Fターム[4M112CA27]の内容
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力学量センサ
【課題】力学量センサを小型化すること。
【解決手段】SOI基板20と、SOI基板に支持されており、加速度の印加に応じてSOI基板の基板面と平行に変位する可動部2と、可動部のうち変位方向に沿った両側面から櫛歯状に突出形成された複数の可動片4a〜4iと、隣接する可動片との間に空間が形成されるように各可動片間に固定して配置されており、相互に絶縁された複数の固定片6a〜6iと、相互に隣接する可動片および固定片の各組により、電源Eに並列接続された複数のスイッチS1〜S7が構成されており、加速度の印加に応じて可動部が変位したときに相互に接触する可動片および固定片の組数が加速度の大きさに応じて異なり、かつ、上記組数に応じて異なる電圧を発生するように構成されている。
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力学量センサ及びその製造方法
【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第1基板と、前記第1基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第1基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備えることを特徴とする。
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力学量センサ及びその製造方法
【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第1基板と、前記第1基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第1基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第1端子と、前記固定電極に電気的に接続された第2端子と、を備えることを特徴とする。
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加速度センサの製造方法、1軸加速度センサ
【課題】ピエゾ抵抗素子の形成位置の精度を高め、加速度センサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板の表層に不純物を導入することによってピエゾ抵抗部を形成し、非原型領域のうち、可撓部Fの原型領域の第三端および第四端に隣接し前記第三端と第四端とからそれぞれ一定距離の幅を有する側壁形成領域において、前記基板の表面に、前記基板に対するエッチング選択性を有する側壁14aを形成し、可撓部Fの原型領域および錘部Mの原型領域および枠部Sの原型領域を保護する保護部と、側壁14aとをマスクに用いて前記基板を異方性エッチングすることにより、枠部Sと錘部Mと可撓部Fとを形成するとともに、前記ピエゾ抵抗部からピエゾ抵抗素子P1、P2、P3、P4を形成する。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】慣性センサと半導体電子回路とを有する半導体装置において、慣性センサの感度を向上させる。
【解決手段】第1半導体層、第1絶縁体層及び基板層の順に積層された支持部と、第1半導体層、第1絶縁体層及び基板層の順に積層された可動錘部と、第1半導体層を有し支持部によって可動錘部を支えるための梁部と、梁部に位置する第1半導体層に形成された歪み検出素子と、支持部に位置する第1半導体層及び可動錘部に位置する第1半導体層の少なくともいずれか一方に形成された半導体素子と、を具備する。このように、支持部及び可動錘部が第1半導体層、第1絶縁体層及び基板層を共通に含むので、可動錘部の質量を大きくし、感度の優れた慣性センサを形成することができる。
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素子構造および素子製造方法
【課題】使用時の電流ばらつきを抑えながら空乏層の接触を防止する素子構造を提供する。
【解決手段】SOI基板の表面(N型層)にP型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にN型ドーパントをイオン注入し、N+層を形成する。表面側のN型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけN+層となる。N+層が裏面側の空乏層の広がりを抑止するため、基板の比抵抗を高くしてもピエゾ抵抗の空乏層と接触することがない。例えば、基板の比抵抗を1Ω・cm以上とすれば、ドーパント濃度は1×1016個/cm3以下となり、ピエゾ抵抗のドーパント濃度(例えば1×1018個/cm3)に対して少なくなり、基板の比抵抗のばらつき(1Ω・cm〜10Ω・cm程度)が、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきに与える影響は非常に小さくなる。
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センサーユニットおよびその製造方法
【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、このようなセンサーユニットを簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】センサーユニット1は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサー2と、このセンサーに接合された能動素子モジュール5とを備えたものであり、センサー2は、可動機能領域2A内に位置するピエゾ抵抗素子と、これに電気的に接続され可動機能領域2Aの外側に位置する複数のバンプ6を有するセンサー本体と、センサー本体に接合された保護用蓋部材と、を有し、能動素子モジュール5は、複数のコンタクト電極54を有し、このコンタクト電極54がバンプ6に接続するようにセンサー2と対向し、センサーとの間隙9には、可動機能領域2Aを囲む堰部材7が位置し、この堰部材7の外側の間隙9には弾性率が1〜10GPaの範囲にある封止樹脂8が存在する。
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加速度センサ、及び加速度センサの製造方法
【課題】センサの検出部分が外枠から分離した加速度センサ、及び加速度センサの製造方法を提供する。
【解決手段】底面シリコン基板30の上に実装された加速度センサ1に対して、左右方向からセンサ部28に対して印加される外力(物理的な押圧力など)を外枠2が受け止める構成とされており、センサ部28の内部構造を保護している。シリコン柱4は底面シリコン基板30から立設され、外枠2からは離間し、且つそれぞれが互いに離間して底面シリコン基板30の上に複数設けられている。シリコン柱4の先端からは、それぞれ底面シリコン基板30に沿う方向にビーム6が設けられ、複数のビーム6の先端は空間60の略中央付近で錘部8に一体化されている。
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微小デバイス
【課題】微小デバイス形成時において陽極接合が行われるときにガラス基板にアルカリ金属イオンが析出することを防止できる微小デバイスを提供すること。
【解決手段】フレーム部21とフレーム部21に対して変位自在に支持される錘部22とフレーム部21と錘部22とを接続するビーム部23とを有するセンサ基板11と、ガラス基板とを備える微小デバイスであって、センサ基板11とガラス基板とは陽極接合されており、ガラス基板の両主面には、アルカリ金属イオンの析出を防止する保護膜31が形成されている構成とする。
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加速度センサ
【課題】センサ感度を下げることなく、また交差部角にも応力を集中させずに最大応力を抑制して、耐衝撃性を上げることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ100は、枠部111と、錘部112と、枠部111と錘部112とを連結する梁部113と、梁部113上に形成された加速度検出部と、梁部113と錘部112又は枠部111との連結部に近接するに従って広がるフィレット部116と、連結部115の下側に円弧状又は楕円形状で形成され、かつ連結部115から離れる方向に奥行きを有する応力緩和部117とを備え、応力緩和部117は、梁幅W、交差部幅L、奥行きOとしたとき、L≧100μm、30μm≦W≦60μm、10μm≦O≦40μmに形成する。
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加速度センサ
【課題】 加速度センサにおいて、検出対象の加速度に対する応答性を改善する。
【解決手段】 支持部と、前記支持部に一端が結合している板ばね形の可撓部と、前記可撓部の他端が結合している錘部と、前記可撓部の歪みを検出する歪み検出手段と、を備え、前記錘部に、前記可撓部の厚さ方向と平行でない面を有する凹部および凸部が形成され、前記支持部に、前記錘部に形成された凹部の内側において当該凹部と対向する凸部と、前記錘部に形成された凸部と内側において対向する凹部とが形成されている。
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加速度センサ
【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ100は、加速度検出素子と枠111に形成された電極パッド115とを接続するAl配線116とからなるセンサ部110と、センサ部110に実装されてセンサ部110を密閉空間に収容するキャップ部117と、センサ部110とキャップ部117とを接合する接着層118とを備え、電極パッド115は、センサ部110の密閉空間の方向に拡張された拡張部115Aを有し、キャップ部117は、拡張部115Aの端部と積層される接着層118によりセンサ部110と接合する。
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加速度センサ
【課題】ウエハレベルパッケージを用いて、電極パッド近傍の信頼性を向上させることができる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ100は、加速度検出素子と枠111に形成された電極パッド115(115a〜115d)とを接続するAl配線116とからなるセンサ部110と、枠111上に形成されたAl配線116と電極パッド115(115a〜115d)の一部に積層される保護膜117と、センサ部110を覆って、センサ部110を密閉空間に収容するキャップ部118と、保護膜117上に積層され、センサ部110とキャップ部118とを接合する接着層119とを有する。
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3軸加速度センサ
【課題】オフセットの発生を抑制しつつ、X軸、Y軸、Z軸方向の加速度感度を調整できる、特性の良い3軸加速度センサを提供する。
【解決手段】X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の加速度検出用ピエゾ抵抗素子x1〜x4,y1〜y4,z1〜z4は、梁14a,14b,14c,14dの長手方向に亘って形成されている。これに加えて、感度調整用ピエゾ抵抗素子21〜24が、梁14a,14cの長手方向に略直交する方向に亘って形成されており、感度調整用ピエゾ抵抗素子21〜24は、加速度検出用ピエゾ素子x1〜x4に電気的に接続されている。
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力学量センサ、力学量センサの製造方法及び力学量センサを用いた電子機器
【課題】本発明は、錘部の過剰な変位による衝突時の衝撃を緩和して可撓部の破損を防止するとともに金属配線の変形を防止して、検出信号の信頼性低下を防止する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係る力学量センサは、フレーム部と、前記フレーム部の内側に配置された錘部と、前記錘部と前記フレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、前記可撓部に形成された複数のセンサ素子と、前記可撓部及び前記錘部の上側に形成され、前記複数のセンサ素子と複数の接続端子とを電気的に接続する複数の配線と、前記複数のセンサ素子と前記複数の配線が形成された前記可撓部及び前記錘部の上方を覆うキャップ基板と、前記錘部側と前記キャップ基板側の何れか一方又は双方に配置され、前記錘部の過剰変位に伴う衝撃を緩和する緩衝部材と、を備える。
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半導体センサ及び半導体センサの製造方法
【課題】支持部に対する錘部の移動に伴ってこれらの間の可撓部が変形する半導体センサにおいて、その応答時間を短く設定でき、かつ、検出可能な物理量の周波数帯域を拡大できるようにする。
【解決手段】一部が可撓性を有する可撓部Fとして構成される薄肉部12と、薄肉部12の一方の主面12dから突出して薄肉部12と共に錘部Mを構成する錘用突出部11Bと、これとの間に間隙を空けるように薄肉部12の一方の主面12dから突出し、薄肉部12と共に支持部Sを構成する支持用突出部13とを備え、その突出方向の先端面13dが外方に露出するように、薄肉部12の両方の主面12c,12d側が可撓部Fよりも弾性率の小さい粘弾性体15,16によって埋設され、支持用突出部13の先端面13dをなす延長部14の弾性率が、粘弾性体15,16よりも大きく、かつ、延長部14を除く支持部Sの他の構成部分よりも小さい半導体センサ1を提供する。
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加速度センサー素子およびこれを有する加速度センサー
【課題】外力に対して出力が変化しにくく、高い感度と耐衝撃性を両立できる加速度センサーを実現する。
【解決手段】錘部と、錘部を取り囲む支持枠部と、錘部を支持枠部に接続して保持する可撓性を有する複数の梁部と、梁部上に設けられたピエゾ抵抗素子とそれらをつなぐ配線を有し、支持枠部とともに錘部の周囲を囲む上蓋と下蓋が支持枠部の表裏面に接合され、ピエゾ抵抗素子の抵抗変化から、接合厚さ方向の第1軸と、それに垂直な平面内の第2軸および前記平面内で第2軸に垂直な第3軸の3つの軸方向、あるいはそれらのいずれかの軸方向の加速度を検出する蓋付き加速度センサー素子であって、支持枠部は分離溝によって内枠と外枠とに分離され、上蓋および下蓋は外枠に接合され、内枠は可撓性を有する複数の内枠支持部により外枠に接続され、前記梁部は第2軸と第3軸に沿って錘部の両側に接続し、内枠支持部は第2軸と第3軸から略45度回転した方向で内枠の両側に接続する蓋付き加速度センサー素子を構成する。
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加速度センサ素子、加速度センサ装置及び加速度センサ素子の製造方法
【課題】重り部の強度を維持しつつ梁部を長くすることが可能な加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子1は、開口部13が形成された固定部3と、開口部13内に配置される重り部7と、一方端が重り部7に連結され、他方端が固定部3に連結される梁部5と、梁部5に設けられ、梁部5の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子9とを有する。重り部7は、梁部5の一方端が連結される主部15と、主部15に連結され、梁部5の重り部7側の端部よりも固定部3側に突出する付属部17とを有する。付属部17(非重なり部19)は、開口部13の開口方向に見て梁部5と重ならない位置において主部15に連結されている。さらに、付属部17(重なり部21)は、梁部5よりも第2主面Sb側、且つ、開口方向に見て梁部5と重なる位置において主部15に連結されている。
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加速度センサ
【課題】 信頼性の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】
固定部と、前記固定部に対して変位可能な錘部と、第1端が前記固定部に、第2端が前記錘部に接続される梁部と、前記梁部に配置され、前記梁部の撓みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子と、前記抵抗素子の抵抗値を外部回路に接続するための導体層であって、前記抵抗素子に電気的に接続され、前記錘部の変位によりかかる応力が前記抵抗素子よりも小さい位置に配置された接続部と、前記接続部から延び、前記抵抗素子と異なる厚み位置に広がる面に配置される配線部と、を有する導体層と、を含む加速度センサ。
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加速度センサ及び加速度センサ装置
【課題】耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置。
【解決手段】
固定部50と、固定部50に対して変位可能な重り部7と、固定部50および重り部7を連結するとともに重り部7の変位に伴って撓む梁部5と、を含み、固定部50および重り部7は、少なくとも一方の側面の梁部5との連結部12外周に、梁部5の長手方向に沿って断面視凹曲線の内面6を有した溝部4を備えたことによって、耐衝撃性を向上させた加速度センサ及び加速度センサ装置を提供することができる。
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