【課題】ストレスインデックスが低いアンダーフィル材を用いた高信頼性のフリップチップ型半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板、配線基板２にフリップチップ接続された半導体素子、配線基板と半導体素子の間隙を充填するアンダーフィル材４から構成される半導体装置で、アンダーフィル材の硬化後の硬化物のガラス転移温度が９０℃〜１３０℃であり、２５℃での線膨張係数が１５〜３０ｐｐｍ／℃であり、２５℃での弾性率が３〜７ＧＰａであり、かつ２５℃での線膨張係数と２５℃での弾性率の積であるストレスインデックスが１００以上１５０以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有し、かつ、熱硬化温度を低減でき、さらに、柔軟性にも優れるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物からなる封止層、シリコーン樹脂組成物を含有するリフレクタ、および、それらを備える光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、水酸基含有ポリシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物からなる封止層７を、光半導体装置１１に設ける。
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【課題】鉛フリーはんだ組成のＢＧＡ等のはんだバンプを形成し半導体装置と実装用基板を接続する半導体パッケージにおいて、耐衝撃特性に優れ、高い接続信頼性を有する半導体パッケージ等の電子部品装着を提供する。
【解決手段】ＧＡ等のはんだ端子を有する半導体装置１と半導体装置と接続する実装用基板３、半導体装置と実装用基板の間に介在させるアンダーフィル４からなる半導体パッケージ等の接続構造に対して、アンダーフィルにダイラタンシー特性を有する組成を用いることによって、落下等の衝撃に対してはんだ接合部にかかる衝撃を劇的に緩和し、耐落下等の衝撃特性を向上させることを可能にした。また、アンダーフィルにはんだ接合部に対して酸化防止効果を有する組成を選択することによって、経時での接続信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の故障の可能性を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子１０と、半導体素子１０に積層される第１電極部材２１と、半導体素子１０を挟んで第１電極部材２１の反対側に積層される第２電極部材２２と、半導体素子１０と第１電極部材２１とを接合する第１半田３１と、半導体素子１０と第２電極部材２２とを接合する第２半田３２と、を備えている。第２電極部材２２は、半導体素子１０と電極部材２１，２２との積層方向に伸びる絶縁性の複数の支柱２２ａ〜２２ｄを有している。また、複数の支柱２２ａ〜２２ｄは、半導体素子１０の配置領域Ａと異なる領域Ｂに位置し、且つ、半導体素子１０が回転した場合に半導体素子１０に接触する領域Ｃにおいて回転方向に不均一な間隔ａ，ｂでそれぞれが配置されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品付き基板を封止する樹脂部におけるラジアル形電子部品と回路基板との間に残存する気泡の量（残存量）を減少（あるいは解消）させて、前記気泡に起因するラジアル形電子部品のリード線の断線等の不都合を防止して電子部品付き基板の長期信頼性を高めることができる電子回路装置の製造方法、電子回路装置の提供。
【解決手段】回路基板２１にラジアル形電子部品２２をそのパッケージ部２２ａが回路基板２１から張り出す張出部２２ｄを形成するようにオフセットして実装した電子部品付き基板２０をケース１０の基板収容凹所１１に収容し、電子部品付き基板を封止する樹脂部を形成するための液状樹脂材料Ｒをラジアル形電子部品２２の張出部２２ｄに当てるようにして基板収容凹所１１内に注入して充填し硬化させて樹脂部を形成する電子回路装置の製造方法、電子回路回路装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】接合用電極端子による接合の信頼性を高め、各層半導体パッケージの半導体素子間の発熱の影響を小さくする。
【解決手段】積層型半導体パッケージ１１は、プリント配線基板２、及びプリント配線基板２に実装された半導体素子１を有する半導体パッケージ４を備えている。また、積層型半導体パッケージ１１は、プリント配線基板６、及びプリント配線基板６に実装された半導体素子５を有する半導体パッケージ８を備え、半導体パッケージ４，８が積み重ねられて３次元実装される。半導体パッケージ８は、互いに対向する２つのプリント配線基板２，６を接合する複数の接合用電極端子７を有する。そして、２つのプリント配線基板２，６で挟まれた領域Ｒのうち、複数の接合用電極端子７の間隙を含む領域Ｒ１に、２つのプリント配線基板２，６間に介在する半導体素子１と非接触状態でアンダーフィル材９が充填されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明はハロゲン化合物やアンチモン化合物などの難燃剤を使用することなく、その硬化物において難燃性を示す半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物であって、該エポキシ樹脂が、下記式（１）
【化１】


（式中、ｎは平均の繰り返し数を示す。）
におけるｎが１．０以上３．０以下であるフェノール樹脂と、フェノール樹脂の水酸基当量に対して３〜１０倍モルのエピハロヒドリンとを反応させて得られるエポキシ樹脂であるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】接合材を介した金属接続板の接合の良否の確認を容易にすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１２と、半導体素子１２が実装されるアイランド１４と、金属接続板１６を介して半導体素子１２と電気的に接続されたリード２０と、半導体素子１２等を封止する封止樹脂３８とを主要に有する構成となっている。そして、金属接続板１６の端部には凹部２８が設けられ、この凹部２８から露出する接合材３１の存在の有無を確認することによって、接続の良否が判定可能である。 （もっと読む）

【課題】フィラによる電子部品の傷、破損、機能低下のない電子部品ユニットを提供すること。
【解決手段】両側に電子部品２０、２１が取付けられた回路基板３０を、ケース１０の底部１２に設けられた支持部１７に装着し、ケース１０の側壁部１６と回路基板３０の側端部３１との間隙Ｈが開口部１１から注入されるフィラ４２入り樹脂４０のフィラ４２粒径より大きく設定され、注入されるフィラ４２入り樹脂４０を、ケース１０における開口部１１側の上部空間部１４及び底部１２側の底部空間部１５に充填する電子部品ユニットであって、ケース１０の支持部１７の一部を切り欠いて段部１８を形成し、回路基板３０の下方端面部３２と段部１８との間隙Ｇをフィラ４２の粒径より小さくし、上部空間部１４から底部空間部１５にフィラ４２が流入して底部空間部１５内に位置する回路基板３０の電子部品２１に隣接させないようにする。 （もっと読む）

【課題】良好な塗布作業性を持ち、封止樹脂と基材の接着信頼性が高く、光照射や加熱に対して高い耐変色性を有するプライマー材料、及びそれを使用する発光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）：
Ｒ¹_XＲ^２_YＳｉ（Ｒ³）_4-X-Y ・・・（１）
（式中、Ｒ¹及びＲ^２は独立に水素原子、又は反応性置換基を一個以上有してもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基を示す。Ｒ³は塩素原子、水酸基もしくは炭素原子数１〜３０の非置換もしくは置換のアルコキシ基又はアリールオキシ基を示す。Ｘは１〜２の整数であり、Ｙは０〜１の整数であり、Ｘ＋Ｙは１又は２の整数である。）
で表される少なくとも１種のシラン化合物及び／又はこれらの部分加水分解縮合物、
（Ｂ）ルイス酸性の有機アルミニウム化合物、並びに、
（Ｃ）有機溶媒、
を含有してなるプライマー組成物。 （もっと読む）