【課題】封止樹脂層の形成に使用する樹脂の量を削減する。
【解決手段】本発明の一態様による樹脂封止モジュールの製造方法は、プリント基板１の第１の領域に電子部品２を実装し、第２の領域に電子部品２よりもプリント基板１の表面からの高さの高い電子部品３を実装し、電子部品２，３が実装されたプリント基板１を、モジュールケース６内にプリント基板１の裏面がモジュールケース６の底板と対向するように格納し、モジュールケース６内に熱硬化性樹脂４Ａを注入し、プリント基板１および電子部品２を熱硬化性樹脂４Ａ中に埋設し、平板部２１と平板部２１の表面から凸設された凸部２２とを有するモールド部材２０を、凸部２２がモジュールケース６内の熱硬化性樹脂４Ａに浸漬し且つ電子部品２の上方に位置するように位置決めし、熱硬化性樹脂４Ａを加熱して硬化させ、モールド部材２０を硬化した樹脂から取り外す。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定した５ｒｐｍでの粘度をＡ１（Ｐａ・ｓ）、０．５ｒｐｍでの粘度をＡ２（Ｐａ・ｓ）としたとき、Ａ１とＡ２／Ａ１とが図１の実線及び破線で囲まれた範囲内（ただし、実線上は含むが破線上は含まない）であり、前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記硬化剤の配合量が５〜１５０重量部、前記無機充填剤の配合量が６０〜４００重量部である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】高温高湿信頼性とともに連続成形性に関しても優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分とともに、下記の（Ｅ）および（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）ハイドロタルサイト化合物。
（Ｆ）酸価が１０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであるカルボキシル基を有するワックス。 （もっと読む）

【課題】外観が良好な高品質のカードを提供する。
【解決手段】ＩＣモジュール１０がカード基材と一体化されてＩＣカードが形成される。ＩＣモジュール１０は、モジュール基板１１に設けられたＩＣチップ１２と、ＩＣチップ１２に電気的に接続されたアンテナ接続用端子１１ｃと、モールド部１４とを含む。アンテナ接続用端子１１ｃは、ＩＣモジュール１０と一体化するカード基材に設けられるアンテナに、導電部材を用いて電気的に接続される。モールド部１４は、チップ封止部１４ａと、アンテナ接続用端子１１ｃに設けられたダム枠部１４ｂとを有する。ダム枠部１４ｂを設けることで、カード基材との一体化の際に用いられる導電部材の流出が抑えられ、カードの外観不良の発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】耐湿性が確保された複数の樹脂材料で回路基板が樹脂封止された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置は、上面に回路素子が配置された回路基板１４の上面および側面を第１封止樹脂１８で被覆し、回路基板１４の下面および第１封止樹脂１８の側面を第２封止樹脂２０で被覆している。また、第１封止樹脂１２の下面を部分的に突起させて樹脂突起部１２とし、この樹脂突起部１２の側面を第２封止樹脂２０で被覆することで、第１封止樹脂１８と第２封止樹脂２０との密着強度を向上させている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の一面１０ａの一部が露出部１１として樹脂２０より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ１０の一面１０ａ側にて、露出部１１の周囲に位置する樹脂２０は、露出部１１側が広く露出部１１から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴２２とされた錐体形状をなす空間部２１を形成しており、露出部１１は空間部２１に位置し、穴２２を介して樹脂２０の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形時におけるワイヤーの変形を低減できる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明の粉粒状の封止用エポキシ樹脂組成物は、平坦な底面を有するアルミ箔容器の前記底面の全面を覆うようにエポキシ樹脂組成物をアルミ箔容器に収容し、大気圧下１７５℃の雰囲気下で３分間加熱することにより前記エポキシ樹脂組成物を硬化させたとき、硬化した前記エポキシ樹脂組成物の前記底面に接する面において形成された空隙の面積が、硬化した前記エポキシ樹脂組成物の前記底面に接する面の総面積に対して４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】均一に半硬化させることができるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物を半硬化させて得られるシリコーン樹脂シート、そのシリコーン樹脂組成物を硬化させて得られる封止層を有する光半導体素子装置、および、シリコーン樹脂シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】
シリコーン樹脂組成物に、少なくとも２つの不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサンと、不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、ヒドロシリル化抑制剤とを含有させる。 （もっと読む）

【課題】従来の発光装置では、配線基板に設けられた凹部に発光素子を実装し、透明なエポキシ樹脂が発光素子を覆うように盛り上がった状態で封止されており、このような状態では、発光素子を覆うエポキシ樹脂の厚みの分、薄型化が阻まれるという課題があった。
【解決手段】従来の課題を解決するために、本発明の発光装置は、基板と発光素子を備えた発光装置であって、基板は、凹部と、配線とを備え、凹部は、底面と底面に接続された側面とからなり、配線の一部は、ボンドエリアであり、配線の他の一部は、外部接続電極であり、凹部内には発光素子が配置され、発光素子の下面と前記ボンドエリアはバンプにより電気的に接続されており、凹部の底面と発光素子の下面との間、及び凹部の側面と発光素子の側面との間には充填材が充填されており、発光素子の上面は充填材から露出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硬化後の樹脂組成物中でのマイグレーションを防止し、かつ樹脂組成物の保存中の硬化反応を抑制する、具体的には、樹脂組成物を液状で使用する場合の保存中の増粘を抑制することを課題とする。したがって、保存特性に優れ、硬化後には耐マイグレーション性に優れた高信頼性の樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）特定構造のトコール類およびトコトリエノール類等の化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする、樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有し、かつ、熱硬化温度を低下させることができ、さらに、柔軟性にも優れるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物からなる封止層、シリコーン樹脂組成物を含有するリフレクタ、および、それらを備える光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より多いモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含有するシリコーン樹脂組成物から形成される封止層７を、光半導体装置１１に設ける。
【化１】 （もっと読む）

【課題】 ２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤と、（ｃ）酸化防止剤と、を含有する、半導体用接着剤組成物であり、前記（ｃ）酸化防止剤がヒンダードフェノール類を含む、半導体用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 良好な透明性を有する硬化物を与える光半導体封止用硬化性組成物、及び該光半導体封止用硬化性組成物を硬化して得られる硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）直鎖状ポリフルオロ化合物、（Ｂ）SiH基及び含フッ素有機基を有する環状オルガノシロキサン、（Ｃ）白金族金属系触媒、（Ｄ）SiH基、含フッ素有機基及びエポキシ基を有する環状オルガノシロキサン、（Ｅ）SiH基、含フッ素有機基及び環状無水カルボン酸残基を有する環状オルガノシロキサンを含有する光半導体封止用硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および第１の無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、第２の無機充填材の粉末材料に対し、表面処理を行う表面処理工程と、粉砕後の前記原材料と、表面処理された前記第２の無機充填材とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を混練する混練工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の封止に汎用性の高い絶縁材料を用いるも、所期の小径とされた微細な貫通電極を有し、更なる微細化を可能とする信頼性の高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵基板２０は、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂ（大径の無機フィラー９ａを含有する。）と、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂ内に設けられた電子部品２Ａ，２Ｂと、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂを貫通する貫通電極８とを備え、貫通電極８は、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂに形成された第１の貫通孔５に第２の絶縁層６（無機フィラー９ａよりも小径の無機フィラー９ｂを含有する。）が埋め込まれ、第２の絶縁層６に第１の貫通孔５よりも小径の第２の貫通孔７が形成され、第２の貫通孔に導電材料８ａ，８ｂが配されて構成される。 （もっと読む）

【課題】フィルム状である絶縁材料の強度を高くすることができるか又は絶縁層の強度を高くすることができ、更に絶縁材料の溶融粘度を低くして、接続構造体における導通性を良好にすることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、数平均分子量が１００００以上、２５００００以下であるポリマーと、分子量が１０００以上、１００００未満である第１の硬化性化合物と、分子量が１０００未満である第２の硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板と半導体チップとを電気的に接続する複数の導電性ワイヤが固定された後における、当該導電性ワイヤ同士の短絡を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の樹脂材料ＲＳが塗布された後に、導電性ワイヤＷＲにより接続パッドＰＤ１と電極パッドＰＤ２とがワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされる工程以降に、第１の樹脂材料ＲＳが固化される。基板ＳＵＢと半導体チップＣＨＰとは、第２の樹脂材料ＭＲＳが供給および硬化されることにより封止される。ワイヤボンディングする工程においては、第１の樹脂材料ＲＳの内部における複数の導電性ワイヤＷＲ同士が互いに接触しない。第１の樹脂材料ＲＳが軟化する温度は、第２の樹脂材料ＭＲＳが供給および硬化されることにより封止される工程以降の工程における処理温度より高い。 （もっと読む）

【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】２００℃程度の高温条件で回路部材同士の接続を行った場合でも、回路部材の反りを十分に抑制できる接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられるものであって、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び、架橋反応性基を有し且つ重量平均分子量が３００００〜８００００であるアクリル系共重合体を含有する。当該接着剤組成物を温度２００℃で１時間加熱して得られる硬化物は、−５０℃における貯蔵弾性率が２．０〜３．０ＧＰａであり且つ１００℃における貯蔵弾性率が１．０〜２．０ＧＰａであるとともに、−５０〜１００℃の範囲における貯蔵弾性率の最大値と最小値との差が２．０ＧＰａ以下である。 （もっと読む）