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Fターム[4M109EA06]の内容

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【課題】 アルミニウム材への初期密着強度に優れ、かつ冷熱サイクル負荷や150℃以上の高温下での環境負荷に対する耐久性に優れる電気電子部品封止用樹脂組成物、およびこれを用いた電気電子部品封止体を提供する。
【解決手段】 ポリカーボネート成分が共重合されている結晶性ポリエステル樹脂(A)、 エポキシ樹脂(B)、 フッ素樹脂(C)、 を含有し、 水分率0.1%以下に乾燥して220℃に加熱し圧力1MPaを付与し、孔径1.0mm、厚み10mmのダイより押し出したときの溶融粘度が5dPa・s以上3000dPa・s以下である、電気電子部品封止用樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】電子材料分野や光半導体封止に適したエポキシシリコーン樹脂の提供。
【解決手段】一般式(1)で表され、エポキシ当量が200〜2000g/eq.であるエポキシシシリコーン樹脂。


(式中、E1はエポキシ基を有する1価の有機残基であり、Zはノルボルネン構造を有する2価の基である。) (もっと読む)


【課題】長期間使用時におけるクラックや剥離の発生がなく、ガスバリア性と密着性に優れた半導体デバイス用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】下記(A)〜(D)を含む熱硬化性樹脂組成物であり、
該熱硬化性樹脂組成物に含まれる(A)ポリシロキサンと(B)エポキシ化合物のエポキシ当量の合計が600〜1500g/当量であり、
かつ、該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物の、動的粘弾性測定による150℃における貯蔵弾性率が、5.00×10〜1.50×10Paであることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
(A)ポリシロキサンのエポキシ当量が800〜2000g/当量であり、かつ、下記式(1)で表されるポリシロキサン
(RSiO1/2a(RSiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(O1/2 ・・・(1)
(B) エポキシ化合物
(C) 硬化剤
(D) 硬化触媒 (もっと読む)


【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層2、(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層3、(C層)回路基板層4、を順番に有し、A層2の厚みが1〜200μmであり、B層3の厚みが100〜600μmであり、C層4の厚みが1〜100μmであり、パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセス適合性を満たした上で、高い熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール骨格を有するエポキシ樹脂と、下記式(4)で表される構造のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
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【課題】透明で耐光性及び耐熱黄変性に優れたLED封止材用エポキシ樹脂組成物、その組成物で封止されたLED装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、(A)グリシジルエーテル化合物と(B)酸無水物硬化剤又はカチオン重合開始剤とを含み、かつ分子内に炭素−塩素結合を含む化合物を実質的に含まないことを特徴とするLED封止材用エポキシ樹脂組成物、当該エポキシ樹脂組成物で封止されたLED装置、及び当該エポキシ樹脂組成物を用いてLEDチップを封止する工程を有するLED装置の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスチップの3D積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】三次元集積回路用の層間充填材組成物が、120℃における溶融粘度が100Pa・s以下である樹脂(A)及びフラックス(B)を含有し、フラックス(B)の含有量が樹脂(A)100重量部当たり0.1重量部以上10重量部以下であるか、又は、120℃における溶融粘度が100Pa・s以下であって、熱伝導率が0.2W/mK以上である樹脂(A)と、熱伝導率が2W/mK以上、体積平均粒径が0.1μm以上5μm以下、かつ、最大体積粒径が10μm以下である無機フィラー(C)と、硬化剤(D)及び/またはフラックス(B)とを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低反り性、耐熱信頼性、ワイヤースイープ性に優れた封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いて封止した半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、カップリング硬化促進剤、無機充填材を必須成分とする封止用エポキシ樹脂組成物であって、特定の構造を有するエポキシ樹脂、硬化剤、
カップリング剤を配合することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 粘度安定性に優れるとともに、厚みが厚くても均質で、ヒートサイクルでのクラック発生がなく、しかも耐熱性および透明性に優れた硬化物を得ることのできる液状のエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (A)分子内に環状脂肪族骨格と2個以上のエポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物と、(B)2個以上の末端水酸基を有するポリエステルポリオールおよび/またはポリカーボネートポリオールと、(C)亜リン酸エステルとで構成される主剤、(D)硬化剤及び(E)硬化促進剤を含む液状熱硬化性エポキシ樹脂組成物、又は、前記(A)、(B)、(C)で構成される主剤、及び(D’)硬化触媒を含む液状熱硬化性エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】クラックや接着界面の剥離を抑制する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤下記式(I)で表される、および無機充填剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
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【課題】
耐熱性、透明性に優れ、高い接着力を有する硬化物が得られる光素子固定材用組成物、その使用方法及び光素子封止体を提供する。
【解決手段】
(A)式:CH(R)(X)−D−Si(OR(X3−pで表されるシラン化合物(1)、式:RSi(OR(X3−qで表されるシラン化合物(2)、及び、式:Si(OR(X4−rで表されるシラン化合物(3)、を含むシラン化合物混合物〔式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を、Xはハロゲン原子、シアノ基又は式:OGで表される基(Gは水酸基の保護基)を、Dは単結合又は連結基を、R、R、Rは炭素数1〜6のアルキル基を、X、X、Xはハロゲン原子を、p、qは0〜3の整数を、Rは炭素数1〜20のアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を、rは0〜4の整数を表す。〕であって、前記シラン化合物(1)〜(3)を、モル比で[シラン化合物(1)+シラン化合物(2)]:[シラン化合物(3)]=100:15〜100:85となる割合で含有するものを縮合させて得られるシラン化合物共重合体、(B)エポキシ化合物、(C)硬化剤、並びに(D)硬化触媒を含有する光素子固定材用組成物;その使用方法;並びに光素子封止体。 (もっと読む)


【課題】無機充填剤を高充填してもワイヤースイープ性を考慮して溶融粘度を低下させることができるエポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、および無機充填剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、ポリプロピレングリコールの特定の位置に側鎖として下式


で表される基または水酸基を有するポリリシノレートを含有する。 (もっと読む)


【解決手段】発光半導体素子用リフレクターに収容された発光半導体素子の電極がリードの電極にフリップチップ方式で接続され、素子とリードフレームとの間隙部がアンダーフィル材で充填硬化されていると共に、上記発光半導体素子及びリフレクターの表面を覆って0.05〜10μm厚さの酸化ケイ素硬化被膜が形成されてなることを特徴とする発光半導体装置。
【効果】本発明によれば、ガス透過性を大幅に改善することでリフレクターの反射率低下を防止し、腐食性ガスの侵入による腐食を防止することができ、これにより長期の信頼性を確保した発光半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】金属ケース材を有する大型の電子部品に使用してもクラックや剥離が発生することがない、封止性に優れた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決方法】(A)30質量部〜100質量部のビスフェノールA型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂の少なくとも一種と、(B)70質量部〜20質量部の可撓性エポキシ樹脂からなる樹脂成分と、(C)80質量部〜120質量部の酸無水物硬化剤と、(D)80質量部〜350質量部の無機充填材としての結晶性シリカとを具え、(D)結晶性シリカは、(D−1)数平均粒径0.5μm〜3μmの破砕型結晶性シリカ及び(D−2)数平均粒径8μm〜30μmの破砕型結晶性シリカを含むようにしてエポキシ樹脂組成物を調整する。 (もっと読む)


【課題】 フリップチップ方式の半導体装置において半導体素子と基板との間を封止するために用いられる液状樹脂組成物において、無機充填材の配合量を増やすことなく、硬化物のさらなる低熱線膨張化を達成することができる半導体用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)エポキシ樹脂硬化剤、(C)無機充填材、を含有する半導体用液状樹脂組成物であって、前記(C)無機充填材が、平均比表面積が500m/g以上、1500m/g未満、平均細孔容積が0.3cm/g以上、1.2cm/g未満であることを特徴とする半導体用液状樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 強靭性及び耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体封止充てん用樹脂組成物並びにそれを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)柔軟性エポキシ樹脂、及び(d)アクリル基若しくはメタクリル基を有する化合物を含むものである。 (もっと読む)


【課題】 強靭性及び耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体封止充てん用樹脂組成物並びにそれを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、及び(c)アクリル基若しくはメタクリル基とエポキシ基とを有する化合物を含むものである。 (もっと読む)


【課題】成形性に優れるとともに、耐湿性、耐熱性、難燃性および半田リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂組成物と、それを硬化して得られる硬化物を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)無機充填剤よりなるエポキシ樹脂組成物において、(A)成分がビフェニル系エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂の10〜90wt%とヒドロキノン系エポキシ樹脂を10〜90wt%の混合物であり、(B)成分がアラルキル型フェノール樹脂を主とするものである。 (もっと読む)


【課題】低コストでありながら、作業性、高流動性、耐燃性、耐半田クラック性のバランスに優れた半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体を封止するのに用いられるエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ当量が350g/eq以上、600g/eq以下である特定のビスフェノール型エポキシ樹脂(A−1)と、結晶性エポキシ化合物(A−2)と、特定のノボラック型フェノール樹脂(B)と、当該樹脂組成物の全量に対する配合割合が75質量%以上、93質量%以下である無機充填材(C)と、を含み、特定の全ノボラック型フェノール樹脂(B)の混合物における軟化点が55℃以上、90℃以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、ならびに、その半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性又は低吸湿性、及び流動性に優れ、かつ耐ハンダクラック性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (a)エポキシ樹脂成分として、(a−1)ビスフェノールAとエピハロヒドリンとの反応で得られるエポキシ樹脂であって、式(1)
【化1】


で表されるビスフェノールAジグリシジルエーテルの含有量が95重量%以上であるエポキシ樹脂;5〜50重量%、(a−2)(a−1)成分以外の常温で固形のエポキシ樹脂;50〜95重量%、(b)エポキシ樹脂硬化剤、
を必須成分として配合してなるエポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


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