【課題】高光反射率及び低光透過率といった優れた光特性を有する硬化物を与える白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物をリフレクターとして用いた光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ヒドロキシ基を含有するポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜２００００のレジン状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）直鎖状構造のジオルガノポリシロキサン残基を有し、ヒドロキシ基を含有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）（Ｃ）成分以外の無機充填剤、（Ｅ）蛍光増白剤、及び（Ｆ）硬化触媒、を含む白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物；光半導体素子と上記組成物の硬化物を含むリフレクターとを備える光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高い光反射性を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭であり、光反射性が経時で低下しにくい硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、アルミナ（Ｂ）と、２５℃における粘度が８０００ｍＰａ・ｓ以上の脂肪族ポリグリシジルエーテル（Ｃ）と、白色顔料（Ｄ）とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。上記硬化性エポキシ樹脂組成物は、さらに、硬化剤（Ｅ）及び硬化促進剤（Ｆ）、又は硬化触媒（Ｇ）を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 硬化後の樹脂組成物中でのマイグレーションを防止し、かつ樹脂組成物の保存中の硬化反応を抑制する、具体的には、樹脂組成物を液状で使用する場合の保存中の増粘を抑制することを課題とする。したがって、保存特性に優れ、硬化後には耐マイグレーション性に優れた高信頼性の樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）特定構造のトコール類およびトコトリエノール類等の化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする、樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性、成形時の金型への充填性及び連続成形性に優れている半導体装置用白色硬化性材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性材料は、白色の硬化性組成物であるか、又は該白色の硬化性組成物を熱処理した熱処理物である。上記白色の硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性材料では、軟化点が６０℃以上、１２０℃未満であり、１７０℃における粘度が１２０Ｐａ・ｓを超え、３００Ｐａ・ｓ以下であり、１７０℃におけるゲルタイムが３０秒以上、１００秒以下であり、成形温度１７０℃及び成形時間１００秒の条件で金型によりトランスファー成形した後、金型から成形体を取り出したときに、金型から取り出されてから５秒後の成形体の硬さがショアＤで７０以上である。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー性を有し、光硬化と加熱硬化とを組み合わせて硬化させることができるシリコーン樹脂組成物を用いることにより所望の硬化薄膜を高精度で容易に形成することができる硬化薄膜の製造方法を提供する
【解決手段】（Ａ）分子中に２つ以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）分子中にケイ素原子に結合した水素原子を２つ以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び（Ｃ）光活性型触媒を含有する光硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化させて硬化薄膜を形成する方法であって、
(i)該組成物を基板上に塗布し、(ii)得られた塗膜に光を照射して半硬化状態の薄膜を得、及び(iii)該半硬化状態の薄膜を加熱して完全に硬化する工程を含み、
前記の工程(ii)で照射される光のスペクトルが、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域に最大ピークを有し、かつ、３００ｎｍより短い波長領域におけるいずれの波長の光においても分光放射照度が前記最大ピーク波長の光の分光放射照度の５％以下である方法。 （もっと読む）

【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層２、（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層３、（Ｃ層）回路基板層４、を順番に有し、Ａ層２の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層３の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層４の厚みが１〜１００μｍであり、パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置のパッケージ表面に形成され、リフロー工程（特に、吸湿処理後のリフロー工程）での加熱による封止材へのクラック発生や封止材の剥離等の不具合を抑制するプライマー層を形成するためのプライマー組成物を提供する。
【解決手段】光半導体装置のパッケージ表面にプライマー層を設けるために用いられるプライマー組成物であって、シランカップリング剤の縮合物と、表面調整剤と、溶剤とを必須成分として含むことを特徴とするプライマー組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面実装部品の２つの電極間のショートを防止して、表面実装部品を金属パターンにはんだ付けできる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第１金属パターンと、該基板の上に形成された第２金属パターンと、一端に第１電極が形成され他端に第２電極が形成された表面実装部品と、該第１電極と該第１金属パターンを固定する第１はんだと、該第２電極と該第２金属パターンを固定する第２はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第１電極の外側と該第２電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い透明性、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備え、さらに耐リフロー性にも優れた硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、ポリカーボネートポリオールを除くポリオール（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）又は硬化触媒（Ｅ）とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。
【化１】


［式中、Ｒ¹及びＲ²は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を示す］ （もっと読む）

【課題】封止樹脂の高温弾性率の上昇を抑制しつつ、線膨張係数の顕著な低減が可能となる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに、下記の（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）無機質充填剤。
（Ｄ）ケイ素に直接結合するアルコキシ基をシリコーン化合物全体の１０〜４５重量％含有し、かつ比重が１．１０〜１．３０の範囲であるシリコーン化合物。 （もっと読む）

【課題】 高エネルギー光源での劣化による着色の少なさを維持しつつ、温度条件等の変化に対する耐クラック性が良好であり、かつ硬化時の透明性に優れる硬化物を与えるエポキシ樹脂硬化剤、エポキシ樹脂組成物、その硬化物及びそれで封止した光半導体装置を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸無水物及びシロキサン構造含有高分子を含むエポキシ樹脂硬化剤であり、好ましくは、前記シロキサン構造含有高分子は、シロキサン構造含有ポリエステルである。 （もっと読む）

【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセスへの適合し、かつ熱伝導性や耐熱性などの性能バランスに優れた層間充填材組成物、該層間絶縁充填材組成物を含有する塗布液、該層間絶縁充填材組成物の硬化物、該層間絶縁充填材組成物を用いてなる三次元積層型半導体装置の製造方法、及び、該層間絶縁充填材組成物の硬化物を含有する三次元積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】室温で固体のエポキシ樹脂（Ａ）および下記式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ｂ）を含有する、三次元積層型半導体装置用の層間充填剤組成物。
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【課題】均一に半硬化させることができるシリコーン樹脂組成物、そのシリコーン樹脂組成物を半硬化させて得られるシリコーン樹脂シート、そのシリコーン樹脂組成物を硬化させて得られる封止層を有する光半導体素子装置、および、シリコーン樹脂シートの製造方法を提供すること。
【解決手段】
シリコーン樹脂組成物に、少なくとも２つの不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサンと、不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒と、ヒドロシリル化抑制剤とを含有させる。 （もっと読む）

【課題】成形性、耐はんだリフロー性、及び難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物、及びそれにより封止された素子を備える電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）特定の一般式で示される芳香環を２つ以上有する化合物とを含有する。前記（Ｃ）芳香環を２つ以上有する化合物の含有率は、前記（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して０．５質量部〜２０質量部の範囲とされることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセス適合性を満たした上で、高い熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール骨格を有するエポキシ樹脂と、下記式（４）で表される構造のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
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【課題】高熱伝導性で接着性、信頼性に優れる高熱伝導樹脂組成物、接着フィルム、封止用フィルムを提供する。
【解決手段】１）高熱伝導性粒子、２）メソゲンを有するエポキシ樹脂モノマーとエポキシ樹脂用硬化剤とを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び３）重量平均分子量１万以上の高分子量成分を少なくとも含む高熱伝導樹脂組成物であって、前記２）熱硬化性エポキシ樹脂組成物と、前記３）高分子量成分とが硬化後に相分離する高熱伝導樹脂組成物、該高熱伝導樹脂組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルム、封止用フィルム、及び該接着フィルム、又は封止用フィルムを介して半導体素子と、半導体素子、基板、放熱板、支持体、金属板、及びセラミック板よりなる群から選ばれる１種又は２種とを積層してなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ストレスインデックスが低いアンダーフィル材を用いた高信頼性のフリップチップ型半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板、配線基板２にフリップチップ接続された半導体素子、配線基板と半導体素子の間隙を充填するアンダーフィル材４から構成される半導体装置で、アンダーフィル材の硬化後の硬化物のガラス転移温度が９０℃〜１３０℃であり、２５℃での線膨張係数が１５〜３０ｐｐｍ／℃であり、２５℃での弾性率が３〜７ＧＰａであり、かつ２５℃での線膨張係数と２５℃での弾性率の積であるストレスインデックスが１００以上１５０以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】良好な耐燃性及び耐半田性を有するとともに、流動性と連続成形性に優れた、封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ）と、を含む封止用樹脂組成物であって、フェノール樹脂（Ａ）が無置換のフェノール、置換フェノール類とベンズアルデヒド類との共縮合重合物である重合体成分（ａ１）を含むフェノール樹脂（Ａ−１）を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 （もっと読む）