【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ａｇ−Ｓｎ合金の焼結体よりなり、回路チップ２０側から基台１０側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が１以上の円錐形状をなす円錐部材４０であり、基台１０の一面１１に設けられたはんだ６０により、円錐部材４０の先端部４２側と基台１０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】溶接の際に発生する溶接スパッタによる導体部の短絡を防止することができる導体部の短絡防止構造を提供する。
【解決手段】モールド本体３には、複数の導体２の一部分を露出させるとともに、複数の導体２の露出部分と溶接される複数の接続導体４ａを有する搭載部品４の少なくとも一部を収容するための部品収容部３ａが形成されている。溶接の際に飛散する溶接スパッタを落下させる開口部３ｃが部品収容部３ａに貫通して形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い気密性を有する中空パッケージを実現する。
【解決手段】中空パッケージ（１）は，第一基板（１０）と，第二基板（１８）と，第一基板と第二基板との間に形成され第一基板と第二基板とに両端面が密着している樹脂からなるスペーサー（１２）と，スペーサーの側壁面と第一基板と第二基板とに続いて密着している金属膜（１４，１６）と，を備え，第二基板とスペーサーとの間の一部に金属膜の一部が入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせプロセス時のウェハの局所的な変形を低減する半導体製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第１及び第２の半導体基板の接合面同士を一点接触させて周囲に接合を進展させて第１及び第２の半導体基板を全面で接合する半導体製造装置である。半導体製造装置は、第１の半導体基板の外周部分を支持するステージと、第２の半導体基板の接合面とステージに支持された第１の半導体基板の接合面とを対向させて、第２の半導体基板を保持する基板支持装置と、接合面同士を対向させた第１及び第２の半導体基板の法線方向の同軸上に、法線方向に移動可能にそれぞれ配置された第１及び第２の圧子と、第１の圧子を第１の半導体基板の接合面と反対側の面と接触させ、その後、第２の圧子で第２の半導体基板の接合面とは反対側の面の一点を予め定められた圧力で加圧して接合開始点を形成するコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを提供する。
【解決手段】本発明のセンサパッケージは、半導体センサチップ１と、半導体センサチップ１を搭載するための半導体センサチップ搭載領域２ａを有するパッケージ本体２とを備え、樹脂の射出成形により、半導体センサチップ１と反対側の裏面２ｂに半導体センサチップ搭載領域２ａを取り囲むように溝４が形成されている。そして、裏面２ｂには、溝４の内側の樹脂部分と溝４の外側の樹脂部分とを連結する架橋部５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハ貫通ビア（ＴＷＶ）を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された３Ｄ相互接続を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の１つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、１つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】センサチップへの応力の伝達を防止し得るセンサチップの取付構造を提供する。
【解決手段】センサ１０は、主に、センサチップ２０と、このセンサチップ２０を取り付けるための部材である被取付部材３０と、センサチップ２０および被取付部材３０との間に介在する磁性流体４０等から構成されている。センサチップ２０は、受圧面２１が形成される面とは反対側の面である磁性流体側面２３にて、磁性流体４０の表面張力により当該磁性流体４０に保持されて固定されている。磁性流体４０は、被取付部材３０の永久磁石３３により当該被取付部材３０のチップ側面３１に磁気吸着により固定されている。 （もっと読む）

【課題】コストを増大することなく導入管の形状を容易に変更することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】薄膜のダイアフラム部１ａ及び該ダイアフラム部１ａの圧力による撓みを検出する検出素子が形成されたセンサチップ１と、センサチップ１を収納する一面を開口した略箱形のボディ１１並びにボディ１１に取り付けられて被圧力検出流体をボディ１１内部に導入する導入口１２ａを有する導入管１２から成るパッケージ１０とを備え、導入管１２には、その一端部の周方向に沿って外側に向けて突出する鍔部１２ｂが一体に設けられ、該鍔部１２ｂは、円形状に形成され、ボディ１１の上端の外周縁に係止され且つボディ１１の前記開口を塞ぐとともに、封止材６で封止されることでボディ１１に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】音声認識に必要な振動数領域内の固体伝播音及び空気伝播音によるノイズを抑制することが可能なマイクロフォンシステムを提供する。
【解決手段】マイクロフォンシステムは、受音部２１が前面側に設けられたマイクロフォン２２、及びマイクロフォン２２の後面側に取り付けられたウェイト２３を有するマイクロフォンユニット２０と、音穴１１と連通する開口３１を有し、マイクロフォンユニット２０の前面側と頭部筐体１０とにそれぞれ密着して配置される第１柔軟部材３０と、頭部筐体１０に固定されたケーシング４０と、ケーシング４０に保持され、マイクロフォンユニット２０の後面側に密着して配置される第２柔軟部材５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】より確実に基板の表裏逆取付けを規制することが可能な基板取付け構造および物理量センサを提供する。
【解決手段】基板１１をコネクタハウジング１３に取り付ける基板取付け構造であって、基板１１に、正規の状態ではコネクタハウジング１３側の部材に干渉せず、かつ表裏逆の状態ではコネクタハウジング１３側の部材に干渉する干渉部を設けた。 （もっと読む）

【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート１０を有し、サブストレート１０には空洞Ｋが設けられている。空洞Ｋは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有する。空洞Ｋの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームＳＫ１，ＳＫ２を有する安定化クロスによって達成される。 （もっと読む）

【課題】センサユニットと信号処理ユニットとを着脱可能に接合することができ、容量結合によりセンサユニットから信号処理ユニットへ信号を伝送する、非接触信号伝送システムを提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極と、前記第１の電極に電気的に接続された少なくとも１つのセンサ素子とを含むセンサユニットと、前記第１の電極と容量結合された第２の電極と、増幅器とを含む信号処理ユニットと、を備え、前記センサユニットと前記信号処理ユニットとは、着脱可能である、非接触信号伝送システムを提供する。
さらに、前記少なくとも１のセンサ素子が複数のセンサ素子である場合に、１または複数種類のセンサからなることを特徴とする非接触信号伝送システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】表面実装アプリケーションのセンサパッケージを提供する。
【解決手段】センサパッケージは、上部表面（１１６）に固定された第１装置（１２２）と、下部表面（１１８）に固定された第２装置（１２４）と、ハウジングの外部の回路との電気接続を防止するリードを備える。リードは、接続パッド（１２６、１２８）が上部表面（１１６）及び下部表面（１１８）上に配置されるリードフレーム（１０４）の側部近傍の端部を有する。端部は、センサパッケージの外部接続とは独立して第１装置（１２２）と第２装置（１２４）を接続するように、接続パッド（１２６、１２８）から、ワイヤボンドなどの接続を受け入れる。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロニクスメカニカルシステム）などの製造に好適な、シリコンウエハなどと低温で陽極接合が可能なガラスを提供すること。さらに好ましくは低温かつ低電圧で陽極接合が可能なガラスを提供すること。
【解決手段】 酸化物基準のモル％で０．１％〜２０％のＮａ_２Ｏ、０．１％〜５０％のＰ_２Ｏ_５の各成分を含有する陽極接合用ガラス。より好ましくは酸化物基準のモル％で、３０％〜９０％のＳｉＯ_２、０％〜５０％のＢ_２Ｏ_３、０％〜５０％のＡｌ_２Ｏ_３の各成分を含有する請求項１に記載の陽極接合用ガラス。 （もっと読む）

【課題】矩形の基板上に、変換体と矩形の半導体基板と有し、小型化と低コスト化可能な変換体モジュールを提供する。
【解決手段】矩形の形状を有する基板２と、鋭角の頂点を１つ以上含む多角形の形状を有する変換体３と、矩形の形状を有する半導体基板４とを備え、変換体３は、基板２の第１側辺と変換体３の一つの側辺とが実質的に平行となるように、基板２上に配置され、半導体基板４は、基板２の第１側辺と半導体基板４の１つの側辺とが実質的に平行となるように基板２に配置される。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜として窒化膜を形成しつつ、モールド樹脂の剥離を抑制できる。半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板１８上に形成された素子と、該基板１８上に形成された窒化膜２０と、該窒化膜２０上に形成された剥離防止膜２２と、該剥離防止膜２２と該素子を覆うように形成されたモールド樹脂３６と、を備える。そして、該剥離防止膜２２は圧縮応力が残留した膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を貫通トレンチ２０で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極１００において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第１の成長膜４０と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部５５を含み、該横断部の底面部が前記第１の成長膜の内側に接触するように充填された第２の成長膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）