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Fターム[4M109ED05]の内容

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【課題】SiOで作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、SiC pn接合ダイオード10の表面を被覆すると共にSiOで作製された表面保護膜16の膜厚を2μmにすることによって、SiO表面保護膜16の静電容量を下げてSiO表面保護膜16とシリコン樹脂で作製された被覆部23との境界面に溜る電荷を低減できる。また、SiO表面保護膜16と被覆部23との境界面を高電界がかかる表面保護膜(SiO膜)16とワイドギャップ半導体(SiC等)との界面から離すことにより、表面保護膜(SiO膜)16と被覆部23との境界面の電界を低減できる。これにより、表面保護膜16と被覆部23との境界面での絶縁破壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】効果的に部分放電を抑止できる絶縁膜を被覆することで、動作信頼性を向上させるとともに、小型化が可能になるパワーモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュールは絶縁基板1と、絶縁基板1上に形成された導体パターン2と、導体パターン2と接合部材により接続された半導体チップより構成される。半導体チップ上面には電極5が形成されており、パワーモジュールは電極5と、前記半導体チップ外周端面と、前記半導体チップ外周端面と連続する前記接合部材と、導体パターン2と、絶縁基板1の表面とを被覆し、無機材料からなる絶縁膜6とを備える。 (もっと読む)


【課題】可撓性を有する保護材料が表面に形成された半導体装置を作製するにあたり、保護材料設置の際や接着処理の際に保護材料に位置ズレが生じても、端子部上に保護材料が接着される部分が発生することがなく、高い歩留まりを維持することが可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板100上に設けられた端子部104の長さが5mm以下である場合において、端子部104の長さをXとすると、素子部上に厚さ0.38X以上2mm以下の段差層を設けることにより、段差層上に素子部を覆う状態に設置された保護材料110が端子部104上に重畳しても、端子部104表面と保護材料110の間に空間が設けられる。この状態で、表面硬度50以上100以下の弾性材料を備えた貼り合わせ部材116を用いて、保護材料110と基板100を貼り合わせればよい。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数で樹脂コア及び樹脂保護膜を精度良く形成する。
【解決手段】電極パッド2が形成された基板(半導体基板1)上に、電極パッド2を露出させる開口3aを有する保護絶縁膜3を形成した後、感光性樹脂膜4を形成する。感光性樹脂膜4を多階調マスク5を用いて露光した後で現像する。この現像により、感光性樹脂膜4により構成される樹脂保護膜7と、樹脂保護膜7よりも厚膜の感光性樹脂膜4のパターンにより構成される樹脂コア6と、を一度に形成する。次に、樹脂コア6上から電極パッド2上に亘って配線8を形成する。 (もっと読む)


熱電モジュールの一部を形成するための形状の熱電材料であって、湿気、酸素、化学薬品または熱による劣化を防止するために保護層でコーティングされている熱電材料。 (もっと読む)


【課題】柱状電極および樹脂封止膜を有する半導体装置を配線基板上にフェイスダウン方式で実装した半導体装置の実装構造において、半導体装置の樹脂封止膜と配線基板の絶縁基板との熱膨張係数差に起因する応力を小さくする。
【解決手段】半導体装置1において、封止膜12の下面には、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成された負膨張層13が設けられている。配線基板16の絶縁基板17は、熱膨張係数がエポキシ樹脂等からなる封止膜12の熱膨張係数よりも小さい材料、例えば、シリコン、窒化アルミニウム、アルミナ、アラミド不織布基材エボキシ樹脂のいずれかによって形成されている。これにより、半導体装置1の封止膜12と配線基板16の絶縁基板17との熱膨張係数差に起因する応力を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】電磁波シールド効果およびリフロー加熱に対する信頼性を劣化させることなく半導体装置の小型化を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】モジュール基板51の部品搭載面に複数の実装部品を搭載した後、実装部品を覆うように樹脂56を形成し、さらに樹脂56の表面(上面および側面)にCuめっき膜およびNiめっき膜との積層膜からなるシールド層SLを形成する。シールド層SLには、結晶粒界に沿ってランダムに、かつ一直線に繋がることなく、網目状に複数のマイクロチャンネルクラックが形成されており、複数のマイクロチャンネルクラックによって樹脂56からシールド層SLの表面へ通じる複数の経路が形成されている。 (もっと読む)


【課題】電極や配線等への水分の浸入等を遮断し、電極や配線等が腐食することのない信頼性の高い接続構造体を提供する。
【解決手段】接着剤を介してチップ部品が圧接工法により基板に実装されてなる接続構造体である。この接続構造体の表面が絶縁性の無機コート層により被覆されている。無機コート層はスパッタ法で形成されたスパッタ膜である。接着フィルムは異方性導電膜である。 (もっと読む)


【課題】気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体からなる基板2と、基板2の上面にフリップチップ実装されたSAWデバイスチップ10と、基板2の上面に実装されたチップ部品12と、チップ部品12の電極の少なくとも一つとは離間するように、SAWデバイスチップ10とチップ部品12とを封止する封止半田18と、SAWデバイスチップ10、チップ部品12及び封止半田18の上に設けられたリッド16と、チップ部品12の上面とリッド16との間に設けられた絶縁物20と、を具備することを特徴とする電子部品モジュール及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能であり部材コストを低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置としてのマイクロマシン装置1は、基板10と、前記基板10の主面に設けられたMEMS素子16と、無機材料を含み前記基板10の主面に設けられ気体を収容した中空部17を介して前記MEMS素子16を覆うとともに前記中空部17に連通する開口形状部21aを有する内側無機封止膜21と、有機材料を含み前記内側無機封止膜21上に形成され前記開口形状部21aを塞ぐ有機封止膜22と、無機材料を含み前記有機封止膜22上に形成され前記有機封止膜22を覆う外側無機封止膜23と、前記有機封止膜22を設ける工程と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜23上に設けられ、前記外側無機封止膜23を覆う補強層24と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マイクロ電子アセンブリの分野の技術、特に、パッケージ基板に装着されたマイクロ電子チップの上に形成される材料を提供する。
【解決手段】デバイスパッケージ化のための保護薄膜コーティング。誘電性薄膜コーティングが、成形複合物を付加する前にダイ表面及びパッケージ基板表面の上に形成される。保護薄膜コーティングは、バルク成形複合物からの又は成形複合物とダイ表面又は基板表面との間の界面からの水分浸透を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明はグランド端子と導体膜との接続に特殊な加工を不要とした高周波モジュールを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この課題を解決するために、基板12の上面に装着された枠体15と、この枠体15に設けられた孔15a内であるとともに基板12の上面に装着された複数の電子部品3と、孔15a内に設けられると共に電子部品3が埋設された樹脂埋設部16と、この樹脂埋設部16上に設けられた導体膜19と、基板12の上面に設けられたグランド端子18とを備え、少なくとも孔15aの内側面には導体17aを設け、導体膜19とグランド端子18との間は導体17aを介して接続されたものである。これにより、導体17aと導体膜19との接続に特殊な加工も不要である。 (もっと読む)


【課題】水分、酸素および有害成分の透過を防止し、可撓性に優れた傾斜組成封止薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、固定層と、傾斜組成層とを含む傾斜組成封止薄膜であって、前記固定層は、前記基板と前記傾斜組成層との間に存在し、かつ、Siを含む有機/無機複合高分子を含む傾斜組成封止薄膜である。基板と傾斜組成層との接着力を向上させて傾斜組成層の成膜条件を有利とすることで、水分および酸素の透過防止特性に優れているだけでなくその他の化学種の拡散に対して高い抵抗性を有している。 (もっと読む)


【課題】チップサイズの大型化に際しても、封止用絶縁樹脂と半導体チップ間での剥離を抑制し、信頼性の優れた半導体チップ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップの回路形成面の裏面に表面に応力緩和層を有することを特徴とする半導体装置とする。さらに該応力緩和層として、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、フッ素化ポリイミド、多孔質PTFEから選択されたポリマーからなることを特徴とする半導体装置とする。 (もっと読む)


【課題】封止パッケージ1内に収容された撮像素子チップ2を、そのマイクロレンズ8上に中空空間を設けて封止する実装構造を有する固体撮像装置100において、該封止パッケージ内部に水分侵入があった場合でも、該封止パッケージ内での素子配線の腐食等を招くことがなく、耐湿性に優れた信頼性の高い固体撮像装置を実現する。
【解決手段】封止パッケージ1内にて撮像素子チップ2を、そのマイクロレンズ8上に中空空間を設けて封止してなる固体撮像装置100において、封止パッケージ1の内面、撮像素子チップ2の表面およびボンディングワイヤの表面を保護膜4で完全に覆うようにした。 (もっと読む)


【課題】機械的衝撃に強く、製品特性の安定した電子部品を提供する。
【解決手段】少なくとも、一平面に外部へ電気的に接続するための接続端子を有する電子部品をマトリックス状に設けたウエハ状の集合体1を準備し、前記電子部品の接続端子のある面をダイシング用シート2に対向させて前記集合体1を貼り付け、個々の電子部品3に分割し、個々に分割された前記電子部品3の接続端子を有する面を除く表面を保護材4で被覆した後、前記保護材4を被覆した電子部品3をダイシング用シート2から取り外す電子部品の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】発光素子を2種類の樹脂で二重に封止する発光装置において、樹脂間での剥離が起こり難く、配光や色度や軸光光度のバラツキの少ない発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム20に固定された発光素子10がシリコン樹脂22で封止され、さらにその上からエポキシ樹脂24で封止されている。シリコン樹脂22とエポキシ樹脂24との間にはSiO皮膜23が設けられる。この皮膜は有機ケイ素化合物を原材料とし燃焼化学気相蒸着によって形成される。 (もっと読む)


【課題】シリカアルミナゲルを含有する材料を使用し、防湿及び吸湿機能を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ101と、前記半導体チップを封止するパッケージ104乃至144とを備える半導体装置100であって、前記パッケージ104乃至144は、シリカアルミナゲルを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光素子(OLED素子)、薄膜センサ、およびエバネッセント導波路センサなどのデバイスの寿命を延ばすために、デバイス中への酸素および水分の浸透を防ぐ。
【解決手段】リン酸スズ低液相線温度無機材料を、デバイスの少なくとも一部分の上に堆積させて、堆積低液相線温度無機材料を形成する(130)。この堆積低液相線温度無機材料を、実質的に酸素と水分を含まない環境中で熱処理して、気密シールを形成する(140)。低液相線温度無機材料を堆積させる工程は、タングステンを含む抵抗加熱素子の使用を含む。 (もっと読む)


第1の無機バリアコーティングと第2の無機バリアコーティングとの間に、シリコーン樹脂の硬化生成物を含む界面コーティングを含む電子パッケージ、及び電子パッケージを製造する方法。
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