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Fターム[4M106DJ24]の内容

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Fターム[4M106DJ24]に分類される特許

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【課題】不良の太陽電池になり得る素地を含む間接バンドギャップ半導体構造の検査システムを提供する。
【解決手段】光源110は間接バンドギャップ半導体構造140にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させる。ユニット114は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ112は光をコリメートする。半導体構造140はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明される。撮像デバイス130は半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、半導体構造140の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理される。 (もっと読む)


【課題】撮像手段によって表示画面上に表示された被撮像物の撮像画像に基づいて任意の部位を指定してその指定部位をドラッグするという簡単な操作で、撮像画像の指定部位を予め設定された目標位置へ移動させることにより、撮像手段と被撮像物を相対的に移動させることができる被撮像物の移動方法を提供する。
【解決手段】本発明の被撮像物の移動方法は、第2のCCDカメラ15によって所定の倍率で撮像され且つ表示画面16に表示されたプローブカード12の撮像画像のピン画像Pを指定することにより、表示画面16上でピン画像Pを十字マークCへ移動させる際に、表示画面16のピン画像Pをマウスポインタ19Aによって指定しマウス19をクリックした後、マウスポインタ19Aを十字マークCへドラッグするだけで、マウスポインタ19Aで指定したピン画像Pを第2のCCDカメラ15の中心へ移動させることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、露光シミュレーション等を行うことなく、設計データに基づいてテンプレートを作成する装置であって、実パターンの大きさに沿った画像の形成が可能なパターンマッチング用画像作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、マッチング用画像を形成するに当たり、設計データを目標パターンサイズに基づいて、縮小、或いは拡大し、当該縮小、或いは拡大が行われたパターンに基づいて、マッチング用の画像を形成するパターンマッチング用画像作成装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】設置面積を縮小させ、装置が有するケーブルを細くかつ短くすることが可能なウエハテスト装置を提供する。
【解決手段】テスト対象ウエハ13が載置されるステージ12を有する筐体11と、ステージ12上に配置され、複数のピン21を有するプローブカード20と、プローブカード20に接続され、テスト対象ウエハ13をテストするために必要な回路が形成されたテストボード19と、テストボード19が載置されたテストヘッド15と、テストヘッド15を旋回可能に支持するテストヘッド旋回装置16と、を具備するウエハテスト装置であって、前記テストヘッド15にはテスト対象ウエハ13の静特性または動特性をテストする複数のユニット25乃至29が収められるとともに、テストヘッド旋回装置16内には、電源を供給する電源ユニット23および、テストヘッド15を冷却する冷却ユニット22が収められ、ケーブル29により接続されている。 (もっと読む)


【課題】試料にダメージを加えることなく、高分解能かつ高精度で多様な情報を取得することができる半導体評価方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の第1の面側に形成された半導体素子と、半導体素子を覆うように形成された絶縁層とを有する半導体装置より成る試料を、走査型プローブ顕微鏡を用いて評価する半導体評価方法であって、試料の絶縁層が形成されている側が試料台に接するように、試料台上に試料を固定する第1のステップS3と、半導体基板の第2の面側を研磨することにより、半導体基板を所定の厚さまで薄くする第2のステップS4と、走査型プローブ顕微鏡の探針にバイアス電圧を印加し、探針を半導体基板の第2の面側に接触させ、走査を行いながら探針に流れる電流を測定する第3のステップS8とを有し、第3のステップでは、バイアス電圧を順次変化させ、各々のバイアス電圧毎に探針に流れる電流を順次測定する。 (もっと読む)


【課題】スループット良く且つ高精度で試料の欠陥の検出が可能な基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置1は、真空状態のワーキングチャンバ30と、La電子源を備えた電子光学装置70と、ワーキングチャンバへウェーハを搬出入するローダハウジング40と、ワーキングチャンバに接続され、内部が雰囲気制御されているミニエンバイロメント装置20と、を備える。ローダハウジング40は、ミニエンバイロメント装置20に接続する第1のローディングチャンバと、ワーキングチャンバに接続する第2のローディングチャンバと、第1及び第2のローディングチャンバの間の連通を選択的に阻止する第1のシャッタ装置27と、第2のローディングチャンバとワーキングチャンバとの間の連通を選択的に阻止する第2のシャッタ装置45と、を備え、第1及び第2のローディングチャンバには各々真空排気配管と不活性ガス用のベント配管とが接続される。 (もっと読む)


【課題】基板検査システムの稼働率の低下を防止することができると共に、検査プローバの製造者の工数を削減することができる基板検査システムを提供する。
【解決手段】GMS10は、ICチップの電気的検査を行う検査プローバ11及びディスプレイ39を有するPC44を備え、PC44は、利用者の所望のタイミングでディスプレイ39にGMS編集ツール50を表示し、GMS編集ツール50のフォーマット入力部51において編集された検査結果のフォーマットを表すデータを受け付け、さらに、受け付けた検査結果のフォーマットを表すデータをスクリプトに変換して検査プローバ11に送信し、検査プローバ11は、送信されたスクリプトを出力用プログラムに変換し、該出力用プログラムに応じてICチップの検査結果を出力する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造工程の所定の工程の前後で増加又は消失した欠陥を特定することが可能な半導体外観検査装置、外観検査方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置1において所定の処理が施される試料2の表面を撮像した画像に基づいてこの試料2上に存在する欠陥を検出する半導体外観検査装置20を、所定の処理の前後の一方で撮像された画像における欠陥の検出を行う欠陥検出部28と、所定の処理の前後の他方で撮像された画像のうち、欠陥検出部28により検出された欠陥箇所の画像を抽出する画像抽出部32と、を備えて構成する。 (もっと読む)


【課題】トレーサビリティのために基板に特別の仕掛けを設けることを要せず、徒に製造工程数の増加・煩雑化を招くことなく低コストで個々の素子チップの基板内座標情報を把握することを可能とし、信頼性の高いデバイスを供することに多大な貢献を果たすことを実現する。
【解決手段】チップ特定部23は、トレーサビリティの調査対象であるLSIチップの4隅部分の処理痕、即ち接触痕12、または接触痕12及びダイシング痕13の画像データと、記憶部22に記憶されている各画像データとを照合し、当該LSIチップの半導体ウェーハにおける形成位置を特定する。 (もっと読む)


【課題】 簡単な作業でウエハ上の欠陥個所を特定し、検査ステージ上は閉じた空間状態にすることが可能であり、マクロ検査工程との欠陥位置情報の共有が可能で、ウエハの回転、傾斜の自由度が大きく、検査精度と検査方法の自由度が高い半導体ウエハの検査装置を提供する。
【解決手段】 被測定物10を任意の姿勢に制御可能な検査ステージ1と、検査ステージ1上の被測定物10を撮影して画像データに変換する撮像システム2,3と、これから得られた画像データを表示すると共に画面上の任意の位置データを入力可能な表示装置5,6とを有し、被測定物の姿勢データ8から表示装置5,6に表示されている被測定物10aと相似な仮想画像9を作成し、この仮想画像9に表示装置から入力された位置データd1を反映させると共に、被測定物1の姿勢データ8を逆変換して前記位置データを内在する平面上の仮想ウエハデータ93とする構成の半導体ウエハの検査装置とした。 (もっと読む)


【課題】プローブのプリヒート時間を短縮し、プローブおよびウエハへのダメージを防止できるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】上面に半導体ウエハを載置して半導体ウエハを所定の温度に加熱または冷却するステージと、ステージを上下方向に駆動する駆動機構と、ステージの上方に設置され、半導体ウエハのボンディングパッドと接触して信号を伝達するためのプローブ針を有するプローブカードと、半導体ウエハのボンディングパッドをプローブカードのプローブ針に接触させるように駆動機構を制御する位置制御装置と、プローブ針をボンディングパッドに接触させた後の経過時間を計測する計時手段とを備え、位置制御装置は、半導体ウエハを検査する所定の温度と、プローブ針をボンディングパッドに接触させた後の経過時間とに基づいて、プローブ針にボンディングパッドが所定の歪み量で接触するように、位置補正値を加えて駆動機構の位置を制御する。 (もっと読む)


【課題】 欠陥が許容内にあるか否かをより正確に判定し得る外観検査方法および装置を提供する。
【解決手段】 被検査体11aの画像21Aの検査領域上からテンプレート(21A)との比較によって抽出された欠陥が許容内か否かを判定することを含む外観検査方法。検査領域が互いに許容度a、b、cを異にする複数のエリア28a、28b、28cに区画される。検査領域上で抽出された一つの欠陥部位27が互いに許容度を異にする複数のエリア28a、28b、28c上にわたって存在するとき、欠陥部位27の各エリア28a、28b、28c上に存在する欠陥部位部分27a、27b、27c毎に、該欠陥部位部分が存在するエリア28a、28b、28cの許容度a、b、cに基づいて該欠陥部位部分の欠陥が許容内であるか否かの予備判定を受ける。それら予備判定の結果に基づいて欠陥部位27の欠陥が許容内であるか否かの判定を受ける。 (もっと読む)


【課題】各種仕様に対して最小限の設計変更で対応でき、汎用性が高い基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板3を収納する収納容器1aからの基板3の取り出し及び収納を行なう第1の搬送部21と、この第1の搬送部21との間で基板3の受け渡しを行ない、かつ基板3に対して所望の処理を行なう装置ユニット42−1,42−nとの間で受け渡しを行なう第2の搬送部22とを備え、第2の搬送部22は、第1の搬送部21の基板受け渡し位置P1と装置ユニットの基板受け渡し位置P2、P3との間で回送する回転アーム34a、34b、34cを有し、かつ第1の搬送部21は、第2の搬送部22とは分離独立して構成され、第2の搬送部22に対し第1の搬送部21を異なる2方向に選択配置可能に回転アームの受け渡し位置P1をそれぞれ異なる方向に対し第1の搬送部21の搬送ストローク範囲内に設置する。 (もっと読む)


【課題】分析ツール上で実現されるプロシージャを促進する方法および装置を提供する。
【解決手段】装置は、前記試料上の欠陥を画像化し、高解像度画像を生成するよう構成された分析ツール(202)、およびディスプレイ装置(211)を含む。この装置は、前記少なくとも1つのディスプレイ装置中で検査器インタフェース(212)をシミュレーションするよう構成された検査器インタフェースモジュール(214)であって、前記検査器インタフェースは、対応する検査ツール上で利用可能な機能を含み、前記検査器インタフェースは、少なくとも一部は前記検査ツールからの欠陥結果に基づく、検査器インタフェースモジュールを含む。分析器モジュールは、検査器インタフェースモジュールの知識なしで実行し、その逆も成り立ち、この装置は、前記分析器および検査器インタフェースモジュールを知るよう構成される。 (もっと読む)


【課題】 ウェーハの熱処理工程で、磁場の変化を利用してウェーハの温度をリアルタイムで測定する装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハの一側表面に配置され、温度によって電気伝導度が変化する少なくとも1つの導電体構造物と、ウェーハを中心に、導電体構造物と対向して設置された磁場生成部と、導電体構造物の上方に設置される磁場測定センサーとを備えることを特徴とするウェーハ温度測定装置。 (もっと読む)


【課題】 透明な層間絶縁膜上の微細パターンおよび同一層の欠陥を感度良く検出する一方、下層のパターンおよび同一層の欠陥をデフォーカスした状態で検出し、本来検査したい工程の欠陥のみを検出可能とすること。
【解決手段】 本来同一形状となるべきパターンが複数規則的に配置された被検査物の検査装置において、解像度0.18μm以下、より好ましくは0.13μm以下となる照明波長と対物レンズ開口数の関係を備えた撮像光学系と、撮像光学系の結像位置に配置された光電変換器と 撮像光学系とは別に設けられた光路からなり入射角度85度以上、より好ましくは88度以上で照明する自動焦点光学系と、自動焦点光学系の検出信号に基づき撮像光学系の焦点位置を調節する手段と、光電変換器の電気信号を処理する手段とを、具備した構成をとる。 (もっと読む)


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