【課題】この発明は、金属配線部材とヒートシンクとの間に介装される絶縁樹脂層の厚みを高精度に管理できるようにし、要求される電気絶縁性と熱伝導性を安定して確保することができる電力変換装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体素子３が表面に搭載された金属配線部材４、金属配線部材４の裏面を露出させて、金属配線部材４および半導体素子３を埋設するモールド樹脂５、およびモールド樹脂５から延出する入出力端子７，９を有するパワーモジュール２と、金属配線部材４の露出面に対向して配設されるヒートシンク１１と、モールド樹脂４の金属配線部材４の露出面の外側部位とヒートシンク１１との間に挟持されて、金属配線部材４の露出面とヒートシンク１１との間に所定の隙間を形成する樹脂厚み規制部材１３と、金属配線部材４の露出面を覆うようにパワーモジュール２とヒートシンク１１との間に充填された絶縁樹脂層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温高湿信頼性とともに連続成形性に関しても優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分とともに、下記の（Ｅ）および（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）ハイドロタルサイト化合物。
（Ｆ）酸価が１０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであるカルボキシル基を有するワックス。 （もっと読む）

【課題】高光反射率及び低光透過率といった優れた光特性を有する硬化物を与える白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物をリフレクターとして用いた光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ヒドロキシ基を含有するポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜２００００のレジン状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）直鎖状構造のジオルガノポリシロキサン残基を有し、ヒドロキシ基を含有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）（Ｃ）成分以外の無機充填剤、（Ｅ）蛍光増白剤、及び（Ｆ）硬化触媒、を含む白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物；光半導体素子と上記組成物の硬化物を含むリフレクターとを備える光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】複数の樹脂材料から構成される封止樹脂が界面から破壊することを抑止する構成を備えた回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置１０では、第１封止樹脂１８と第２封止樹脂２０から成る封止樹脂１６で回路基板１４を樹脂封止している。また、第２封止樹脂２０の側辺を内側に窪ませて固定部１９を設け、この固定部１９に隣接する第１封止樹脂１８の側辺を内側に窪ませて凹状領域１３を形成している。これにより凹状領域１３が設けられた部分において、第１封止樹脂１８と第２封止樹脂２０の界面が固定部１９から離間され、この界面に使用状況下にて作用するストレスが軽減される。 （もっと読む）

【課題】高い強度、たわみ性を有する熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ａ−２）酸無水物とを、［エポキシ基当量／酸無水物基当量］０．６〜２．０の割合で含む混合物、又は該混合物を反応させて得られるプレポリマー、（Ｂ）（Ｂ−１）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ｂ−２）下記一般式（１）で示されるジカルボン酸とを、［エポキシ基当量／カルボキシル基当量］０．６〜４．０の割合で含む混合物、又は該混合物を反応させて得られるプレポリマー、


（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤、及び（Ｅ）硬化触媒を含有するものであることを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 硬化後の樹脂組成物中でのマイグレーションを防止し、かつ樹脂組成物の保存中の硬化反応を抑制する、具体的には、樹脂組成物を液状で使用する場合の保存中の増粘を抑制することを課題とする。したがって、保存特性に優れ、硬化後には耐マイグレーション性に優れた高信頼性の樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）特定構造のトコール類およびトコトリエノール類等の化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする、樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高さの指標であるガラス転移温度が高く、且つ高密着性及び低吸湿性を実現するポリマーナノコンポジット樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性樹脂３と、硬化剤４と、シルセスキオキサン誘導体２により表面改質処理された無機ナノフィラー１とを含んでなるポリマーナノコンポジット樹脂組成物、かかる組成物を硬化してなるポリマーナノコンポジット樹脂硬化物、かかる組成物の製造方法、かかる組成物により封止してなる半導体モジュール、ならびに半導体モジュールの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子材料分野や光半導体封止に適したエポキシシリコーン樹脂の提供。
【解決手段】一般式（１）で表され、エポキシ当量が２００〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシシリコーン樹脂。


（式中、Ｅ₁はエポキシ基を有する１価の有機残基であり、Ｚはノルボルネン構造を有する2価の基である。） （もっと読む）

【課題】ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、４級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性、成形時の金型への充填性及び連続成形性に優れている半導体装置用白色硬化性材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性材料は、白色の硬化性組成物であるか、又は該白色の硬化性組成物を熱処理した熱処理物である。上記白色の硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性材料では、軟化点が６０℃以上、１２０℃未満であり、１７０℃における粘度が１２０Ｐａ・ｓを超え、３００Ｐａ・ｓ以下であり、１７０℃におけるゲルタイムが３０秒以上、１００秒以下であり、成形温度１７０℃及び成形時間１００秒の条件で金型によりトランスファー成形した後、金型から成形体を取り出したときに、金型から取り出されてから５秒後の成形体の硬さがショアＤで７０以上である。 （もっと読む）

【課題】無機充填剤を高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を比較的低温且つ短時間で得ることができるアンダーフィル材料、及び、このものを用いて実装されてなる半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される脂環式エポキシ樹脂ＡとビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、マイクロカプセル型潜在性エポキシ樹脂硬化促進剤、及び、平均粒径５μｍ以下の球状シリカを含有し、（脂環式エポキシ樹脂Ａの重量）／（エポキシ樹脂全体の重量）で０．２〜０．８であるアンダーフィル材料、並びに、該アンダーフィル材料を用いた半導体装置及びその製造方法。
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【課題】
ＤＭＡ法により測定した０℃での貯蔵弾性率が０〜１５０ＭＰａの範囲である硬化物を与える硬化性樹脂組成物は、特に光学特性、ヒートサイクル耐性が必要な材料、例えば、光半導体用（ＬＥＤ製品など）の封止材としてきわめて有用な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
（１）
硬化物の、ＤＭＡ法により測定したガラス転移温度（Ｔｇ）が−１０〜１０℃の範囲であり、ＤＭＡ法により測定した０℃での貯蔵弾性率が０〜１５０ＭＰａの範囲である光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
（２）
エポキシ樹脂（Ａ）及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する、（１）に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
（３）
エポキシ樹脂（Ａ）が、シリコーン骨格エポキシ樹脂である、（２）に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
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【課題】 狭い隙間への含浸性が優れ、充填剤の沈降及びボイドの発生が少ない液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体等の素子の回路形成面が基板の回路形成面とバンプを介して対向するようにフリップチップ実装し、素子と基板の隙間に該樹脂組成物を充填した高成形性、高信頼性の電子部品装置を提供する。
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、（B）硬化剤及び（C）無機充填剤を必須成分とし、必要に応じ（D）硬化促進剤を含む、無溶剤型の液状エポキシ樹脂組成物であって、回転式粘度計の回転数ｎ_１及びｎ_２（ｎ_１／ｎ_２＜０．５）で測定した粘度比η_１/η_２すなわちチキソトロピック指数が、０．８より小さい液状エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リードフレーム表面に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成する場合であっても、ダイシング時のカットストレスによるリードフレームの塑性変形を防止することが可能な、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】リードフレーム表面の前記連結部の近傍以外の領域に前記凹部を形成し、前記連結部の近傍領域には前記凹部を形成しないようにして、前記連結部の近傍領域のリードフレームの厚みを、前記凹部が形成された領域の厚みよりも厚く保つことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、ガスバリア性および耐冷熱衝撃性に優れ、かつ、光半導体素子を封止する際のハンドリング性が良好なポリシロキサン系組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物（ｂ）、１分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を２個以上有する化合物（ｃ）、１分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を１個有する有機ケイ素化合物（ｄ）とをヒドロシリル化反応させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体、（Ｂ）トリアジン系有機化合物からなることを特徴とするポリシロキサン系組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化物の変色が抑制され、反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】銀メッキされた銅製のリードフレーム６に接続された光半導体素子３を、付加硬化型シリコーン樹脂組成物７で封止した光半導体装置１−１であって、前記付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）アリール基及びアルケニル基を含有し、エポキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を少なくとも２個有し、かつアリール基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、ＨＲ_２ＳｉＯ_０．５単位を構成単位のうち３０モル％以上含むオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記成分（Ａ）中のアルケニル基に対する前記成分（Ｂ）中のヒドロシリル基のモル比が０．７０〜１．００となる量、及び（Ｃ）ヒドロシリル化触媒：触媒量を含有するものであることを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低粘度で取り扱いが容易であり、かつ硬化物が良好な長期耐熱性及び機械特性を有する樹脂組成物及びその半導体封止材料への利用方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）２以上１２以下の−ＯＣＮ基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）１以上１１以下のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物１〜２００重量部、（Ｃ）無機充填剤１〜１０００重量部を含有し、かつ無機充填剤を除いた樹脂成分にたいして（Ｄ）有機金属化合物の含有量が１００ｐｐｍ以下である、熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）