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Fターム[4M109EB03]の内容

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Fターム[4M109EB03]に分類される特許

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【課題】経時的に安定な可撓性を有するとともに、カルボン酸によるフラックス機能を十分に発揮し得るシート状封止組成物及びこれを用いる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シート状封止組成物2は、重量平均分子量が10万以上の熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、pKaが3.5以上であるカルボキシル基含有化合物であり、半導体ウェハ3をダイシングした該シート状封止組成物付きの半導体素子からなる半導体装置20の製造方法。 (もっと読む)


【課題】硬化物が高い熱伝導性に優れ、低粘度で作業性に優れたエポキシ樹脂混合物の提供。
【解決手段】特定の構造を有するヒドロキシアセトフェノンと、下記式(6)


で表される化合物との反応によって得られるフェノール化合物(a)とエピハロヒドリンを反応させて得られるエポキシ樹脂(A)、及び液状エポキシ樹脂(B)を含有するエポキシ樹脂混合物、該エポキシ樹脂混合物と硬化剤、好ましくは更に熱伝導率20W/m・K以上の無機充填剤を含有してなるエポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 成形性と耐半田性に優れ、耐湿信頼性にも優れた封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で素子が封止されている電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機充填材、及び、(D)一般式(1)で示されるシラン化合物、を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記(D)成分が、純度が98.5〜99.5質量%であり、炭素数1〜5の一価のアルコールの含有量が1000〜2500ppmであり、分子内にメルカプト基を有しないシラン化合物の含有量が8000ppm未満であることを特徴とする、封止用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】高温高湿信頼性とともに連続成形性に関しても優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分とともに、下記の(E)および(F)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(E)ハイドロタルサイト化合物。
(F)酸価が10〜100mgKOH/gであるカルボキシル基を有するワックス。 (もっと読む)


【課題】硬化物の靭性、硬化時の反応性、硬化物の耐吸湿性に優れ、かつ常温時の反りも抑制できる半導体封止用液状樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】主剤として常温で液状のエポキシ樹脂およびエピスルフィド樹脂、硬化剤として次式(I)
【化1】


(式中、R1は水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。)で表されるジアミン硬化剤およびフェノール硬化剤、および無機充填剤を含有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】高い屈折率を有し、なおかつ低透湿性に優れた硬化物(樹脂硬化物)を形成でき、硬化収縮が小さい樹脂組成物(硬化性樹脂組成物)を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物(A)と、フェノール類とアルデヒドの縮合物、芳香族炭化水素とアルデヒドの縮合物、石油樹脂、スチレン化フェノール、及びロジンからなる群より選択された少なくとも1種の化合物(B)と、重合開始剤(C)とを含むことを特徴とする樹脂組成物。
【化1】
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【課題】ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、4級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 200℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 (a)エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)酸化防止剤と、を含有する、半導体用接着剤組成物であり、前記(c)酸化防止剤がヒンダードフェノール類を含む、半導体用接着剤組成物。 (もっと読む)


【課題】 300℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイドの発生を抑制でき、配線間の十分な絶縁信頼性と、半導体チップと基板との間の十分な導通性とが得られる半導体封止用フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】 (a)ポリイミド樹脂と、(b)エポキシ樹脂と、(c)フェノール樹脂と、(d)硬化促進剤と、を含有する半導体封止用フィルム状接着剤であって、(d)硬化促進剤がイミダゾール類とイソシアヌル酸の付加物であり、350℃での溶融粘度が2000Pa・s以下であり、且つ、350℃で10秒間加熱した後の硬化反応率が50%以上であり、バンプを有する半導体チップと金属配線を有する基板とを300℃以上の温度で接続するために用いられる、半導体封止用フィルム状接着剤。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板110上に設置された半導体チップ120を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板110と半導体チップ120との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および24μmを超える粒子の含有率が1質量%以下である無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、粉砕後の前記原材料を混練する混練工程とを有し、前記混練工程において、粉砕後の前記原材料1kgあたりに与える混練エネルギーを0.01〜0.5kWh/kgとする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板110上に設置された半導体チップ120を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板110と半導体チップ120との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および第1の無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、第2の無機充填材の粉末材料に対し、表面処理を行う表面処理工程と、粉砕後の前記原材料と、表面処理された前記第2の無機充填材とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を混練する混練工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】銅ワイヤを用いた場合に耐湿信頼性を向上することができ、成形時の銅ワイヤの変形とパッケージの反りも抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し、半導体素子の電気接続に銅ワイヤを用いたエリア実装型パッケージの成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、次の式(I):
【化1】


で表わされ、加水分解性塩素量が10〜20ppmのビフェニル型エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】パッケージ内部のボイドが極めて少なく、従来以上に流動性を向上させつつ、耐半田性、及び硬化性のバランスに優れた封止用樹脂組成物、ならびに、それを用いた信頼性に優れた半導体装置を経済的に提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂(A)と、一般式(1)で表されるフェノール樹脂系硬化剤(b1)及び一般式(2)で表されるフェノール樹脂系硬化剤(b2)とを含むフェノール樹脂系硬化剤(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 (もっと読む)


【課題】反り温度依存性が低減され、パウダーブロッキング性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分とともに、下記の(D)および(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(D)成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜1.5重量%である。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)無機質充填剤。(D)エチレングリコール骨格を有するオリゴマー(E)下記の(α)および(β)の少なくとも一方からなる離型剤。(α)数平均分子量が550〜800である直鎖飽和カルボン酸。(β)酸化ポリエチレンワックス。 (もっと読む)


【課題】エポキシ硬化剤として有用な新規なフェノール樹脂、該フェノール樹脂の製造方法、及び該フェノール樹脂の使用を提案すること。
【解決手段】一般式(1)で表されるフェノール樹脂、及び該フェノール樹脂をエポキシ樹脂硬化剤として含有するエポキシ樹脂組成物。


(式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基又は水酸基のいずれかであり、n、qは、それぞれ独立して、0〜4の整数であり、pは、それぞれ独立して、0〜3の整数であり、Xは、置換基を有してよいアルキレン基であり、mは、0〜30の整数である) (もっと読む)


【課題】200℃程度の高温条件で回路部材同士の接続を行った場合でも、回路部材の反りを十分に抑制できる接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられるものであって、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び、架橋反応性基を有し且つ重量平均分子量が30000〜80000であるアクリル系共重合体を含有する。当該接着剤組成物を温度200℃で1時間加熱して得られる硬化物は、−50℃における貯蔵弾性率が2.0〜3.0GPaであり且つ100℃における貯蔵弾性率が1.0〜2.0GPaであるとともに、−50〜100℃の範囲における貯蔵弾性率の最大値と最小値との差が2.0GPa以下である。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂組成物にした際に溶解性が良好であり、かつ、エポキシ樹脂硬化物に高い耐熱性を付与できるエポキシ樹脂用硬化剤として用いることができる、新規なカリックスアレーン系化合物を提供する。
【解決手段】下記式(I−1)で示される特定構造を有するカリックスアレーン系化合物。
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【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ステージ及び圧着ヘッドを有する圧着装置によって半導体チップと基板との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、接着剤層をなす接着剤組成物は、350℃における溶融粘度が350Pa・s以下であり、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が300℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方を提供する。 (もっと読む)


【課題】作業性が良好であり、また、ハロゲンフリーでありながら、高いガラス転移温度と高い難燃性とを兼ね備えている硬化物をもたらすことができるエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂の製造方法、前記エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物、前記エポキシ樹脂組成物からなる半導体封止剤、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物、及び前記硬化物を含む半導体装置に関する。 (もっと読む)


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