【課題】接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、固定板２と半導体基板４とを接合した際に、固定電極２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂに形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板４に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、半導体基板側金属接触部１３を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部１３の半導体基板４に接合される基部１３ａ内に、より硬度の高い材料からなるバッファ層１４を挿入した。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、小型で且つ、高い感度を得ることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 可動電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各可動支持部５０の側部から延出し、各可動支持部５０にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動電極子６０と、を有する。固定電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各固定支持部５１の側部から延出し、各固定支持部５１にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の固定電極子６２と、を有する。複数本の可動支持部と複数本の固定支持部とがＸ１−Ｘ２方向に交互に配列されており、隣り合う可動支持部と固定支持部とが組６６にされて、各組の可動支持部と固定支持部の間にて可動電極子６０と固定電極子６２とが交互に配列されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に気密性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基材２１と、第２の基材３１と、可動部３及び枠体部５を備える機能部と、可動部３の変位を検出する検知部とを有し、第１の枠体部５ａが第１の封止層２３を有し、第２の基材３１の第１の封止層２３と対向する位置に第２の封止層３３が形成され、第１の封止層２３が第２の封止層３３と対向する面に第１の接合面と第２の接合面とを有し、前記第１の接合面が前記第２の接合面よりも第２の基材３１側に位置するように第１の封止層２３と第２の封止層３３とが接合されてなる物理量センサ１。 （もっと読む）

【課題】支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるＭＥＭＳデバイスを得る。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスＤは、支持基板２ａの側面２ｅに露出させた貫通電極２２ａ〜２２ｅの断面部を、可動電極４、５および固定電極２０ａ〜２１ｂの電位取出口として利用可能とした加速度センサ（第１のセンサ）Ｓ１と、この加速度センサＳ１に支持基板２ａを介して積層されるセンサ基板１Ａを有した圧力センサ（第２のセンサ）Ｓ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】スティッキングをより抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部４（５）と当該錘部４（５）を揺動自在に支持する一対のばね部６ａ、６ｂ（７ａ、７ｂ）とが形成されたシリコン基板１と、シリコン基板１に接合されるとともに錘部４（５）と対向して配置される固定電極を有した支持基板２ａと、を備える。前記固定電極は、前記一対のばね部６ａ、６ｂ（７ａ、７ｂ）を結ぶ直線を境界線として当該境界線の一方側および他方側にそれぞれ配置される第１の固定電極２０ａ（２１ａ）と第２の固定電極２０ｂ（２１ｂ）を備えており、この第１の固定電極２０ａ（２１ａ）と第２の固定電極２０ｂ（２１ｂ）との間の支持基板２ａに、一対のばね部６ａ、６ｂ（７ａ、７ｂ）間に亘る対向領域を凹設させた凹部４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】出力特性の変動を低減することのできる静電容量式センサを提供する。
【解決手段】静電容量式センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４，５と、可動電極４，５の一方面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４，５の他方面に対向して配置された下部固定板２ｂと、可動電極４，５をフレーム部に対して揺動自在に支持するビーム部６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂと、上部固定板２ａの可動電極４，５と対向する側に配置された固定電極２０ａ，２１ａと、可動電極４，５と固定電極２０ａ，２１ａ間の静電容量の変化を検出する検出電極とを備え、可動電極４，５間にある中央部分のフレーム部である中央フレーム部２２の一部または全部は、上部固定板２ａ及び下部固定板２ｂのうちの少なくとも１つと結合されていない。 （もっと読む）

【課題】エアーダンピングを抑制することで慣性質量体が基板側に変位する場合と慣性質量体が基板と反対側に変位する場合との感度差を抑制することによって高精度の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板１と、検出電極２と、ねじれ梁３と、検出プレート４と、リンク梁５と、一方面６ａと他方面６ｂとが対向する方向に変位可能にリンク梁５に支持された慣性質量体６とを備えている。慣性質量体６は、該方向に慣性質量体６を貫通するように設けられた複数の第１の貫通孔Ｈ１を含んでいる。検出プレート４は、該方向に検出プレート４を貫通するように設けられた複数の第２の貫通孔Ｈ２を含んでいる。第１の貫通孔Ｈ１は、第２の貫通孔Ｈ２より大きい開口面積を有している。 （もっと読む）

【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム（ＭＥＭＳ）が、少なくとも２つの基板（５，６）、およびＭＥＭＳ−層内の少なくとも１つの可動構造体（３．１，３．２）を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも２つの基板（５，６，７）の間に封止されたキャビティ（８．１，８．２）内に配置される。前記可動構造体（３．１，３．２）を囲む導電性フレーム（１）が、２つの基板（５，６）の接合面に配置される。フレーム（１）が、前記可動構造体（３．１，３．２）から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部（１３．１，１３．２，１３．３；１４）によって、前記第一基板（５）および第二基板（６）に、各々、電気的に接続される。フレーム（１）が、最大で１５０μｍ（マイクロメートル）、好ましくは、最大で５０μｍ（マイクロメートル）の幅（ｗ）を有してよい。 （もっと読む）

【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体１は枠体部１ａと可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは枠体部１ａの内側にビーム１ｃを介して設けられており、第一の固定基板２には固定電極４が可動体部１ｂ側表面に設けられており、第二の固定基板３にはダミー電極５が可動体部１ｂ側表面に設けられており、可動体部１ｂは第一の固定基板２と可動体部１ｂとの距離の変化を測定するための可動電極６を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部１ｂには当該可動体部１ｂが固定電極４またはダミー電極５に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部７が固定電極４側とダミー電極５側に設けられており、固定電極４上とダミー電極５上の少なくともいずれかには可動体部１ｂが近接した際に第一接触部７と接触する第二接触部８が対向して設けられており、第一接触部７と第二接触部８の材料は絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】長寿命化、歩留率の向上を実現する。
【解決手段】本体１は前記一面が開口した箱状の枠体部１ａとその側壁部１ａ１内側に位置する可動体部１ｂとを有し、可動体部１ｂは当該可動体部１ｂ両側と枠体側面部１ａの内側とを接続する一対のビーム１ｃを回動軸として回動可能に設けられており、可動体部１ｂの第一の固定基板２側には可動電極６が設けられており、第一の固定基板２には平面視で前記回動軸を挟んだ両側となる部分に第一および第二の固定電極４Ａ，４Ｂが可動電極６に対向するように設けられており、平面視において第一の固定電極４Ａと第二の固定電極４Ｂに挟まれた第一の固定基板２の領域を間隔部分７Ａとし、間隔部分７Ａと対向する可動体部１ｂの領域を間隔対向部分７Ｂとした場合において、間隔部分７Ａと間隔対向部分７Ｂの少なくともいずれか一方に凹部８を設けた。 （もっと読む）

【課題】放電防止用の配線部の切断に伴う不具合の発生を抑制する。
【解決手段】センサチップ１の上面に絶縁材料製の保護壁12が形成されている。また保護壁12の一部である第１保護壁120は、放電防止用配線部25，26と可動電極4A，4Bを導通させる導電部11を放電防止用配線部25，26と隔てる位置に起立している。故に、放電防止用配線部25，26の切断部分Ｘの金属材料Ｙは、保護壁12に遮られることで広い範囲に飛散しないので、不要な箇所(導電部11)への付着が抑制される。その結果、放電防止用配線部25，26の切断に伴う不具合の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】可動部の特性異常をもたらす静電気の影響を緩和するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本体部１と本体部１の一面に形成された第一の固定基板とその反対面に形成された第二の固定基板３からなる半導体素子と、半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、半導体素子には可動電極４が設けられ、第一の固定基板３には固定電極５が可動電極４と対向するように設けられ、ねじれ変形する支持ばね１４を中心に揺動することで変形当該両電極間の電気信号を検出する静電容量型ＭＥＭＳデバイスであって、両電極上のそれぞれには両電極が近接した際に互いに接触する接触部６ａ、６ｂが対向して設けられており、接触部６ａ、６ｂの材料は帯電列における正負順序が可動電極４側と固定電極５側とで異なり、前記正負順序の正負の向きは検出電界の正負の向きと逆である。これにより、接触帯電を起こりにくくするという効果がある。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ２０は、基板２６と、基板２６の平坦面２８に形成されたサスペンションアンカー３４、３６とを備える。ＭＥＭＳセンサ２０は、基板２６上に吊らされる、第１可動素子および第２可動素子をさらに備える。可撓性部材４２、４４が第１可動素子３８をサスペンションアンカー３４に相互接続し、可撓性部材４６、４８が第２可動素子４０をサスペンションアンカー３６に相互接続する。可動素子３８、４０は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるＬ形状可動素子１０８、１１０であってよい。可動素子３８、４０は、基板２６における点位置９４の周りに互いに回転対称に配向される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１つの加速度センサ素子で広範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る加速度センサは、第一の梁３１で保持され加速度により変位可能な第一の質量体２１と、第一の質量体２１の変位を電気量に変換可能に配置された固定電極５１，５２と、第一の質量体２１の変位が所定の範囲を超えたときに、第一の質量体２１の変位容易度に変化をもたらす変位容易度変化部材２２，３２，８，９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】外部応力による支持梁等の座屈を防止し、温度変化による出力変動を解消する。
【解決手段】ＳＯＩウエハ１０の第２のシリコン層１３によって固定部４１と、支持梁４２を介して固定部４１に支持されて変位可能とされた可動電極４３と、可動電極４３を囲む上部フレーム４４を形成し、第１のシリコン層１１によって固定電極４５，４６と、固定電極４５，４６を溝４８を介して囲む下部フレーム４７を形成する。可動電極４３は電極部４３ａを備え、固定電極４５，４６は下部フレーム４７の対向２辺に沿う連結部４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂと、それら連結部間に形成された電極部４５ｃ，４６ｃと、連結部間に支持された搭載部４５ｅ，４６ｅを備える。固定部４１は酸化膜１２を介して搭載部４５ｅ，４６ｅと接合され、下部フレーム４７、連結部は酸化膜１２を介して上部フレーム４４と接合される。下部フレーム４７を基板実装時の接着固定箇所とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）