【課題】硬化物の靭性、硬化時の反応性、硬化物の耐吸湿性に優れ、かつ常温時の反りも抑制できる半導体封止用液状樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】主剤として常温で液状のエポキシ樹脂およびエピスルフィド樹脂、硬化剤として次式（I）
【化１】


（式中、Ｒ¹は水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表されるジアミン硬化剤およびフェノール硬化剤、および無機充填剤を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
基板上の水銀めっきが変色しにくく、その反射率の低下が抑制される発光体およびこの発光体を具備する照明装置を提供する。
【解決手段】
発光体１は、一面２ａ側に銀めっきを有する基板２と、銀めっきの表面上に形成された金属または金属酸化物からなる保護層３と、基板２の一面２ａ側に実装されたＬＥＤベアチップ４と、第１の樹脂およびこの第１の樹脂よりもガス透過率の低い第２の樹脂の混合物を有し、この混合物内に蛍光体１６が含有されてＬＥＤベアチップ４および保護層３を封止する透光性の封止樹脂５とを具備している。 （もっと読む）

【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子２を基板３に実装して形成された半導体装置４に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物１を前記半導体素子２の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子２と前記基板３とが接着されている。前記半導体素子２と前記基板３との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物１が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が２〜１５０の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物１全量に対して０．１〜３０質量％含有されている。前記エポキシ樹脂組成物１のチクソ指数が３．０〜８．０である。 （もっと読む）

【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】樹脂が可撓性回路基板を伝って基板よりも外側にはみ出すことを適切に防止する構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、金属基板と、金属基板上に配置される半導体素子と、金属基板上に一端が配置され、半導体素子と電気的に接続される可撓性回路基板であって、金属基板の縁部を越えて金属基板の外側に延在する可撓性回路基板と、金属基板の外周縁部のうちの、少なくとも、可撓性回路基板が越えて延在する金属基板の縁部に配置され、該縁部では可撓性回路基板上に設けられる樹脂壁部７０と、樹脂壁部７０よりも内側で金属基板を覆うように設けられる樹脂封止部７２とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子材料分野や光半導体封止に適したエポキシシリコーン樹脂の提供。
【解決手段】一般式（１）で表され、エポキシ当量が２００〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシシリコーン樹脂。


（式中、Ｅ₁はエポキシ基を有する１価の有機残基であり、Ｚはノルボルネン構造を有する2価の基である。） （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージ製造システムにおいて、個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させるとともに、発光色の多様な色調調整が可能な樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、種類の異なる蛍光体を含む２種類の樹脂８を順次試し塗布し、試し塗布された樹脂８を対象として発光特性を測定した測定結果に基づいて２種類の樹脂８についてそれぞれ適正樹脂塗布量を導出し、導出された適正樹脂塗布量を塗布制御部３６に指令して複数のディスペンサ３３Ａ，３３Ｂによって２種類の樹脂８を同一のＬＥＤ実装部４ｂのＬＥＤ素子に順次塗布する。 （もっと読む）

【課題】硬化反応性に優れ、かつ、硬化物が優れた耐リフロークラック性を有する電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂とエピスルフィド変性エポキシ樹脂とを含む硬化性化合物と、硬化剤及び任意に硬化促進剤とを含有し、硬化剤及び硬化促進剤の活性水素のモル数Ｈと、エポキシ樹脂及びエピスルフィド変性エポキシ樹脂のエポキシ基とエピスルフィド基との合計モル数Ｅとの比率Ｈ／Ｅが０．０４〜０．２である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なＬＥＤ光源装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ光源装置Ａ１は、複数のＬＥＤチップ４０と、複数のＬＥＤチップ４０を支持する基板１０および絶縁部材２０を備えている。基板１０は、ｚ方向における一方側を向く主面１１を有しており、基板１０には、ｚ方向における他方側へ凹む複数の凹部１２が形成されており、複数のＬＥＤチップ４０のいずれかである第１のＬＥＤチップ４０が、上記複数の凹部１２のいずれかである第１の凹部１２に設置されている。ＬＥＤ光源装置Ａ１は、絶縁部材２０の主面２１に設けられ、第１のＬＥＤチップ４０と導通する金属膜３０と、第１のＬＥＤチップ４０を覆うように第１の凹部１２に充填された第１の透光樹脂５１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施形態によると、（ａ）ＩＣ基板上に形成されたバンプパッド上にスズ系金属メッキ層を形成する段階と、（ｂ）ベアチップの電極パッド上にＣｕフィラーを形成する段階と、（ｃ）ベアチップのＣｕフィラーをＩＣ基板の金属メッキ層に載置し、Ｃｕフィラーと金属メッキ層とを接合させる段階と、（ｄ）接合されたＩＣ基板とベアチップとの間を絶縁体で充填する段階と、を含むスズメッキを利用した半導体チップパッケージの製造方法が提案される。また、その方法により製造された半導体チップパッケージが提案される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの積層数が多くなっても、それらの隙間に充填されるアンダーフィル材が水平方向に過度に拡がることのない半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置１０は、一主面に凹部５ａを形成した支持基板５と、凹部５ａ内に収容された複数の半導体素子１ａ〜１ｄからなる積層体４と、凹部５ａ内に充填され、積層体４を封止するアンダーフィル材６とを具備する。積層体４は、凹部５ａの底面側に配置された貫通電極を有しない半導体素子１ａと、この半導体素子１ａ上に一段または多段にフリップチップ接続された貫通電極２ｂ〜２ｄを有する半導体素子１ｂ〜１ｄからなる。 （もっと読む）

【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂により半導体チップの電極形成面が封止され、再配線基板と実装基板との対向領域に封止樹脂が充填された半導体装置を、安価で提供すること。
【解決手段】再配線基板は、第１ランド及び第２ランドを同一面に有するとともに、これらランドの形成面が半導体チップの一面に対向配置されている。第２ランドは、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内であって、半導体チップとの距離が第１ランドよりも遠い位置に設けられている。実装基板は、半導体チップに対して再配線基板と反対側に配置されており、第３ランドは、半導体チップとの対向面において、半導体チップとの対向領域を取り囲む外周領域内に設けられている。そして、封止樹脂は、再配線基板と実装基板との対向領域に充填されて、再配線基板と実装基板の両方に接触しつつ、半導体チップの電極形成面を封止している。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、電子部品構成部材との接着性、低応力性に優れた電子部品用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された信頼性（耐湿性、耐熱衝撃性）の高い電子部品装置を提供する。
【解決手段】電子部品の封止に用いられる電子部品用液状樹脂組成物であって、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）シリコーン重合体粒子、（Ｄ）無機充填剤を含有する電子部品用液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化後、可視光から近紫外光の反射率が高い熱硬化性光反射用樹脂組成物、それを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料、および（Ｆ）カップリング剤を含有する熱硬化性樹脂組成物において、熱硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、熱硬化前には室温（２５℃）で加圧成型可能なことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ・パッケージにおけるアンダーフィル工程の改良に関するものであり、接合部分（電極端子）の補強を確実にすると共に、フィレットを好適な形状で形成し、半導体素子（チップ）の剥離，クラックなどの発生を抑制し、接続信頼性の高い半導体装置を得ることのできる半導体パッケージ用基板を用いた半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の表面に半導体素子をフリップチップ実装して、配線基板と半導体素子との間をアンダーフィル樹脂で封止する工程を備える半導体パッケージの製造方法において、実装される半導体素子の４隅近傍にあたる配線基板の表面に、充填されるアンダーフィル樹脂を堰き止めるためのブロック状の部材を配置形成する工程を具備することを特徴とする半導体パッケージの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】長期間使用時におけるクラックや剥離の発生がなく、ガスバリア性と密着性に優れた半導体デバイス用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）を含む熱硬化性樹脂組成物であり、
該熱硬化性樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリシロキサンと（Ｂ）エポキシ化合物のエポキシ当量の合計が６００〜１５００ｇ／当量であり、
かつ、該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物の、動的粘弾性測定による１５０℃における貯蔵弾性率が、５．００×１０^５〜１．５０×１０^７Ｐａであることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
（Ａ）ポリシロキサンのエポキシ当量が８００〜２０００ｇ／当量であり、かつ、下記式（１）で表されるポリシロキサン
（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）_a（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄ（Ｏ_１／２Ｒ^７）_ｅ ・・・（１）
（Ｂ） エポキシ化合物
（Ｃ） 硬化剤
（Ｄ） 硬化触媒 （もっと読む）

【課題】硬化物の変色が抑制され、反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】銀メッキされた銅製のリードフレーム６に接続された光半導体素子３を、付加硬化型シリコーン樹脂組成物７で封止した光半導体装置１−１であって、前記付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）アリール基及びアルケニル基を含有し、エポキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を少なくとも２個有し、かつアリール基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、ＨＲ_２ＳｉＯ_０．５単位を構成単位のうち３０モル％以上含むオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記成分（Ａ）中のアルケニル基に対する前記成分（Ｂ）中のヒドロシリル基のモル比が０．７０〜１．００となる量、及び（Ｃ）ヒドロシリル化触媒：触媒量を含有するものであることを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】使用前に蛍光体の沈降を抑制でき、また複数の光半導体装置を作製したときに、得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきが生じ難い光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表され、かつアリール基及びアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有さない）と、下記式（５１）で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第２のオルガノポリシロキサンの全構造単位１００モル％中、ジフェニルシロキサン構造単位の割合の割合は３０モル％以上。
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