【課題】電子素子を樹脂封止後に封止樹脂に開口を設け、加熱時のアウトガスやはんだの逃げ道を設けることにより、はんだフラッシュの発生を抑制するパッケージ基板を提供する。
【解決手段】多層配線基板上に１個以上の半導体素子と１個以上の受動部品が実装され、前記多層配線基板とその上に実装された前記半導体素子とのギャップにアンダーフィル樹脂６を充填することにより、フリップチップ実装部である半導体素子実装エリアを形成し、その半導体素子実装エリアの外周部と前記受動部品の周囲を樹脂７で充填した半導体パッケージ基板１８において、充填した樹脂７の一部に、はんだ及びアウトガスの抜き孔１５、１６を設ける。 （もっと読む）

【課題】内部部品や金型の寸法を厳しく管理する必要のない、電極上出し構造の電力用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、絶縁基板１と、絶縁基板１上面に形成された回路パターン６と、回路パターン６上に形成された電力用半導体７と、回路パターン６又は電力用半導体７上に直立して形成され、外部端子と導通する複数の金属製ソケット電極端子８と、複数の金属製ソケット電極端子８にそれぞれ上部から嵌合する両端が開口した複数のスリーブ部９が一体となった一体型樹脂製スリーブ１０と、絶縁基板１、回路パターン６、電力用半導体７、電極端子８、一体型樹脂製スリーブ１０を覆うモールド樹脂１６と、を備える。一体型樹脂製スリーブ１０は、樹脂平板１２に複数のスリーブ部９が形成された構造である。 （もっと読む）

【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第１の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第２の外部電極と、第１の外部電極と直接に接触して、又は第１の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第１の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボイドが低減され、研削後の反りを小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤６，７の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ４０を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ４０と、他の半導体ウエハ５０とを、接着剤層付き半導体ウェハ４０の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に電子部品を搭載し、その上に電子部品の放熱および電極の用をなすクリップを設け、クリップを配線基板にはんだ付けしてなる電子装置において、簡易な構成にて、配線基板の一面上におけるクリップの高さ位置ずれを抑制する。
【解決手段】配線基板１０の一面１１上にて電子部品２０を介して搭載されたクリップ３０は、端子部３２にてはんだ５０を介して接続されるとともに、板部３１と一体に形成され板部３１の外郭から配線基板１０の一面１１側に延びる脚部３２を備えており、この脚部３２は、配線基板１０に対して接合することなく非導通状態で直接接触しており、クリップ３０は脚部３２にて配線基板１０に支持されることにより、配線基板１０の一面１１上におけるクリップ３０の高さが規定されている。 （もっと読む）

【課題】 金属電極の腐食を防止する電極腐食防止剤の作製、及びこれを用いた発光デバイスを提供することである。
【解決手段】 テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、トリアルコキシビニルシラン、（３−メルカプトプロピル）トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含むことを特徴とする電極腐食防止剤を作製し、これを発光デバイスに用いることにより、耐腐食性、耐熱性、耐光性を有する高信頼性の発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の耐光性、およびプライマー層のガス遮断性の機能を保ちながら、材料構成を変更せず、封止樹脂の接着性を向上させる発光部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子とガス遮断性の高いプライマー層とを、耐光性が優れる封止樹脂で封止すると共に、上記プライマー層をガス遮断層と、封止樹脂の接着性を向上させる密着層からなる多層構造とすることで、封止樹脂の接着性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル剤の薄膜形成が容易であり、また、大型ダイを用いたフリップチップ半導体装置の製造方法、及び該製造方法を用いて製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】（ｉ）シリコンウエハ３の、半田バンプ２を備えた表面上に、第１アンダーフィル剤１をスプレー噴射装置で塗付し、該第１アンダーフィル剤をＢ−ステージ化して、半田バンプの高さの０．５〜１．０倍の厚みをもつ、Ｂ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層を形成する工程、（ｉｉ）工程（ｉ）で得られたＢ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層の表面上に、第２アンダーフィル剤をスプレー噴射装置で塗付し、該第２アンダーフィル剤をＢ−ステージ化して、前記Ｂ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層と第２アンダーフィル剤層４の合計の厚みが、半田バンプの高さの１．０〜１．３倍となるように、Ｂ−ステージ状態の第２アンダーフィル剤層を形成する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】硫化水素のようなガス状硫黄化合物に対してほぼ不透過性である組成物を与え、様々な製品、特に電子部品用の保護コーティング、並びにかかるガス状硫黄化合物の作用から様々な製品を保護する方法を提供する。
【解決手段】ポリオレフィンとシロキサン又はポリシロキサンとを含み、硬化による二成分網目構造の反応生成物を生成し、５０℃における硫化水素の拡散係数又はメチルメルカプタンの拡散係数又はこれら両者の拡散係数が低いコーティング用の組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】種類の異なる半導体チップの間で接合不良が発生することを防止した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板２の一面に実装されたチップ積層体３は、配線基板２の一面とは反対側から順に、一面側に第１のバンプ電極１２と他面側に第２のバンプ電極１３とを有する複数のメモリーチップ１０ａ〜１０ｄを、それぞれの一面と他面とを対向させながら、それぞれの間にある第１のバンプ電極１２と第２のバンプ電極１３とを接合して積層し、その上に、一面側に第３のバンプ電極１５と他面側に第４のバンプ電極１６とを有するロジックチップ１１を、その一面と、その下にあるメモリーチップ１０ｄの他面とを対向させながら、その間にある第２のバンプ電極１３と第３のバンプ電極１５とを接合部材１８を介して接合して積層した構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部２１の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部２２によって水路３０の一部を構成し、半導体チップ１１等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部２１および熱可塑性樹脂モールド部２２にて覆ったユニット１０を積層することで、冷却機構を構成する水路３０が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部２２のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部２２を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部２２以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内の部材間の剥離及び封止用樹脂に於けるクラックの発生を防止する。
【解決手段】半導体素子、当該半導体素子の平面寸法よりも小さな平面寸法を有するダイパッド、前記ダイパッドより延在された複数の吊りリード、前記半導体素子、前記ダイパッドならびに前記吊りリードを被覆する封止用樹脂を具備し、前記吊りリードは、前記ダイパッドに於ける半導体素子搭載面に連続する第１の主面の幅が、当該ダイパッドの他方の面に連続する第２の主面の幅よりも小とされてなることにより、半導体素子と吊りリードの接触時の接触面積を小さくして両者間の剥離を防止すると共に、加熱下で生じる応力の集中を回避して封止用樹脂に於けるクラックの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、樹脂パッケージの排湿効果をより向上可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体チップ１０が載置された基板２０と、前記半導体チップ１０の電極と電気的に接続された外部電極が設けられたリード４０と、前記リード４０の前記外部電極と接続されていない側の一部を外部に導出し、前記リード４０の残りの部分と前記半導体チップ１０が載置された基板２０とを封止する樹脂パッケージ６０とを備え、前記樹脂パッケージ６０内に設けられ、前記基板２０に対して前記基板２０に載置される前記半導体チップ１０側の樹脂パッケージ６０表面上に一部が露出した吸湿部材７０とをさらに備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装を行った発光素子と支持体との間に、発光素子を覆う封止部材が必要以上に入り込まないように塗布することを、より簡便な方法で提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置の製造方法は、支持体にフリップチップ実装された矩形の発光素子と、前記発光素子を覆う封止部材とを有し、前記封止部材を前記発光素子の側面に沿って塗布する第１の工程と、前記封止部材を前記発光素子の上面から塗布する第２の工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】赤外線リフローを行うことによって実装された一の半導体パッケージが不良品であった場合でも、その不良品の半導体パッケージを実装基板から取り外すためには再度赤外線リフローを行う必要があり、良品である他の半導体パッケージにも熱によるストレスが加わっていた。そのため、良品である半導体パッケージに定められた赤外線リフローの回数を超えて赤外線リフローが行われると、良品の半導体パッケージに対する動作の保障が行えず、実装基板ごと、廃棄せざるを得なかった。
【解決手段】
保護部材とパッケージ基板を貫通する穴部に磁性体を通し、その磁性体で半導体パッケージを実装基板に固定する。半導体パッケージへの電力の供給は、パッケージ基板と実装基板に設けられたコイルによる電磁誘導を用いる。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０に、接続電極２０ａを支持体１０側に向けて半導体チップ２０を仮固定する工程と、支持体１０及び半導体チップ２０の上に、半導体チップ２０を被覆する樹脂染込防止用絶縁層３０を形成する工程と、樹脂染込防止用絶縁層３０の上に、半導体チップ２０の周囲及び背面側を封止する樹脂基板５０を形成する工程と、支持体１０を除去することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる工程とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにビルドアップ配線ＢＷが直接接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板にフリップチップ接続する際に、接着強度を良好にしつつ、アンダーフィル樹脂のフィレット形状が安定的に均等になるようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２上にフリップチップ接続された半導体チップ１３０と、基板１０２と半導体チップ１３０との間に形成され、フィレット１２０ａを含むアンダーフィル樹脂１２０とを含む。アンダーフィル樹脂１２０は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域の少なくとも一部において第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４とが積層された構成を有し、第１の樹脂層１２２と第２の樹脂層１２４の少なくとも一方は、半導体チップ１３０と平面視で重なる領域とフィレット１２０ａとにわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＡＰ法を用いても清浄度の高い雰囲気内で発塵を抑えることができる電子部品パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品パッケージは、一対の主面及び端面を有する回路基板１と、前記回路基板１の一方の主面上に実装された容量型湿度センサ４と、前記回路基板の端面以外の前記一方の主面上において前記容量型湿度センサ４を封止する封止樹脂２と、前記回路基板１の少なくとも前記端面の封止樹脂２を覆う端面保護層３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】易発塵性基板を用いても清浄度の高い雰囲気内で発塵を抑えることができる電子部品パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品パッケージは、一対の主面及び端面を有する回路基板１と、前記回路基板１の一方の主面上に実装された容量型湿度センサと、前記易発塵性基板の端面以外の前記一方の主面上において前記容量型湿度センサを封止する封止樹脂２と、前記回路基板１の少なくとも前記端面を覆う端面保護層８と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板剛性の確保と、リペアの容易性の両立を図る。
【解決手段】電子部品２・３・４・５が実装された基板１の製造方法であって、基板１の電子部品２・３・４・５が実装された面を覆うフィルム６を接着材により貼付するフィルム貼付ステップと、そのフィルム貼付ステップによって貼付されたフィルム６の上に補強用の樹脂７を形成する補強材形成ステップと、を含む。具体的には、基板１及び電子部品２・３・４・５にフィルム６を接着する接着材は、基板１に対する剥離強度において、樹脂７より低いものである。 （もっと読む）