【課題】硬化物の靭性、硬化時の反応性、硬化物の耐吸湿性に優れ、かつ常温時の反りも抑制できる半導体封止用液状樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】主剤として常温で液状のエポキシ樹脂およびエピスルフィド樹脂、硬化剤として次式（I）
【化１】


（式中、Ｒ¹は水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。）で表されるジアミン硬化剤およびフェノール硬化剤、および無機充填剤を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
発光素子保護材としての硬度、耐久性を有すると同時に高い光取り出し効率をもたらす封止層を具備する発光装置を提供すること。
【解決手段】
発光素子（１）と封止層（２）を具備する発光装置であって、封止層（２）が、透光性樹脂（２Ａ）、平均１次粒子径が100nm以下の金属酸化物粒子（２Ｂ）及び平均粒子径が200nm以上、3μm以下の粒子（２Ｃ）を含有する封止用樹脂組成物から形成される封止層（２）を具備する発光装置。 （もっと読む）

【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子２を基板３に実装して形成された半導体装置４に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物１を前記半導体素子２の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子２と前記基板３とが接着されている。前記半導体素子２と前記基板３との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物１が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が２〜１５０の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物１全量に対して０．１〜３０質量％含有されている。前記エポキシ樹脂組成物１のチクソ指数が３．０〜８．０である。 （もっと読む）

【課題】高い強度、たわみ性を有する熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いた半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ａ−２）酸無水物とを、［エポキシ基当量／酸無水物基当量］０．６〜２．０の割合で含む混合物、又は該混合物を反応させて得られるプレポリマー、（Ｂ）（Ｂ−１）トリアジン誘導体エポキシ樹脂と（Ｂ−２）下記一般式（１）で示されるジカルボン酸とを、［エポキシ基当量／カルボキシル基当量］０．６〜４．０の割合で含む混合物、又は該混合物を反応させて得られるプレポリマー、


（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）無機充填剤、及び（Ｅ）硬化触媒を含有するものであることを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】電子材料分野や光半導体封止に適したエポキシシリコーン樹脂の提供。
【解決手段】一般式（１）で表され、エポキシ当量が２００〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシシリコーン樹脂。


（式中、Ｅ₁はエポキシ基を有する１価の有機残基であり、Ｚはノルボルネン構造を有する2価の基である。） （もっと読む）

【課題】長期間使用時におけるクラックや剥離の発生がなく、ガスバリア性と密着性に優れた半導体デバイス用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）を含む熱硬化性樹脂組成物であり、
該熱硬化性樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリシロキサンと（Ｂ）エポキシ化合物のエポキシ当量の合計が６００〜１５００ｇ／当量であり、
かつ、該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物の、動的粘弾性測定による１５０℃における貯蔵弾性率が、５．００×１０^５〜１．５０×１０^７Ｐａであることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
（Ａ）ポリシロキサンのエポキシ当量が８００〜２０００ｇ／当量であり、かつ、下記式（１）で表されるポリシロキサン
（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）_a（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄ（Ｏ_１／２Ｒ^７）_ｅ ・・・（１）
（Ｂ） エポキシ化合物
（Ｃ） 硬化剤
（Ｄ） 硬化触媒 （もっと読む）

【課題】高温焼成で形成される膜厚の厚いシリカ系樹脂膜におけるクラック耐性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】５００℃以上の高温焼成で形成される厚さ２．０μｍ以上のシリカ系樹脂膜用の組成物の製造方法であって、下記一般式（１）で表される第１アルコキシシランの加水分解反応、および、当該加水分解反応で生成される第１アルコキシシランの加水分解生成物の脱水縮合反応を進行させる第１工程と、第１アルコキシシランの加水分解生成物が残存する第１工程の反応系に下記一般式（２）で表される第２アルコキシシランを混合し、第２アルコキシシランの加水分解反応、および、当該加水分解反応で生成された第２アルコキシシランの加水分解生成物と第１工程の脱水縮合反応生成物と残存する第１アルコキシシランの加水分解生成物との脱水縮合反応を進行させる第２工程と、を含む。（Ｒ^１）_２Ｓｉ（ＯＲ^２）_２（１）Ｓｉ（ＯＲ^３）_４（２） （もっと読む）

【課題】作業性が良好であり、また、ハロゲンフリーでありながら、高いガラス転移温度と高い難燃性とを兼ね備えている硬化物をもたらすことができるエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂の製造方法、前記エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物、前記エポキシ樹脂組成物からなる半導体封止剤、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物、及び前記硬化物を含む半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層２、（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層３、（Ｃ層）回路基板層４、を順番に有し、Ａ層２の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層３の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層４の厚みが１〜１００μｍであり、パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い透明性、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備え、さらに耐リフロー性にも優れた硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、ポリカーボネートポリオールを除くポリオール（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）又は硬化触媒（Ｅ）とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。
【化１】


［式中、Ｒ¹及びＲ²は水素原子または炭素数１〜８のアルキル基を示す］ （もっと読む）

【課題】 高エネルギー光源での劣化による着色の少なさを維持しつつ、温度条件等の変化に対する耐クラック性が良好であり、かつ硬化時の透明性に優れる硬化物を与えるエポキシ樹脂硬化剤、エポキシ樹脂組成物、その硬化物及びそれで封止した光半導体装置を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸無水物及びシロキサン構造含有高分子を含むエポキシ樹脂硬化剤であり、好ましくは、前記シロキサン構造含有高分子は、シロキサン構造含有ポリエステルである。 （もっと読む）

【課題】優れた透明性、耐熱性、耐光性、及び耐クラック性を兼ね備えた硬化物を与える硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、シリコーン系レベリング剤及びフッ素系レベリング剤からなる群より選ばれた少なくとも１種のレベリング剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｆ）とを含むことを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物。
【化１】


［式（１）中、Ｒ¹及びＲ²は水素原子又は炭素数１〜８のアルキル基を示す］ （もっと読む）

【課題】ストレスインデックスが低いアンダーフィル材を用いた高信頼性のフリップチップ型半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板、配線基板２にフリップチップ接続された半導体素子、配線基板と半導体素子の間隙を充填するアンダーフィル材４から構成される半導体装置で、アンダーフィル材の硬化後の硬化物のガラス転移温度が９０℃〜１３０℃であり、２５℃での線膨張係数が１５〜３０ｐｐｍ／℃であり、２５℃での弾性率が３〜７ＧＰａであり、かつ２５℃での線膨張係数と２５℃での弾性率の積であるストレスインデックスが１００以上１５０以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記一般式（Ｉ）で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含有する組成物。


（式中、Ｌ^ｍは、炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成されるｍ価の基、又はｍ価の炭化水素基を示す。Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の炭化水素基を示す。Ｒ^４は炭素原子、水素原子及び酸素原子から構成される１価の基、炭素原子、水素原子及び窒素原子から構成される１価の基、又は１価の炭化水素基を示す。ｍは２〜６の整数を示す） （もっと読む）

【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、封止樹脂に亀裂が生じたり、基板から剥離を起こしたりし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板の片面に表面電極パターンが、および絶縁基板の他の面に裏面電極パターンが、それぞれ形成された半導体素子基板と、表面電極パターンの、絶縁基板とは反対側の面に接合材を介して固着された半導体素子と、この半導体素子および表面電極パターンを覆う第一の封止樹脂と、絶縁基板の表面で、少なくとも表面電極パターンまたは裏面電極パターンが形成されていない部分と第一の封止樹脂とを覆う第二の封止樹脂と、を備え、第二の封止樹脂の弾性率は、第一の封止樹脂の弾性率よりも小さくした。 （もっと読む）

【課題】耐熱、耐ＵＶ性、貯蔵安定性が良好な硬化物を与える樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）の構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。


［式中、Ｒ¹、Ｒ²は特定の有機基、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基。］ （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだ組成のＢＧＡ等のはんだバンプを形成し半導体装置と実装用基板を接続する半導体パッケージにおいて、耐衝撃特性に優れ、高い接続信頼性を有する半導体パッケージ等の電子部品装着を提供する。
【解決手段】ＧＡ等のはんだ端子を有する半導体装置１と半導体装置と接続する実装用基板３、半導体装置と実装用基板の間に介在させるアンダーフィル４からなる半導体パッケージ等の接続構造に対して、アンダーフィルにダイラタンシー特性を有する組成を用いることによって、落下等の衝撃に対してはんだ接合部にかかる衝撃を劇的に緩和し、耐落下等の衝撃特性を向上させることを可能にした。また、アンダーフィルにはんだ接合部に対して酸化防止効果を有する組成を選択することによって、経時での接続信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、ゲルタイムを速くすることで硬化温度の低温化を可能にし、チップにかかる熱応力を低減させ、さらに成形時のボイド発生が抑制された電子部品用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】電子部品用液状樹脂組成物を、エポキシ樹脂と、芳香族アミン化合物と、硬化促進剤として、下記式（ＩＩＩ）で表される構造部位を有する化合物を含有せしめて構成する。
（もっと読む）

【課題】長時間の通電においても光度低下が非常に小さい光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子４の周囲が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、ポリカーボネートポリオール（Ｃ）と、アクリルブロック共重合体（Ｄ）と、硬化剤（Ｅ）と、硬化促進剤（Ｆ）とを含む第１の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物６により封止され、且つ前記硬化物６の周囲が、分子内に複数のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｇ）と、脂環式ポリエステル樹脂（Ｈ）と、硬化剤（Ｉ）と、硬化促進剤（Ｊ）とを含む第２の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物７により封止されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路規模またはメモリ容量を確保しつつも、外力、特に押圧に対する信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】有機化合物または無機化合物の繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂１０４を含浸した一対の構造体１０１，１０２と、一対の構造体１０１，１０２の間に設けられた素子層１０３とを有する。素子層１０３と構造体１０１，１０２とは、加熱圧着により固着させることができる。または素子層１０３と構造体１０１，１０２とを固着させるための層を設けても良い。或いは、素子層１０３に繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数重ねた後、繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃに有機樹脂１０４を含浸させることで、素子層１０３に固着した構造体１０１，１０２を形成することができる。 （もっと読む）