【課題】加工品を加工するためのプロセスチャンバ内のプロセスパラメータの歪みを小さくして測定を行う方法を提供する。
【解決手段】ベース１１２、センサ１２０、ならびに支持構造のフレキシブル回路基板２２２、延長リボンケーブル２２４およびフレキシブル回路基板２２６を含む電子回路モジュールが含まれる。フレキシブル回路基板２２６には、センサ装置のための電子構成部品が含まれる。センサ装置のベース１１２は、基板ホルダ２４４上に配置する。フレキシブル回路基板２２６は、ロボットアーム２５２上に支持される。フレキシブル回路基板２２６上の電子構成部品に著しい損傷を起こすことなく、普遍的に用いられる電子デバイスにとって厳しい可能性のある他の加工条件を受け入れることができるように、フレキシブル回路基板２２６を十分遠くに離す。センサ装置を用いて、加工ツールに著しい修正をせずに加工条件を測定できる。 （もっと読む）

【課題】 処理液を使用する基板処理装置においても、ワイヤレス方式でウエハの温度を測定することが可能な温度測定用ウエハを提供する。
【解決手段】 シリコンウエハから成るベース基板１１の下面に、３個の水晶振動子１ａ、１ｂ、１ｃと、これらの水晶振動子１ａ、１ｂ、１ｃに各々連結するアンテナ２ａ、２ｂ、２ｃとが配設されたプリント基板３と、フッ素樹脂製の薄板２１をこの順に積層した構成を有する。ベース基板１１とフッ素樹脂製の薄板２１とは、その周縁において、例えば摂氏２００度程度の温度で加圧加熱溶着されることにより、液密な構成となっている。 （もっと読む）

【課題】試験器インタフェース接触要素及び支持ハードウエアを清浄化するための装置を提供する。
【解決手段】試験される半導体ウェーハ、個別化ＩＣ装置、又はパッケージ化ＩＣ装置にウェーハ探針器又はパッケージ装置ハンドラ内に清浄化媒体２０を装着する段階を含み、清浄化媒体は、研磨性、粘着性、硬度のような所定の特性を有し、接触要素及びサポート構造体を清浄化する上面を有する。接触要素を清浄化媒体に接触させる段階を更に含み、それによってウェーハ探針器又はパッケージ装置ハンドラの通常の作動中にプローブ要素からあらゆるデブリが除去される。 （もっと読む）

【課題】バーンイン用ウエハをバーンイン毎に検査せずとも、半導体ウエハが正しい条件でバーンインされたことを保障することのできるバーンインシステム及びバーンイン方法を提供する。
【解決手段】バーンインシステムは、集積回路４１が形成されたチップ領域４０を複数有する半導体ウエハと、該半導体ウエハに貼り合わせた状態で、半導体ウエハに所定電圧とバーンイン信号を供給するバーンイン用ウエハを備える。そして、半導体ウエハは、集積回路４１に対応して形成された複数のテスト用回路４２を有し、テスト用回路４２には、対応する集積回路４１に供給される所定電圧とバーンイン信号が供給され、テスト用回路４２は、バーンインが正常に実行されると、バーンイン実行前と異なる状態を示しつつその状態を保持するバーンイン履歴素子を有する。 （もっと読む）

【課題】薄板化したウェハに対して、ハンドリングミスを起こすことなく安定的に支持・搬送して、デバイスの電気特性試験を容易・確実に行えるようにする。
【解決手段】ウェハ７３の表面に粘着テープ７２を貼り付け、ダイシングフレーム７１にウェハ７３を保持したまま、ダイシングフレーム７１を搬送可能な状態に形成する。この場合、粘着テープ７２は、ウェハ７３のパターン形成面７４側に貼り付けられ、ウェハ７３の外縁部が残存するように剥離して、パターン形成面７４を露出させる。また、粘着テープ７２には、剥離用のプリカットライン７５が形成されており、プリカットライン７５に沿って粘着テープ７２を簡単に剥離できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥座標に含まれている誤差を低減可能な光学式検査装置を提供する。
【解決手段】チャンネルが配列されたラインセンサと、ウエハをステージに載せてラインセンサに対して移動させる移動手段と、行列の行毎に１つ且つ列毎に１つ擬似欠陥ダイが形成され擬似欠陥ダイには複数の擬似欠陥が列方向に一列に形成されている座標管理用ウエハを検査したのを受けてチャンネル上に結像した擬似欠陥のステージ上の位置を擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０として検出するステージ位置検出手段と、擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０を擬似欠陥ダイ座標に変換する座標変換手段と、設計座標に対する擬似欠陥ダイ座標の差分ΔＸを算出する差分算出手段と、擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０に対して差分ΔＸが一定の振幅Ａ１で振動し直線Ｌ１に沿って増加又は減少する座標誤差特性パターンＣＰ１を取得する特性パターン取得手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層３が形成されたウエハ片１を、そのエピタキシャル層３の一部を残してエピタキシャル層３をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片１上に段差として残ったエピタキシャル層３の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置１０において、ウエハ片１を挟み込む開閉自在の２枚の樹脂板１１，１２と、これら２枚の樹脂板１１，１２の一方に設けられ、ウエハ片１上に形成されたエピタキシャル層３の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層３の一部と密着するエッチング防止ゴム１３とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】熱処理機構を用いて基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置において、前記熱処理機構の温度を適切に校正する。
【解決手段】温度校正装置の温度検査治具１０は、熱処理板上に載置される被処理ウェハ７０と、被処理ウェハ７０上に設けられ、温度変化に応じて抵抗値が変化する４つの測温抵抗体７１と、被処理ウェハ７０上に設けられ、測温抵抗体７１と電気的に接続され、且つ被処理ウェハ７０の温度計測時に接触子が接触する８つのコンタクトパッド７２とを有している。８つのコンタクトパッド７２は、被処理ウェハ７０の周縁部に沿って連続して配置されている。温度校正装置の制御部では、コンタクトパッド７２と接触子を介して測定される測温抵抗体７１の抵抗値に基づいて被処理ウェハ７０の温度を計測し、さらに当該計測された被処理ウェハ７０の温度に基づいて熱処理板の温度を調節する。 （もっと読む）

【課題】熱処理機構を用いて基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置において、前記熱処理機構の温度を簡易な方法で適切に校正する。
【解決手段】温度校正装置の温度検査治具１０は、熱処理板上に載置される被処理ウェハ７０と、被処理ウェハ７０上に設けられた複数のホイートストンブリッジ回路７１とを有している。ホイートストンブリッジ回路７１は、温度変化に応じて抵抗値が変化する４つの測温抵抗体７２と、接触子４１が接触する４つのコンタクトパッド７３と有している。温度校正装置の制御部では、ホイートストンブリッジ回路７１が平衡状態となるように、すなわちホイートストンブリッジ回路７１のオフセット電圧がゼロになるように、熱処理板の温度を調節する。 （もっと読む）

【課題】検査装置のインサートリングまたはヘッドプレートに対してプローブカードを位置ズレすることなく所定の位置に正確に装着することができ、特にプローブカードを繰り返し使用する場合でも一度だけプローブアライメントを行えば、その後のプローブアライメントを省略することができるプローブカードの位置決め機構を提供する。
【解決手段】本発明の位置決め機構１９は、プローブカード１２の外周縁部に互いに周方向に所定間隔を空けて設けられた３箇所の位置決め用のピン１９Ａと、これらのピンに対応してインサートリング１５の内周縁部１５Ａに互いに周方向に所定間隔を空けて設けられた位置決め用の孔１９Ｂと、を備え、位置決め用の孔１９Ｂは、その向きがプローブカード１２の径方向と実質的に一致する長孔として形成され、且つ、長孔１９Ｂの内周面全面がピン１９Ａの挿入方向に向けて徐々に縮小するテーパ面１９Ｂ_１として形成されている （もっと読む）

【課題】 高い均熱性および高い剛性を有していることに加えて、温度変化に対する平面度変化が極めて小さい半導体製造装置用ヒータユニットを提供する。
【解決手段】 ウエハを載置するための載置面１ａを有する銅やアルミニウムなどの金属からなる載置台１と、載置台１を支持するセラミックス製の支持板２と、支持板２の下面側に設けられた銅やアルミニウムなどの金属からなる保持部材３と、支持板２を下側から支持する複数の支持部材４とからヒータユニットを構成する。支持板２にはその厚み方向に複数の貫通孔２ａを設けて、これら複数の貫通孔２ａにそれぞれ挿通した複数の結合部材７で載置台１と保持部材３とを結合するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスをウエハ状態のまま検査することができるパワーデバイス用のウエハキャリアを提供する。
【解決手段】本発明のパワーデバイス用のウエハキャリア２０は、パワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行う際に、検査装置１０の載置台１１上に吸着固定して用いられ且つ複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを保持するもので、キャリア本体２１と、キャリア本体２１の第１の主面上にウエハの載置面として形成された導電性金属膜２３と、載置面に形成された真空吸着用の溝２０Ａと、載置台１１の真空吸着用の溝１１Ａと連通し且つ真空吸着用の溝２０Ａ内で開口する吸引孔２０Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェハの厚み方向他方側の電極に、ウェハの厚み方向一方側から通電することができ、半導体素子の電気的特性を精度良く測定することができる半導体素子の特性測定方法およびそれを用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１の厚み方向一方Ｘ１側の表面部に形成されたゲート電極およびソース電極から離隔して、電極接触部１４が半導体ウェハ１の厚み方向他方Ｘ２側でドレイン電極２と接触し、端子接触部１２が半導体ウェハ１の厚み方向一方Ｘ１側に露出するように、半導体ウェハ１の端部に測定用端子１０を配置する。測定用端子１０の端子接触部１２にプローブ端子１５を接触させるとともに、ゲート電極およびソース電極にプローブ端子を接触させて、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【目的】電圧測定器を接続することなく、半導体ウェハに生じたプラズマチャージアップを広い範囲にわたって迅速に検知することが可能な基板端子間電圧検知回路を提供する
【構成】半導体基板上に設けられた一対の電極間に生じた電圧を検知する基板端子間電圧検知回路は、電極間に接続された抵抗路と、抵抗路の中間点に一端が接続された回路電源と、抵抗路の両端部の一方と回路電源の他端との間に互いに並列接続されて互いに異なる溶断定格電流を有する少なくとも２つのヒューズ回路と、からなる基板端子間電圧検知回路であって、ヒューズ回路の各々は、一方と前記中間点との間の電位差に応じてオンオフするスイッチと、前記スイッチに直列接続した抵抗素子及びヒューズ素子を含んで前記回路電源の両端に接続した電流路と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度センサ周辺の熱の過渡特性が実際の基板の熱の過渡特性に近く、加熱処理ユニット内で処理される基板の実際の温度を高い精度にて測定することができる温度測定用装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る温度測定用装置は、基板２と、基板２の一方の主面に配置された温度センサ３と、温度センサ３を用いて温度を検出する回路と温度センサ３との間を電気的に接続するよう配置された導電体とを備える。温度センサ３の周囲における基板２の一方の主面には、基板２を形成する物質よりも熱容量が小さい低熱容量帯が形成されている。低熱容量帯は、温度センサ３に所定の間隔をおき、温度センサ３を取り囲むように、かつ、基板２の一方の主面から基板２の内部方向に向かって所定の深さを有するように形成されている。好ましくは、低熱容量帯は断面が凹状の溝である凹部８である。 （もっと読む）

【課題】主に、小径ウエハを確実にアライメントすることができること、ウエハを搬送してくるロボットハンドの形状に影響されることなくウエハの受け渡しが可能であることを課題とする。
【解決手段】リフト機構１７のリフトピン１８の上下動の動作が、ウエハ２０の載置部１１がＸ軸移動機構１５とＹ軸移動機構１４とによって動作する平面方向との移動動作とは無関係におこなわれるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】温度検出装置が半導体処理装置内で、または半導体処理装置間を移動して用いられる場合、温度検出装置から引き出される配線ケーブルの取り回しが常に問題となる。その上、その移動できる範囲はおよそ配線ケーブルの長さに制限される。
【解決手段】半導体基板を保持する半導体基板ホルダであって、半導体基板を保持するに替えて、温度センサを内蔵する温度検出装置を保持したときに、温度検出装置の接触端子に対応する位置に設けられた接続端子を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体加熱装置において、赤外放射温度計が、半導体加熱装置によって加熱されるウエハの温度をより正確に測定できる温度測定用ウエハ及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】半導体加熱装置１において、物体から放射される赤外線の強度を測定して温度を測定する赤外放射温度計４０を用いて、炭化珪素からなる基板２０ａと、基板２０ａの表面に形成された反射防止膜２０ｂとからなり、反射防止膜２０ｂは、炭化珪素からなり、反射防止膜２０ｂの表面粗さは、Ｒａ０．８μｍ以上である温度測定用ウエハ２０の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物汚染を低コストかつ容易に回収および分析可能な半導体基板の分析方法および分析装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に回収液の濃硫酸２を供給し、該濃硫酸２を半導体基板１との間に挟むように疎水性部材３を配置し、該濃硫酸２を前記半導体基板１に広く接触させ、前記半導体基板１の内部に含まれる金属不純物を前記濃硫酸２中へ溶解させた後、前記疎水性部材３を取り外し、前記半導体基板１および前記疎水性部材３の少なくとも一方の表面に残留する前記濃硫酸２を分析する。また、前記半導体基板１を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エッジグリップ方式チャックにおいては、定期的なメンテナンス（清掃等）が不可欠となる。しかし、清掃等のメンテナンスを行う場合、人が作業を行う以上作業にムラが生じる可能性を否定できない。また、人を介することで新たな塵を付着させたり傷を付けたり、部品を破壊したりといったリスクも考慮しなければならない。
【解決手段】本発明は上記課題を解決するためにウエハチャックを検査光学系より後方に移動し、前記検査光学系より後方で、前記ウエハチャックを清掃することを特徴とする。また、本発明は、ウエハチャックヘ供給される空気の流量と、前記ウエハチャックへ供給される空気の排気量を制御することを他の特徴とする。 （もっと読む）