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Fターム[4M109GA05]の内容

Fターム[4M109GA05]に分類される特許

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【課題】モールド樹脂で封止された半導体装置において、絶縁耐圧の高い電力制御用の半導体装置を提供する。
【解決手段】電力制御用の半導体装置1は、電極部40Aを有する低電圧側の第1電極端子40と、電極部50Aを有する高電圧側の第2電極端子50と、電極部40A,50Aに接続されているスイッチング素子10と、スイッチング素子10をモールド樹脂で封止する封止部80とを備えている。絶縁シート43,53は封止部80から露出するように電極部40A,50Aの第2面42,52に設けられている。絶縁シート43,53は第2面42,52よりも大きい形状とされている。 (もっと読む)


【課題】この発明は、金属配線部材とヒートシンクとの間に介装される絶縁樹脂層の厚みを高精度に管理できるようにし、要求される電気絶縁性と熱伝導性を安定して確保することができる電力変換装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体素子3が表面に搭載された金属配線部材4、金属配線部材4の裏面を露出させて、金属配線部材4および半導体素子3を埋設するモールド樹脂5、およびモールド樹脂5から延出する入出力端子7,9を有するパワーモジュール2と、金属配線部材4の露出面に対向して配設されるヒートシンク11と、モールド樹脂4の金属配線部材4の露出面の外側部位とヒートシンク11との間に挟持されて、金属配線部材4の露出面とヒートシンク11との間に所定の隙間を形成する樹脂厚み規制部材13と、金属配線部材4の露出面を覆うようにパワーモジュール2とヒートシンク11との間に充填された絶縁樹脂層12と、を備える。 (もっと読む)


【課題】封止体の剥離を防止し、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子4と、主面1fに電力用半導体素子4が接合された回路基板1と、回路基板1の主面1fの反対側の面1rを除き、少なくとも電力用半導体素子4を含む主面1fを封止する封止体7と、を備え、回路基板1の主面1fの、少なくとも周縁部よりも電力用半導体素子4が接合された部分に近い領域L1には、封止体7内に食い込む突起2が電力用半導体素子4を囲むように形成されているとともに、突起2は、主面1fから離れるにつれて主面1fに平行な断面が広がる拡張部2eを有するように構成した。 (もっと読む)


【課題】良好な電気絶縁性が確保された熱伝導性絶縁樹脂シートを有する半導体装置と当該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導性絶縁樹脂シート30が、ヒートシンク7またはパワーモジュール20のいずか一方に設けられたシート接着用凹部51に封入され、シート接着用凹部51の周縁と相対するモールド樹脂5の面は、パワーモジュール20の上方に向けてモールド樹脂5内に突出して、熱伝導性絶縁樹脂シート30の余剰分と熱伝導性絶縁樹脂シート30から押し出されたボイドとを内包する窪み52を備える半導体装置1と当該半導体装置1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】放熱性が高い封止樹脂の構造を低コストで実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、モールド金型40に、複数のキャビティ46A−46Cが連通領域48A、48Bを介して連通している。そして、熱伝導性に優れた樹脂シート52を、キャビティ46A−46Cおよび連通領域48A、48Bに渡るように配置し、この樹脂シート52によりアイランド12の下面を被覆している。従って、単一の樹脂シート52により、複数のユニット56A−56Cが備えるアイランド12の下面が被覆されるので、簡素化された工程により放熱性に優れた半導体装置を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置10は、一方の主面12pが大気に露出している金属板12と、金属板12の他方の主面12q上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層14と、絶縁層14上に形成された導体パターン16と、導体パターン16に実装された半導体素子20と、導体パターン16に接合されたリードピン22と、金属板12の他方の主面12q側を覆う樹脂部24と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 (もっと読む)


【課題】反り、クラック等の不具合の防止、実装の適正化および容易化、等を実現しうる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体チップ等を搭載した絶縁基板に接合された一方主面を有するベース板120と、ベース板120の一方主面と絶縁基板と半導体チップ等を覆うように且つベース板120の他方主面は露出するように設けられたトランスファーモールド樹脂140とを含む。ベース板120の線膨張係数は銅のそれよりも低く、トランスファーモールド樹脂140の線膨張係数は16ppm/℃以下である。トランスファーモールド樹脂140は、ベース板120の相対する短辺中央部付近がそれぞれ露出するようにえぐられた形状142を有している。ベース板120は、トランスファーモールド樹脂140のえぐられた形状142によって露出している各部分に、取り付け穴122を有している。 (もっと読む)


【課題】配線基板上に電子部品を搭載し、その上に電子部品の放熱および電極の用をなすクリップを設け、クリップを配線基板にはんだ付けしてなる電子装置において、簡易な構成にて、配線基板の一面上におけるクリップの高さ位置ずれを抑制する。
【解決手段】配線基板10の一面11上にて電子部品20を介して搭載されたクリップ30は、端子部32にてはんだ50を介して接続されるとともに、板部31と一体に形成され板部31の外郭から配線基板10の一面11側に延びる脚部32を備えており、この脚部32は、配線基板10に対して接合することなく非導通状態で直接接触しており、クリップ30は脚部32にて配線基板10に支持されることにより、配線基板10の一面11上におけるクリップ30の高さが規定されている。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも2層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂(A)及び平均粒径0.1μm以上5μm以下、且つ、最大粒径10μm以下であり、熱伝導率が2W/(m・K)以上の無機フィラー(B)を含有する第1の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂を封止材とした絶縁シート構造のパワーモジュールにおいて、吸湿による絶縁シートの絶縁性能低下を防止することにより、長期的信頼性を向上させる。
【解決手段】金属基板11と、絶縁シート2と、ヒートスプレッタ3と、半導体素子4と、リードフレーム5と、配線6と、封止樹脂7とを備え、金属基板11は、その端部が湾曲形状を有するとともに封止樹脂7内に封止される。これにより、外部から絶縁シート2までの水分浸入経路を長くすることができ、吸湿による絶縁シート2の絶縁性低下を防止して、パワーモジュールの長期信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置1は、リードフレーム2に実装された半導体素子3、半導体素子3内に設けられた第1伝熱層4、第1伝熱層4に接続された第2伝熱層5、第2伝熱層5に接続された第3伝熱層6、及び樹脂層7を含む。樹脂層7は、半導体素子3、第1伝熱層4、第2伝熱層5を封止し、樹脂層7からは第3伝熱層6が表出する。半導体素子3で発生した熱は、第1伝熱層4、第2伝熱層5、第3伝熱層6へと効率的に伝熱され、樹脂層7から表出する第3伝熱層6から外部へと放熱される。 (もっと読む)


【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ1は、パッケージ基板80、およびパッケージ基板80の上に実装されるチップ積層体10を備える。チップ積層体10とパッケージ基板80とは、チップ積層体10の第1半導体チップ100とパッケージ基板80との間に配置されるソルダボール110を介して電気的に連結される。第1半導体チップ100の上には第2半導体チップ200が積層される。第2半導体チップ200の上面200sは、平坦化されたモールディング膜350に覆われることなく露出し、放熱膜401と直接接触する。これにより、第1半導体チップ100および第2半導体チップ200で発生する熱は、放熱膜401を通じて容易に放出することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスチップの3D積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】三次元集積回路用の層間充填材組成物が、120℃における溶融粘度が100Pa・s以下である樹脂(A)及びフラックス(B)を含有し、フラックス(B)の含有量が樹脂(A)100重量部当たり0.1重量部以上10重量部以下であるか、又は、120℃における溶融粘度が100Pa・s以下であって、熱伝導率が0.2W/mK以上である樹脂(A)と、熱伝導率が2W/mK以上、体積平均粒径が0.1μm以上5μm以下、かつ、最大体積粒径が10μm以下である無機フィラー(C)と、硬化剤(D)及び/またはフラックス(B)とを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた接着強度を有する金属樹脂複合構造体及びその製造方法、並びにバスバ、モジュールケース及び樹脂製コネクタ部品を提供する。
【解決手段】融点が500℃以上の高融点金属を含む金属部材1と樹脂部材2とを一体化した金属樹脂複合構造体10において、金属部材1と樹脂部材2との間に、500℃未満の融点を有する低融点金属を含んでなる合金層3が設けられ、合金層3と樹脂部材2との接合面において、合金層3の平均表面粗さが5nm以上1μm未満であり、合金層3の接合面に形成される凹凸の凹凸周期が5nm以上1μm未満であることを特徴とする、金属樹脂複合構造体。 (もっと読む)


【課題】半導体チップからダイパッドへ効率良く放熱する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド121を含むリードフレーム102と、ダイパッド121のチップ搭載領域にダイボンド材132により接合された半導体チップ101とを備えている。チップ搭載領域は、半導体チップ101に間隔をおいて外嵌する第1の部分124aと、第1の部分124aよりもその壁面と半導体チップ101の側面との間隔が大きい第2の部分124bとを含む凹部124である。半導体チップ101の側面と凹部124の壁面との間にはダイボンド材132が充填されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡易な方法で半導体パッケージ部と放熱フィンとの間の密着性を高め、放熱性を高めることができる半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、放熱フィン13、14と、放熱フィン13、14上面の一部を露呈して当該上面に接合された絶縁シート4と、絶縁シート4上に配置されたヒートスプレッダ2と、ヒートスプレッダ2上に配置されたパワー素子1と、放熱フィン13、14上面の一部を含む所定の面と、絶縁シート4と、ヒートスプレッダ2と、パワー素子1とを覆って形成されたトランスファーモールド樹脂8とを備え、放熱フィン13、14上面は、絶縁シート4の端部を拘束すべく形成された凸形状および/又は凹形状を有する。 (もっと読む)


【課題】簡易な手順でダイパッドの裏面に樹脂バリが形成されるのを防ぐ。
【解決手段】ダイパッド114の一面と反対側の裏面は、封止樹脂130の一面から露出して形成されている。また、封止樹脂130の一面には、中央部構造体109の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された凹部126が設けられている。ここで、凹部126の深さは、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上である。 (もっと読む)


【課題】簡便な構成により、ケース内の防水性を高めると共に、動作時に相対的に大きな熱量を発生する電子部品から残余の電子部品に対して不要な熱を伝えることを抑制できる電子制御装置を提供する。
【解決手段】複数の電子部品10、12と、複数の電子部品を実装した基板20と、複数の電子部品を実装した基板を収容するケース30と、複数の電子部品及び基板を外部から封止すると共に、ケースに伝熱自在なように、ケースの内部に充填された充填樹脂40と、を備え、ケースの熱伝導率が、充填樹脂の熱伝導率よりも大きく設定される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の動作に対する信頼性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】外装体14と、その外装体14の内部に収納されると共に、その外装体14から端部が突出したリードフレーム11と、その外装体14の内部に収納され、リードフレーム11に実装された半導体素子12と、を備え、外装体14は、局所的に偏在する多孔質フィラー15を含有した封止樹脂で形成されている。これにより、効率的な放熱が可能な樹脂封止型半導体装置とその製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


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