【課題】硬化物が高い熱伝導性に優れ、低粘度で作業性に優れたエポキシ樹脂混合物の提供。
【解決手段】特定の構造を有するヒドロキシアセトフェノンと、下記式（６）


で表される化合物との反応によって得られるフェノール化合物（ａ）とエピハロヒドリンを反応させて得られるエポキシ樹脂（Ａ）、及び液状エポキシ樹脂（Ｂ）を含有するエポキシ樹脂混合物、該エポキシ樹脂混合物と硬化剤、好ましくは更に熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填剤を含有してなるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】耐湿性が確保された複数の樹脂材料で回路基板が樹脂封止された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置は、上面に回路素子が配置された回路基板１４の上面および側面を第１封止樹脂１８で被覆し、回路基板１４の下面および第１封止樹脂１８の側面を第２封止樹脂２０で被覆している。また、第１封止樹脂１２の下面を部分的に突起させて樹脂突起部１２とし、この樹脂突起部１２の側面を第２封止樹脂２０で被覆することで、第１封止樹脂１８と第２封止樹脂２０との密着強度を向上させている。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、ベース基板２と、ベース基板２の一方の面側に設けられ、通電により発熱する発熱体４と、ベース基板２の一方の面側に発熱体４を封止するように設けられ、発熱体４から発生する熱を放熱する放熱体５とを有している。また、放熱体５は、樹脂材料を主材料として構成されているか、樹脂材料に熱伝導性を有するフィラーを分散させた材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】その硬化物が高い熱伝導性を有し、耐湿性に優れたエポキシ樹脂混合物を提供する。
【解決手段】特定のケトン化合物と特定のアルデヒド化合物との反応によって得られるフェノール化合物（ａ）とエピハロヒドリンを反応させて得られるエポキシ樹脂（Ａ）を含有し、さらに特定の2種のフェノール化合物少なくとも1種にエピハロヒドリンを反応させて得られるエポキシ樹脂（Ｂ）および／またはエポキシ樹脂（Ｃ）を含有するエポキシ樹脂混合物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、一方の主面１２ｐが大気に露出している金属板１２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成された導体パターン１６と、導体パターン１６に実装された半導体素子２０と、導体パターン１６に接合されたリードピン２２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ側を覆う樹脂部２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高い封止樹脂の構造を低コストで実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、モールド金型４０に、複数のキャビティ４６Ａ−４６Ｃが連通領域４８Ａ、４８Ｂを介して連通している。そして、熱伝導性に優れた樹脂シート５２を、キャビティ４６Ａ−４６Ｃおよび連通領域４８Ａ、４８Ｂに渡るように配置し、この樹脂シート５２によりアイランド１２の下面を被覆している。従って、単一の樹脂シート５２により、複数のユニット５６Ａ−５６Ｃが備えるアイランド１２の下面が被覆されるので、簡素化された工程により放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージの放熱性能の向上を小型化や低コスト化と両立させながら実現する。
【解決手段】搭載部材１１に搭載したＬＥＤ素子１２の全周を取り囲むように高熱伝導性絶縁材料１４がインクジェット、ディスペンサ等により設けられている。高熱伝導性絶縁材料１４は、封止材料１８よりも熱伝導率が高い絶縁材料で形成され、ＬＥＤ素子１２全周の側面と搭載部材１１とに密着して、ＬＥＤ素子１２全周の側面から熱を搭載部材１１へ効率良く伝達する放熱経路の構成材として機能すると共に、ＬＥＤ素子１２の側面上端から搭載部材１の上面に向けて傾斜するスロープ状に形成されている。高熱伝導性絶縁材料１４の上面に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により配線１７が形成され、この配線１７によってＬＥＤ素子１２の電極部１３と搭載部材１１の電極部１６とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセスへの適合し、かつ熱伝導性や耐熱性などの性能バランスに優れた層間充填材組成物、該層間絶縁充填材組成物を含有する塗布液、該層間絶縁充填材組成物の硬化物、該層間絶縁充填材組成物を用いてなる三次元積層型半導体装置の製造方法、及び、該層間絶縁充填材組成物の硬化物を含有する三次元積層型半導体装置を提供する。
【解決手段】室温で固体のエポキシ樹脂（Ａ）および下記式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ｂ）を含有する、三次元積層型半導体装置用の層間充填剤組成物。
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【課題】三次元積層型半導体装置の製造プロセス適合性を満たした上で、高い熱伝導性を有するエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール骨格を有するエポキシ樹脂と、下記式（４）で表される構造のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
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【課題】高熱伝導性で接着性、信頼性に優れる高熱伝導樹脂組成物、接着フィルム、封止用フィルムを提供する。
【解決手段】１）高熱伝導性粒子、２）メソゲンを有するエポキシ樹脂モノマーとエポキシ樹脂用硬化剤とを含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び３）重量平均分子量１万以上の高分子量成分を少なくとも含む高熱伝導樹脂組成物であって、前記２）熱硬化性エポキシ樹脂組成物と、前記３）高分子量成分とが硬化後に相分離する高熱伝導樹脂組成物、該高熱伝導樹脂組成物をフィルム状に成形してなる接着フィルム、封止用フィルム、及び該接着フィルム、又は封止用フィルムを介して半導体素子と、半導体素子、基板、放熱板、支持体、金属板、及びセラミック板よりなる群から選ばれる１種又は２種とを積層してなる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性、成形性、耐湿信頼性、耐リフロー性に優れた半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、硬化促進剤、平均粒子径１０〜６０μｍの結晶性シリカを少なくとも含むシリカ、及び８００℃以上で加熱処理されてなる、平均粒子径１０〜８０μｍの炭化珪素を含み、前記シリカと前記炭化珪素の合計含有量が７５〜９０質量％であり、前記結晶性シリカの体積充填率が２５体積％以上、５０体積％以下、前記炭化珪素の体積充填率が２０体積％以上、３７体積％以下である半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】透明性および熱伝導性に優れ、種々の用途に対応することのできる透明熱伝導性組成物を提供する。
【解決手段】樹脂と、フィラーとを含有する透明熱伝導性組成物において、フィラーに、
平均粒子径が１〜１００μｍであり、熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導性フィラーと、平均粒子径が１〜１００ｎｍであり、屈折率が１．８以上である高屈折率フィラーとを含有させる。このような透明熱伝導性組成物によれば、目的および用途に応じて種々の樹脂およびフィラーを用いることができるとともに、優れた透明性および熱伝導性を確保することができる。そのため、このような透明熱伝導性組成物は、透明性および熱伝導性が要求される種々の放熱用途に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、さらには、機械強度および熱伝導性に優れる透明熱伝導性組成物を提供する。
【解決手段】２３℃において半固形状態または固形状態である樹脂と、熱伝導性フィラーとを含有する透明熱伝導性組成物において、樹脂の屈折率と、熱伝導性フィラーの屈折率との差の絶対値を、０．０５未満とし、熱伝導率を、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上とする。この透明熱伝導性組成物によれば、優れた透明性を確保するとともに、優れた機械強度および熱伝導性を確保することができる。そのため、この透明熱伝導性組成物は、透明性、機械強度および熱伝導性が要求される種々の放熱用途に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】可視光から近紫外光領域において高い反射率を有する高放熱性の光反射用熱硬化性樹脂組成物及びその樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板及び光半導体搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】光反射用熱硬化性樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）充填剤（Ｅ）カップリング剤を含有する樹脂組成物であって、熱硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、かつ熱伝導率が１〜１０Ｗ／ｍＫの範囲であり、熱硬化前には室温において加圧成形可能である、ことを特徴とする光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することにより高光反射率、高放熱性の光半導体搭載用基板を作製することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】放熱性及び耐反り性に優れ、ワイヤースイープ量の低減が図られたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ハイドロキノン型エポキシ樹脂と、アルミナ粒子と、２−（ジフェニルホスフィニル）ハイドロキノンとを含有し、アルミナ粒子のエポキシ樹脂組成物中の含有量が７０〜９０質量％であるエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板２と、ベース板２の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子３と、ベース板２の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層４ａと、絶縁樹脂層４ａの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層４ｂと、金属層４ｂの他方の主面が露出するようにベース板２、パワー半導体素子３及び絶縁樹脂層４ａを被覆して筐体を形成する樹脂筐体５とを有するパワーモジュール１と、一主面に少なくとも１つの凸状段差部７ｂが形成され、凸状段差部７ｂの少なくとも上面において金属層４ｂの露出面に半田により接合される冷却器７とを備えた半導体装置であって、凸状段差部７ｂの上面の面積が金属層４ｂの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下、且つ、最大粒径１０μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】良好なゴム性能及び優れた電気絶縁性を有しながら、高い熱伝導率を有する付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）〜（Ｄ）成分を含む付加反応硬化型シリコーンゴム組成物。
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するジオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）白金族金属系触媒、及び
（Ｄ）黒鉛化処理後に結晶構造に欠陥を生じさせた炭素繊維。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７以上である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）