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Fターム[4M112CA23]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | ビーム(梁)、重錘の構造、形状 (1,346) | ビーム(梁)、重錘を1箇所で支持するもの (162)

Fターム[4M112CA23]に分類される特許

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【課題】振動子の重心と支持部材による支持の中心とを一致させることで、外来振動に起因するノイズの低減と、安定した振動子の支持を実現した振動子デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ40の内部で弾性材からなる支持部材20により振動子10が支持された振動子デバイス1であり、振動子10と異なる部材で形成した錘50を振動子10上に設けることで、支持部材20による振動子10の支持の中心位置P2と、錘50が設けられた振動子10の重心調整位置P3とを一致させる構成とした。これにより、外来振動や衝撃に起因するノイズを低減して、安定した信号を出力する振動子デバイスを提供することが出来る。 (もっと読む)


【課題】蓄電部に効率よく蓄電することが可能な環境発電デバイスを提供する。
【解決手段】環境発電デバイス1は、複数個の発電部24を有する圧電型振動発電装置2と、2個のダイオードD41,D42を用いて構成される第1の電力取り出し回路4と、電子式アナログスイッチS1〜S6とエネルギ蓄積素子54とを用いて構成される第2の電力取り出し回路5と、第1接続形態と第2接続形態とを択一的に切替可能な切替回路6と、蓄電部3を電源として第2の電力取り出し回路5および切替回路6を制御する制御部7を備える。切替回路6は、第1接続形態では、第1の電力取り出し回路4の入力端間に複数個の発電部24の直列回路を接続させ且つ第1の電力取り出し回路4の出力端間に蓄電部3を接続させ、第2接続形態では、第2の電力取り出し回路5の入力端間に複数個の発電部24の並列回路を接続させ且つ第2の電力取り出し回路5の出力端間に蓄電部3を接続させる。 (もっと読む)


【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第1ドーピング領域20と、該第1ドーピング領域20と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分32を含む第2ドーピング領域30と、該第1ドーピング領域と該第1振動部分32との間に備えられた、空間60と、を備えるトランスデューサ。第1及び第2ドーピング領域20,30は、一体である。第1振動部分は複数の貫通ホール40を含み、振動部分上に貫通ホール40を密封する物質膜50が備えられる。 (もっと読む)


【課題】素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供する。
【解決手段】電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサ(40)において、第1の電歪材料層(1)およびその両面に各々配置された一対の電極(3a、3b)より構成される第1の電歪素子(10)と、第2の電歪材料層(11)およびその両面に各々配置された一対の電極(13a、13b)より構成される第2の電歪素子(20)と、これら電歪素子間に挟持された基材(25)とを含む受感部(30)を設ける。受感部(30)は、外力の作用を受けることにより変形である。第1および第2の電歪材料層(1、11)の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線(5a、5b、15a、15b)が接続される。第1および第2の電歪材料層(1、11)は、10μm以下の厚みおよび20以上の比誘電率を各々有するものとする。 (もっと読む)


【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ20の一端23側をモールド樹脂50で封止してモールド樹脂50で片持ち支持するようにしたモールドパッケージS1の製造方法においてリードフレーム30として、センサチップ20の他端24側を支持する支持部33を有するものを用意し、センサチップ20の他端23側を支持部33で受けて支持するようにし、支持部33による支持を維持した状態にてモールド樹脂50による封止を行った後に、リードフレーム30から支持部33をカットして、センサチップ20の他端24側から支持部33を除去する。 (もっと読む)


【課題】圧電板に加わる外力を高精度にかつ容易に検出することができる外力検出装置を提供すること。
【解決手段】容器1内に片持ちで支持された水晶板2の中央部にて両面に夫々励振電極31、41を形成する。水晶板2の先端部の両面側に、励振電極41に電気的に接続される可動電極51、52を夫々設ける。容器1側に可動電極51、52に夫々対向する固定電極61、62を設ける。上面側の励振電極31を発振回路14の一端側に接続し、固定電極61、62をスイッチ部8により発振回路14の他端側に切り替え接続できるようにする。水晶板2が外力により撓むと、固定電極61、62のいずれに切り替えたときにも発振周波数が変化する。固定電極61側に切り替えたときの発振周波数の変化分と、固定電極62側に切り替えたときの発振周波数の変化分との差分を求めて外力を評価する。 (もっと読む)


【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のMEMSセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層10には、動作領域15と外部領域16とを区画する枠体14とが形成される。前記枠体14と支持基板1間は第1の絶縁層3aを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部18が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面14fを介して前記横方向溝部18での間隔よりも近接する前記枠体と前記第2の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部30aを介して接合されている。傾斜側面14fの傾き角度θ1は、鈍角である。そして横方向溝部18内にて現れる金属接合部30aの外周表面が保護絶縁層41により覆われている。 (もっと読む)


【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層10には、動作領域15と外部領域16とを区画する枠体14とが形成される。前記枠体14と支持基板1間は第1の絶縁層3aを介して接合される。枠体14と配線基板2間は、金属結合部30aを介して接合されている。金属結合部30aでは、配線基板2の表面に第1の金属層31aが形成され、枠体14の表面に第2の金属層32aが形成され、第1の金属層31aと第2の金属層32aとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第1の絶縁層3aの外周側面3cは、枠体14の外周側面14aよりも前記動作領域の方向に後退している。第1の金属層と前記第2の金属層との接合界面Aの外周端部Bは、前記第1の絶縁層3aの外周側面3cよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 (もっと読む)


【課題】信頼性のより高い力学量センサーを提供する。
【解決手段】基板に固定されたアンカーおよび固定電極と、前記アンカーと前記固定電極の間において前記基板から離れて形成され、前記固定電極と接触すると前記固定電極と導通する可動電極と、前記アンカーに一端が接続され、前記可動電極に他端が接続され、前記基板から離れて形成されたビームとを有し、前記ビームは、複数の直線ビームと前記複数の直線ビームのうち隣接する2つの直線ビームの長手方向を異ならせて前記2つの直線ビームを接続するビーム接続部とを有する力学量センサーを提供する。 (もっと読む)


【課題】主にMEMS技術を利用してダイアフラムを形成したセンサーの機能を有する半導体チップ構造の小型化を行う。
【解決手段】半導体チップは、平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域17の中央にセンサー機能を有し、有効領域17内の2つの頂角の内側に電極パッド21,23が設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点31と、仮想電極パッドにおける頂点31から最も離れた位置との距離をLsとし、頂角の角度を2θとするとき、電極パッド21,23は、半径Rの円形状をし、半径Rは、R<Ls/(1+(1/sinθ))である。 (もっと読む)


【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間(絶縁体層)で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板1は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部1aと、他方の面において、絶縁体層2における基板1の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部1bと、を有したものである。絶縁体層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板1の凹部1aの内部に形成されているものである。また、絶縁体層2の厚さは、2μmより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型MEMSセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型MEMSセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン1は、互いに対向する第1電極部Xおよび第2電極部Yを有している。静電容量型マイクロフォン1は、第1電極部Xとしての側壁12を有する凹所9が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板2と、凹所9の深さ方向に沿う姿勢で第1電極部Xに対向するように凹所9内に配置され、凹所9の底面から離隔した底面20Cを有し、半導体基板2の材料からなる第2電極部Yとしての膜20と、膜20を半導体基板2に結合する絶縁膜21とを含む。 (もっと読む)


【課題】くし歯状電極を有する静電容量型加速度計の機械的な振動に由来するノイズレベルを改善する。
【解決手段】可動質量部5及び/又は固定部2の各電極3、4のうち、少なくとも一つが幅広の基部と先端部で幅狭の輪郭をもつフィンガー形状を有する。更に静電容量の変化を検出する電子回路による反復的な復帰用静電気力を、可動質量部5及び/又は固定部2の各電極3、4の機械的共振周波数で実質的にゼロ出力となる領域をもつように設定する。 (もっと読む)


【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるMEMS素子を提供する。
【解決手段】半導体基板20と、半導体基板20の主面20aに、半導体基板20と相対変位可能に設けられた可動部33と、半導体基板20の主面20a上に、可動部33を覆うように設けられた蓋部50と、半導体基板20の主面20aであって、かつ、蓋部50の外側の領域に設けられた第1の電極端子41と、蓋部50の半導体基板20と対向する面に形成されており、第1の電極端子41と可動部33とを電気的に接続する第1の配線51とを有する。 (もっと読む)


【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板2上の側壁部23及び第1封止層30に覆われた空洞部33内に位置する可動部7bと、空洞部33内に設置され空洞部33内の気体を吸着する第1ゲッター部34及び第2ゲッター部35と、基板2と対向する場所に位置する第1封止層30及び第2封止層32と、を備え、第1封止層30は第1孔30a及び第2孔30bを有し、第2封止層32は第1孔30a及び第2孔30bを封止する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、X軸周り、Y軸周りおよびZ軸周りの3軸方向の角速度を検出することが出来る3軸検出角速度センサを提供することを目的とするものである。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の3軸検出角速度センサは、Y軸およびZ軸検出用角速度センサ素子20と別体に設けられるとともにX軸方向に延出された音叉型のX軸検出用角速度センサ素子70とを設けたため、X軸周り、Y軸周りおよびZ軸周りの3軸方向の角速度を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】優れた検出感度を有する物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、基部31と、基部31からY軸方向に延出し、Z軸方向を法線とする板面を有する梁部34と、梁部34の先端部に設けられた質量部35と、梁部34の板面上に第1電極層421、圧電体層422および第2電極層423がこの順で積層され、梁部34のZ軸方向での曲げ変形を検出する検出素子42とを有し、梁部34は、Z軸方向からみたときに、基端側から先端側に向けて幅が漸減する形状をなす。 (もっと読む)


【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、簡易な構造で、製造を容易にすることのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記基板から離隔して配置された可動部を含む複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部にそれぞれ隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記可動電極に電気的に接続された第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備え、前記複数の可動電極は、それぞれ内部応力を有する薄膜を含み、前記複数の可動電極の前記他端部は、それぞれ対向する前記固定電極と電気的に接触し、前記複数の可動電極の前記他端部は、印加される外力に応じて変位し、前記固定電極と電気的に非接触となることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 SOI層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたMEMSセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたMEMSセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層22に第1の金属層31aが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部14に第2の金属層32aが形成され、第1の金属層31aと第2の金属層32aとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第1の金属層31aのはみ出し部31cと対向する部分で、枠体部14に凹部18が形成され、はみ出し部31cと凹部18の底表面18bとの間に空隙部19aが形成される。CVD法などで成膜される保護絶縁層41が空隙部19aを経て金属結合部30aの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第1の金属層31aまたは第2の金属層32aの腐食を防止しやすくなる。 (もっと読む)


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