【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。
Ｔｉ／Ｔｃ≧１．５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子２を基板３に実装して形成された半導体装置４に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物１を前記半導体素子２の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子２と前記基板３とが接着されている。前記半導体素子２と前記基板３との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物１が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が２〜１５０の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物１全量に対して０．１〜３０質量％含有されている。前記エポキシ樹脂組成物１のチクソ指数が３．０〜８．０である。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能なＬＥＤパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるＬＥＤパッケージ用基板であって、ＬＥＤチップの第１の電極に電気的接続するためのダイパッドおよびＬＥＤチップの第２の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、トランスファ成形によりダイパッドとリードとの間の抜き孔に充填され、かつ、リードフレームの表面上の端部にダム部を成形する樹脂とを有する。 （もっと読む）

【課題】硬化反応性に優れ、かつ、硬化物が優れた耐リフロークラック性を有する電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂とエピスルフィド変性エポキシ樹脂とを含む硬化性化合物と、硬化剤及び任意に硬化促進剤とを含有し、硬化剤及び硬化促進剤の活性水素のモル数Ｈと、エポキシ樹脂及びエピスルフィド変性エポキシ樹脂のエポキシ基とエピスルフィド基との合計モル数Ｅとの比率Ｈ／Ｅが０．０４〜０．２である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】パッケージを用いることなく、半導体集積回路の耐湿性も含めた信頼性が確保されて実装できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。絶縁膜１０３は、例えば、窒化シリコンなど耐湿性に優れた絶縁材料から構成するとよく、膜厚は０．２〜０．３μｍ程度に形成されていればよい。また、第２基板１０４は、例えば、シリコン基板であればよい。シリコン化合物からなる絶縁膜１０３と、シリコン基板からなる第２基板１０４であれば、例えば、１０^-5Ｐａ程度の高真空状態で、適宜に加圧することで、直接接合により貼り合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に得られる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板１６を用意し、電極部４が上に設けられた光半導体層３とベース基板１６とを厚み方向に対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、光半導体層３をベース基板１６にフリップチップ実装し、ベース基板１６の上に、光半導体層３および電極部４を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を形成し、封止樹脂層１４の上側部を、光半導体層３が露出されるように除去し、シート状に形成された蛍光体層１７を、光半導体層３の上面と接触するように形成して、蛍光体層１７、光半導体層３および電極部４を備える発光ダイオード素子２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ応力に起因する回路部品の電気特性変動のバラツキによって出力信号が変動する内部回路について、パッケージ応力に起因する出力信号の変動を防止する。
【解決手段】半導体チップ５に形成された内部回路はその回路を構成する複数の回路部品の電気特性の変動のバラツキによって出力信号が変動するものである。チップタブ３の平面サイズは半導体チップ５の平面サイズよりも小さい。上方から見てチップタブ３の配置位置の全部が半導体チップ５の配置位置と重なっている。さらに、封止樹脂１３に起因して半導体チップ５に加わる応力の大きさがチップタブ３上で均一になる位置関係でチップタブ３の周縁と上記半導体チップ５の周縁は間隔をもって配置されている。上記回路部品は半導体チップ５内部で上記チップタブ３上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズを外部に放射しない点より信頼性の高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の上面から下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、回路基板の上面側に搭載された半導体素子と、半導体素子および導電部材を封止し、回路基板の上面に設けられた封止樹脂層と、封止樹脂層と、回路基板の端部の一部と、を覆う導電性シールド層と、を備える。複数のビアのいずれかと、導電性シールド層と、は、電気的に接続され、第２配線層を構成する複数の配線のいずれかは、グランド電位になることが可能であり、グランド電位になることが可能な第２配線層のそれぞれは、複数のビアのいずれかに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高温動作によるヒートサイクルに対する耐久性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に半田層３を介して接合された半導体チップ４とを備え、半導体チップ４とともにヒートスプレッダ２がモールド樹脂によって樹脂封止された構成において、半導体チップの４配設領域を囲むように配設され、極性基を含み、曲げ強度およびガラス転移温度がモールド樹脂５よりも大きな樹脂材で構成されたガード１を備えている。 （もっと読む）

【課題】耐落下衝撃性に優れる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁樹脂を含むコア層９を有するパッケージ基板７、該パッケージ基板に搭載され、周囲を封止材６により封止された少なくとも１つの半導体素子５、及び、該パッケージ基板をマザーボード２に接続するための接続用電極としてのはんだバンプ４を有する半導体パッケージ１において、該絶縁樹脂の下記式（１）で表される特性値Ａが１．４ＭＰａ以下である半導体パッケージ。


Ｔ１：封止温度（℃）、Ｔ２：はんだバンプの融点（℃）、Ｅ_T2：はんだバンプの融点における絶縁樹脂の弾性率（ＭＰａ）、α（Ｔ）：Ｔ℃のときの絶縁樹脂の熱膨張係数（℃^-1） （もっと読む）

【課題】熱放散容量を増加した発光ダイ・パッケージを提供する。
【解決手段】ダイ・パッケージ１０は、基板２０、反射板４０、およびレンズ５０を含む。基板は熱伝導性ではあるが電気的には絶縁性の材料から作られ、取り付けパッドにおいて外部電源を発光ダイオード（ＬＥＤ）に接続するための複数のトレースを有する。反射板は、基板に結合され、取り付けパッドを略囲む。レンズは、反射板に対して自由に動け、それを濡らし接着するカプセル材によって上げたり下げたりでき、ＬＥＤチップから最適距離に置かれる。レンズは、装置の性能に影響する化学物質の任意の光学的システムで被覆することができる。動作中にＬＥＤから生成される熱は、ＬＥＤから基板（底部ヒート・シンクとして働く）および反射板（上部ヒート・シンクとして働く）の両者によってうばわれる。反射板は、ＬＥＤから光を所望の方向に向けるための反射面を含む。 （もっと読む）

本発明は、前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を含む再構成ウエハ（１）の製造方法に関する。この方法は、次のステップ、すなわち、
−チップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せるステップと、
−チップを封止するために支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させるステップと、
−その樹脂（５０）を硬化させるステップと、
を含む。さらに、この方法は、樹脂堆積ステップの前に、チップの上に、チップを位置決めするための支持ウエハ（４０）であって、チップの１つの面上（１２、１３）に載せられる部分を有する支持ウエハ（４０）を接合するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー化による環境負荷低減を実現しつつ、信頼性の高い半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、第１主面と、当該第１主面と反対側に位置する第２主面との間に電流経路を有する半導体チップ２と、第１主面と対向領域を有する第１の導電性フレーム（ダイパッド）３と、第２主面に形成されたパッドと電気接続手段（ワイヤ）を介して電気的に接続される第２の導電性フレームとを備える。また、第１主面と第１の導電性フレーム３の間隙には、これらの対向領域の中心から描かれ、直径が対向領域の短辺と一致する円内に配置され、第１の導電性フレーム３と半導体チップ２を電気的に接続する複数の柱形状の鉛フリー半田５と、複数の柱形状の鉛フリー半田５の間に充填された充填材４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドの一面上に、接着剤を介してセラミック基板を接続してなる電子装置において、接着剤の材料に制約を設けたり、接着後の洗浄処理を行ったりすることなく、接着剤の加熱硬化時に接着剤から発生する飛散物がダイパッドやセラミック基板へ付着するのを防止する。
【解決手段】ダイパッド１０とセラミック基板２０との間において接着剤３０の周囲に、接着剤３０と接着剤３０の外側とを区画する障壁層４０を設け、この障壁層４０によって、加熱時における飛散物の接着剤３０の外側への漏れを防止する。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を介して基板と電子部品とを接続したものを、接着補助剤を介してモールド樹脂で封止してなる電子装置において、接着補助剤の溶剤が導電性接着剤に浸透するのを防止する。
【解決手段】基板１０の一面に搭載された電子部品２０と、電子部品２０と基板１０の一面との間に介在する導電性接着剤３０と、基板１０の一面、電子部品２０および導電性接着剤３０を封止するモールド樹脂４０と、基板１０の一面とモールド樹脂４０との間に介在し、モールド樹脂４０の接着性を確保する接着補助剤５０とを備える電子装置において、導電性接着剤３０のうちモールド樹脂４０と接する面には、当該面を被覆して保護する保護材６０が設けられ、当該面は保護材６０を介してモールド樹脂４０に接しており、保護材６０と接着補助剤中の溶剤５０とは、溶解度パラメータの差が３以上の材料よりなる。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性の樹脂により被覆された半導体素子を備えた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、搭載領域と、この搭載領域に隣接する周辺領域とを有する回路基板２を準備する工程と、前記搭載領域上に半導体素子１を搭載する工程と、半導体素子１の側面および前記周辺領域上を第１の樹脂３ｂにより被覆する工程と、第１の樹脂３ｂから露出した半導体素子１の表面および第１の樹脂３ｂ上を第２の樹脂３ａにより被覆する工程とを備え、第１の樹脂３ｂは第２の樹脂３ａより高い流動性を有し、第２の樹脂３ａは第１の樹脂３ｂより高い熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の両面での熱膨張のバランスが向上したことにより、反りが低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】一面２ａに接続パッド３を有し、他面２ｂに前記接続パッド３と電気的に接続された複数のランド４を有する配線基板２と、前記配線基板２の一面２ａに搭載された少なくとも１以上の半導体チップ５と、前記半導体チップ５に設けられた電極パッド６と、前記電極パッド６と前記接続パッド３とを電気的に接続するワイヤ７と、少なくとも前記半導体チップ５と、前記ワイヤ７と、前記配線基板２の一面２ａとを覆う絶縁性樹脂からなる第１の封止体１１と、前記配線基板２の他面２ｂを覆う絶縁性樹脂からなる第２の封止体１２とを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂がケース１０とカバー２０に垂れることを防止することが可能な超音波センサ装置１００を提供すること。
【解決手段】ケース１０とカバー２０にて囲まれる空間７０に電子回路３０（回路基板３１、電子部品３２ａ、電子部品３２ｂなど）が収納されて、封止剤４０にて封止された超音波センサ装置１００であって、カバー２０は、ケース１０の側壁１１１〜１１４の内側であり、側壁１１１〜１１４の端面１１１ａ，１１１ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１３ａ，１１４ａと同一もしくは、側壁１１１〜１１４の端面１１１ａ，１１１ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１３ａ，１１４ａよりも底面１１７側に配置された状態でケース１０の開口を塞ぐ。 （もっと読む）

【課題】不要な廃棄物を低減させ、半導体装置の信頼性を向上させ、および生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供。
【解決手段】機能部(受光部１２０)を有するウエハ上の受光部１２０、または受光部１２０の周囲に第１樹脂部(第１樹脂膜)を形成する工程と、ウエハを分割して、基材(リードフレーム１８０)の上面に搭載する工程と、第１樹脂膜の上面およびリードフレーム１８０の下面のそれぞれに封止用金型を圧接し、第１樹脂膜の周囲の空隙部分に第２樹脂(封止樹脂)を注入して、第１樹脂膜の周囲に第２樹脂層(封止樹脂層２００)を形成する封止工程と、第１樹脂膜を除去し、受光素子１００の一部を外部に露出させる工程を含み、封止工程において、第１樹脂膜の上面が、封止樹脂層２００の上面と同一平面となるか、または第１樹脂膜の上面が、封止樹脂層２００の上面より高くなる。 （もっと読む）

【課題】配線基板、半導体チップ及び封止体のそれぞれの熱膨張係数の差に起因する半導体装置の反りを低減する手段を提供する。
【解決手段】配線基板２と、半導体チップ７と、電極パッド８と、ワイヤ９と、封止体１０と、を具備してなる半導体装置において、前記封止体１０が、前記半導体チップ７の熱膨張係数と近似した熱膨張係数の材料を有する第１絶縁材料層１１と、前記配線基板２を構成する絶縁材料基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数の材料を有する第２絶縁材料層１２とが積層されてなり、前記第１絶縁材料層１１が、前記半導体チップ７の搭載領域を除いた前記配線基板２の一面２ａ上に積層されるとともに前記半導体チップ７の側面７ｃと接するように形成され、前記第２絶縁材料層１２が、前記半導体チップ７及び前記第１絶縁材料層１１の上に積層されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）