【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なＬＥＤ光源装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ光源装置Ａ１は、複数のＬＥＤチップ４０と、複数のＬＥＤチップ４０を支持する基板１０および絶縁部材２０を備えている。基板１０は、ｚ方向における一方側を向く主面１１を有しており、基板１０には、ｚ方向における他方側へ凹む複数の凹部１２が形成されており、複数のＬＥＤチップ４０のいずれかである第１のＬＥＤチップ４０が、上記複数の凹部１２のいずれかである第１の凹部１２に設置されている。ＬＥＤ光源装置Ａ１は、絶縁部材２０の主面２１に設けられ、第１のＬＥＤチップ４０と導通する金属膜３０と、第１のＬＥＤチップ４０を覆うように第１の凹部１２に充填された第１の透光樹脂５１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フィルム状である絶縁材料の強度を高くすることができるか又は絶縁層の強度を高くすることができ、更に絶縁材料の溶融粘度を低くして、接続構造体における導通性を良好にすることができる絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、突出した複数の第１の電極２ｂを表面２ａに有する第１の接続対象部材２において、複数の第１の電極２ｂ上と複数の第１の電極２ｂ間の隙間Ｘ上とに、複数の第１の電極２ｂを覆うように積層される絶縁層６Ａを形成するために用いられる絶縁材料である。本発明に係る絶縁材料は、数平均分子量が１００００以上、２５００００以下であるポリマーと、分子量が１０００以上、１００００未満である第１の硬化性化合物と、分子量が１０００未満である第２の硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】カメラによる突起状電極及び／又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、６００ｎｍ以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１４ａ〜１４ｃを埋め込む樹脂層１８の一方の面側に、電子部品に電気的に接続されたバンプ４２が形成され、樹脂層の他方の面側に、樹脂層より弾性率の高い部材４４が密着した構造物２を形成する工程と、基板４６上に形成された電極４８とバンプとを接触させた状態で、部材を介して超音波振動を印加することにより、バンプと電極とを接合する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面実装部品の２つの電極間のショートを防止して、表面実装部品を金属パターンにはんだ付けできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第１金属パターンと、該基板の上に形成された第２金属パターンと、一端に第１電極が形成され他端に第２電極が形成された表面実装部品と、該第１電極と該第１金属パターンを固定する第１はんだと、該第２電極と該第２金属パターンを固定する第２はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第１電極の外側と該第２電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内の層間剥離およびクラックの発生を抑制するために、コーティング膜の回路構成部品に対する接着強度を向上させる。
【解決手段】回路構成部品（２０）を、モールド樹脂（４０）で一体的に封止してなるパッケージの製造方法であって、回路構成部品（２０）の表面のうち、モールド樹脂（４０）と対向する部分の少なくとも一部に、モールド樹脂（４０）との剥離を抑制するためのコーティング膜（３０）を被覆形成するコーティング工程と、モールド樹脂（４０）を成形して、コーティング膜（３０）で被覆された回路構成部品（２０）を一体的に封止するモールド工程と、を備え、コーディング工程では、コーティング膜（３０）を形成するコーティング材料（３１）を、回路構成部品（２０）の表面に堆積させる前にプラズマ（３３）に曝露させ、活性な状態で回路構成部品（２０）の表面に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の汚染と反りを抑制可能な圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板４と、半導体基板４の表面側に積層された第１エミッタ電極層５１及び第２エミッタ電極層５２と、半導体基板４の裏面側に積層された第１コレクタ電極層６１及び第２コレクタ電極層６２と、を有する半導体素子２を、一対の電極板３，３で加圧保持してなる圧接型半導体装置１であって、第１エミッタ電極層５１及び第２エミッタ電極層５２は、所定のパターン形状にそれぞれ形成され、第１コレクタ電極層６１は、半導体基板４の裏面全体を被覆し、第２コレクタ電極層６２の外周端部６２ａは、一対の電極板３，３による加圧方向Ｔに投影視して第２エミッタ電極層５２の外周端部５２ａと略一致している。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードに対する封止性を向上させながら、色度のばらつきを低減することのできる封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】発光ダイオード１１が実装される基板１４に貼着され、発光ダイオード１１を封止するための封止シート１であって、発光ダイオード１１を下面から埋設するダイオード埋設領域２０が区画される封止材層２と、封止材層２の上面に積層される第１蛍光体層４と、封止材層２の下面に、ダイオード埋設領域２０と間隔を隔てて配置されるように、積層される第２蛍光体層５とを備える。 （もっと読む）

【課題】封止材の充填不良（ボイド）が抑制され、封止材の注入速度を速めることを可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０に形成された電極をなす複数の外部端子１１と、パッケージ基材２０に形成された複数の引出配線２１とが接合され、複数の外部端子１１及び複数の引出配線２１が封止材により封止されたものである。半導体チップ１０においては、複数の外部端子１１からなる外部端子列１２が、外部端子列１２の延びる方向に対して交差する方向に複数配列しており、かつ、複数の外部端子列１２において、複数の外部端子１１のうち２以上がチップ辺１０Ｅに対して交差する方向に同軸配列している。 （もっと読む）

【課題】実装されたＬＥＤチップの接続信頼性を高く保持することができるＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】パッド部と、接続エリアとを有するリードフレームと、平面視においてパッド部および接続エリアを囲むリフレクター部を有し、リードフレームに取り付けられた樹脂部とを備えるリードフレーム基板に、ＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤパッケージの製造方法は、金属板３０にエッチングによりパッド部１１および接続エリア１２を形成してリードフレーム１０を形成するエッチング工程と、パッド部にＬＥＤ素子３を搭載し、ワイヤー４を用いてＬＥＤ素子と接続エリアとを電気的に接続する素子実装工程と、素子実装工程後に、リードフレームに対して樹脂部２０を形成する樹脂部形成工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性、応力緩和性、及び接合強度を両立することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材１１と、接合材１６により支持基材１１に接合された半導体素子１５と、が含まれている。接合材１６には、支持基材１１及び半導体素子１５と接触する多孔質金属材１６ａと、多孔質金属材１６ａの空隙１６ｂの少なくとも一部に充填されたはんだと、が含まれている。前記半導体装置等によれば、多孔質金属材１６ａにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ１６ｃにより良好な接合強度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 工程数の増加を抑制しつつ、半導体ウエハが有する低誘電材料層のクラックを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハに、支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層された保護層形成用フィルムを、熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程と、支持基材と粘着剤層とを、熱硬化性樹脂層から剥離する工程と、熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させ、保護層を形成する工程と、バンプ付きウエハを保護層と共にダイシングする工程とを具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、高い透明性を維持するとともに半導体チップをボンディングする際にはボイドの発生を抑制しながら、貯蔵安定性及び熱安定性にも優れ、更に、耐熱性に優れた硬化物を得ることができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を含有するフリップチップ実装用接着剤、該フリップチップ実装用接着剤を用いる半導体装置の製造方法、及び、該半導体装置の製造方法を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、ビシクロ骨格を有する酸無水物と、常温で液状のイミダゾール硬化促進剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。また、ＳｉＯ_２表面保護膜１６と被覆部２３との境界面を高電界がかかる表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６とワイドギャップ半導体(ＳｉＣ等)との界面から離すことにより、表面保護膜(ＳｉＯ_２膜)１６と被覆部２３との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜１６と被覆部２３との境界面での絶縁破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）

【課題】耐圧が数ボルトから数十ボルト程度のショットキダイオード等のガラス封止型のダイオードにおいては、半田の融点よりもずっと高い封止処理温度が適用されるため、通常、バンプ電極材料としては、銀等の比較的融点の高い金属材料が使用される。しかし、バンプ電極の厚さは、パッシベーション膜や表面電極膜の厚さと比較して、著しく厚いので、バンプ電極とチップ上面の連結部外周部、すなわち、バンプ電極内側外壁には、応力が集中しやすく、この応力により、パッシベーション膜にクラックが発生することがある。
【解決手段】本願発明は、ダイオード等のガラス封止型半導体装置の製造方法において、表面メタル電極の外周とバンプ電極の内側外壁の位置を相互に相違した位置に設定するものである。 （もっと読む）

【課題】耐リフロー性及び接続信頼性及び絶縁信頼性に優れる半導体装置の作製を可能とする接着剤組成物、その接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において接続部を封止する接着剤組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アクリル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿熱性、低吸水性、機械特性、電気特性に優れるとともに、応力を緩和した樹脂層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体素子が配された半導体領域１２を一面１１ａに有する半導体基板１１と、半導体領域１２を少なくとも覆うように半導体基板１１の一面１１ａ側に配された保護層１５とを備え、保護層１５は第一の絶縁体層１３と第二の絶縁体層１４の積層体からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスチップの３Ｄ積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】三次元集積回路用の層間充填材組成物が、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である樹脂（Ａ）及びフラックス（Ｂ）を含有し、フラックス（Ｂ）の含有量が樹脂（Ａ）１００重量部当たり０．１重量部以上１０重量部以下であるか、又は、１２０℃における溶融粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であって、熱伝導率が０．２Ｗ／ｍＫ以上である樹脂（Ａ）と、熱伝導率が２Ｗ／ｍＫ以上、体積平均粒径が０．１μｍ以上５μｍ以下、かつ、最大体積粒径が１０μｍ以下である無機フィラー（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）及び／またはフラックス（Ｂ）とを含有することを特徴とする。 （もっと読む）