【課題】高い気密性を有する中空パッケージを実現する。
【解決手段】中空パッケージ（１）は，第一基板（１０）と，第二基板（１８）と，第一基板と第二基板との間に形成され第一基板と第二基板とに両端面が密着している樹脂からなるスペーサー（１２）と，スペーサーの側壁面と第一基板と第二基板とに続いて密着している金属膜（１４，１６）と，を備え，第二基板とスペーサーとの間の一部に金属膜の一部が入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロニクスメカニカルシステム）などの製造に好適な、シリコンウエハなどと低温で陽極接合が可能なガラスを提供すること。さらに好ましくは低温かつ低電圧で陽極接合が可能なガラスを提供すること。
【解決手段】 酸化物基準のモル％で０．１％〜２０％のＮａ_２Ｏ、０．１％〜５０％のＰ_２Ｏ_５の各成分を含有する陽極接合用ガラス。より好ましくは酸化物基準のモル％で、３０％〜９０％のＳｉＯ_２、０％〜５０％のＢ_２Ｏ_３、０％〜５０％のＡｌ_２Ｏ_３の各成分を含有する請求項１に記載の陽極接合用ガラス。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、極めて小さな表面積を占める、例えばオシレータ型の共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、可動素子（３）と固定素子（４）とを備えるナノメータサイズ又はマイクロメータサイズの電気機械共振器（１）を備える。検出手段は、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに、固定素子（４）に対する可動素子（３）の動きを表す検出信号を供給する。共振器（１）は、検出手段及びフィードバックループと同じ基板上に形成される。フィードバックループは、多くとも、基準電圧（ＧＮＤ）と励振入力（Ｅ）との間に直列に接続される第１トランジスタ（６）及び第２トランジスタ（７）を備える。容量性負荷（５）は、励振入力（Ｅ）と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。検出信号は、第１トランジスタ（６）の導電率を制御する。 （もっと読む）

【課題】実装が容易であり、且つ、公知のオシレータと比較して優れた性能を有する共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、複数の同期化されたオシレータを備える。各オシレータは、共振器（１）を備える。共振器（１）は、共振器（１）の振動を表す検出信号を、共振器（１）の励振入力（Ｅ）に接続されるフィードバックループに供給する検出手段を備える。検出信号は、オシレータのフィードバックループの導電率を制御する。全ての共振器の励振入力は、共振装置の出力を構成する共通部に接続される。容量性負荷（５）は、共通部と基準電圧（ＧＮＤ）との間に接続される。 （もっと読む）

【課題】センサウェハとパッケージウェハとの接合時に発生する残留応力の低減が可能なセンサエレメントを提供する。
【解決手段】センシング部を有するセンサ基板（センサ本体）１を複数形成したセンサウェハ１０と貫通孔配線形成基板（第１のパッケージ用基板部）２を複数形成した第１のパッケージウェハ２０およびカバー基板（第２のパッケージ用基板部）３を複数形成した第２のパッケージウェハ３０とをウェハレベルで常温接合することで形成したウェハレベルパッケージ構造体１００から所定のサイズに切断することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 感度が高く製造コストが低いコンデンサマイクロホン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 固定電極と通孔を有するプレートと、可動電極を有し音波によって振動するダイヤフラムと、前記プレートと前記ダイヤフラムとを絶縁しながら支持し、前記固定電極と前記可動電極の間に空隙を形成しているスペーサとを備え、前記プレート、前記ダイヤフラムの少なくとも一方は、前記スペーサに近い近端部の少なくとも一部の比抵抗が残部領域よりも高い単層半導体膜である、コンデンサマイクロホン。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程で封止性を維持しつつ効率よく製造が可能であり、かつ温度の変動による検出精度の変化を抑えることが可能な高性能な静電容量型圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 圧力センサ１０は、ガラス基板１１と、このガラス基板１１の第１面１１ａに形成される第１シリコン層１２と、ガラス基板１１の第２面１１ｂに形成される第２シリコン層１３とから概略構成されている。ガラス基板１１の一部には、第１面１１ａから第２面１１ｂに向けて貫通するコンタクトホール１４が形成されている。ガラス基板１１の第１面１１ａには、ガラス基板１１のほぼ中心付近に広がる固定電極１５が形成される。 （もっと読む）