算出工程と、前記欠陥位置算出工程にて算出した欠陥位置の確からしさである欠陥検出確度を求める欠陥検出確度算出工程と、前記欠陥検出確度算出工程にて求めた欠陥検出確度が予め定めた条件を満たすかどうかを判定する終了判定工程と、を備え、前記終了判定工程にて該条件を満たすと判断するまで、前記複数の画像取得条件から画像取得条件を選択し直し、前記画像取得工程と前記欠陥位置算出工程と前記欠陥検出確度算出工程と前記終了判定工程とを繰り返す。 （もっと読む）