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Fターム[4M112CA31]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ビーム(梁)型、重錘型素子 (4,892) | 電極 (686)

Fターム[4M112CA31]に分類される特許

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【課題】異なる厚さを有する少なくとも2つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第1の基板と異なる厚さの第1及び第2の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、a)第1の基板の前面を加工して第1の基板よりも薄い第1の厚さの少なくとも1つの第1の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、b)懸架領域下部の第1の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第1の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、c)第1の基板の前面上に犠牲層を形成し、d)第1の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも1つの第2の懸架領域を形成し、第1の懸架領域の停止層に到達させ、e)第1及び第2の懸架領域をリリースする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】振動子の重心と支持部材による支持の中心とを一致させることで、外来振動に起因するノイズの低減と、安定した振動子の支持を実現した振動子デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ40の内部で弾性材からなる支持部材20により振動子10が支持された振動子デバイス1であり、振動子10と異なる部材で形成した錘50を振動子10上に設けることで、支持部材20による振動子10の支持の中心位置P2と、錘50が設けられた振動子10の重心調整位置P3とを一致させる構成とした。これにより、外来振動や衝撃に起因するノイズを低減して、安定した信号を出力する振動子デバイスを提供することが出来る。 (もっと読む)


【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子1は、ベース基板2と、ベース基板2上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部33と、を備え、ベース基板2の空洞部21の底面には、平面視で可動部33と重複する位置に突起(25a,25b,25c等)が設けられ、突起(25a,25b,25c等)は、ベース基板2と一体で設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の向上を図るMEMS素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるMEMS素子は、基板10上に固定された平板形状の第1電極11と、前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第2電極15と、前記基板上において、前記第1電極および前記第2電極を収納するキャビティ20を有する膜26と、を具備する。前記第2電極は、ばね部16を介して前記基板上に接続されたアンカー部14に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 (もっと読む)


【課題】蓄電部に効率よく蓄電することが可能な環境発電デバイスを提供する。
【解決手段】環境発電デバイス1は、複数個の発電部24を有する圧電型振動発電装置2と、2個のダイオードD41,D42を用いて構成される第1の電力取り出し回路4と、電子式アナログスイッチS1〜S6とエネルギ蓄積素子54とを用いて構成される第2の電力取り出し回路5と、第1接続形態と第2接続形態とを択一的に切替可能な切替回路6と、蓄電部3を電源として第2の電力取り出し回路5および切替回路6を制御する制御部7を備える。切替回路6は、第1接続形態では、第1の電力取り出し回路4の入力端間に複数個の発電部24の直列回路を接続させ且つ第1の電力取り出し回路4の出力端間に蓄電部3を接続させ、第2接続形態では、第2の電力取り出し回路5の入力端間に複数個の発電部24の並列回路を接続させ且つ第2の電力取り出し回路5の出力端間に蓄電部3を接続させる。 (もっと読む)


【課題】接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ1は、固定板2と半導体基板4とを接合した際に、固定電極21a、21b、22a、22bに形成された固定電極側金属接触部25と、半導体基板4に形成された半導体基板側金属接触部13とが接触するようになっている。そして、半導体基板側金属接触部13を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部13の半導体基板4に接合される基部13a内に、より硬度の高い材料からなるバッファ層14を挿入した。 (もっと読む)


【課題】傾斜ベースの傾斜面における物理量センサチップの実装面への接着剤の浸入をより抑制することのできる半導体物理量センサを得る。
【解決手段】パッケージ5の内底部5bに傾斜ベース4を実装するとともに、半導体を用いた物理量センサチップ2を、当該物理量センサチップ2の検出軸が内底部5bに対して傾斜するように傾斜ベース4の傾斜面4aに実装する半導体物理量センサ1において、傾斜ベース4の肉薄側に、接着剤9の這い上がりを規制する規制部10を設ける。 (もっと読む)


【課題】測定精度が低下してしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ1は、可動電極7と、可動電極7との共働で第1の静電容量発生部13を形成する第1の固定電極8Aと、可動電極7との共働で第2の静電容量発生部14を形成する第2の固定電極8Bと、可動電極7を保持するばね部9と、を備えている。そして、第1の静電容量発生部13と第2の静電容量発生部14とが、可動電極7の重心Gを挟んで、可動電極7の移動方向の前後に配置されている。 (もっと読む)


【課題】接合用電極に起因した不具合の発生を抑制する。
【解決手段】第1の接合用電極28は、フレーム部3において電極部8a,8bよりも重り部4から離れた位置、具体的には、電極部8a,8bを挟んで重り部4と対向するフレーム部3の端部(図1では下端部)に配設されている。同様に第2の接合用電極29は、フレーム部3において電極部9a,9bよりも重り部5から離れた位置、具体的には、電極部9a,9bを挟んで重り部4と対向するフレーム部3の端部(図1では下端部)に配設されている。そのため、従来例のように2つの重り部4,5に挟まれた幅細の部位に接合用電極100,101が設けられる場合と比較して、フレーム部3に残った接合用電極28,29の高温時の膨張や高温環境下での長時間放置による変形による不具合の発生が抑制できる。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の上方に設けられている可動部33と、可動部33に設けられている可動電極指361〜365、371〜375と、絶縁基板2上に設けられ、且つ可動電極指361〜365、371〜375に対向して配置された固定電極指381〜388、391〜398と、を含み、絶縁基板2には、配線41、42、43を有する凹部22、23、24が設けられ、平面視で配線41、42、43と重なる位置の素子片3に凸部471、472、481、482、50が設けられ、配線41、42、43と凸部471、472、481、482、50とが接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ100にセンシング部1を複数形成するとともに、センサウェハ100とパッケージウェハ200の一方のウェハに凹部2を形成する工程と、凹部2の側面に封止用材料30を配置する工程と、センサウェハ100とパッケージウェハ200とを接合する工程と、封止用材料30を加熱して溶かし、溶けた封止用材料30をセンサウェハ100とパッケージウェハ200の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料30を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料30で覆う工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】 厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣を生じることなくトレンチを形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書では、半導体層にトレンチが形成された半導体装置を開示する。その半導体装置では、前記半導体層において、前記トレンチの幅が急変する箇所に、前記トレンチの幅の急変を補償する補償パターンが形成されている。上記の半導体装置では、半導体層において、トレンチの幅が急変する箇所に補償パターンが形成されているので、ディープRIE法によってトレンチ加工を行う際に、半導体の残渣の原因となる急峻な傾斜部の発生を抑制することができる。これによって、厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣が発生することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】梁部の損傷が抑制されたMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】支持基板(11)と、該支持基板(11)から高さ方向に浮いた浮遊部(15)と、該浮遊部(15)と支持基板(11)とを連結するアンカー(30)と、を有するMEMSデバイスであって、浮遊部(15)は、錘部(17)、及び、該錘部(17)とアンカー(30)とを連結する梁部(20)を有し、梁部(20)は、錘部(17)の端部と連結される第1部位(21)、アンカー(30)と連結される第2部位(22)、及び、第1部位(21)と第2部位(22)とを連結する2つの連結部(23)を有し、平面形状が環状を成しており、連結部(23)は、平面形状が弧状を成し、2つの端部の内の一方が、第1部位(21)の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第2部位(22)の端部と連結されている。 (もっと読む)


【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】物理量センサー100は、絶縁性を有する基板1と、基板1の主面1a側に配置されているセンサー素子2と、センサー素子2を内部空間7を介して覆い基板1の主面1aに接合されている絶縁性を有する蓋体3と、を備え、基板1の主面1aには、蓋体3との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド4a,4b,4cと、センサー素子2とボンディングパッド4a,4b,4cとの間に設けられた配線部9a,9b,9cと、を含み、基板1及び蓋体3の少なくとも一方には、基板1と蓋体3とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部9a,9b,9cに平面視で交差する部分が開口した第1接合パターン10と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第2接合パターン11a,11b,11cと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 特に、Al−Ge共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第1基材21と、第2基材22と、第1基材21と第2基材22間に位置し、第1基材21側に形成された第1の接続金属層54と第2基材22側に形成された第2の接続金属層55とを共晶接合してなる接合部50と、を有して構成され、接合部50は、第1基材21側から第2基材22側にかけて、Ta層53、AlあるいはAl合金で形成された第1の接続金属層54、及び、Geで形成された第2の接続金属層55の順に積層されており、Ta層53の膜厚t1は、200Å以上1500Å以下の範囲内であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第1基板21と、第2基板31と、第1基板21と第2基板31との間に位置する機能層を有する物理量センサ1において、外部端子に電気的に接続される第1内部配線層37を有し、複数のアンカ部11〜12の少なくとも1つに対して、第1内部配線層37が第2金属層32を平面視で内包するように形成されており、前記第1金属層と前記第2金属層とが接合する面より外縁に位置する第3絶縁層34に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第2金属層32と第1内部配線層37とが電気的に接続されてなる物理量センサ1。 (もっと読む)


【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ag−Sn合金の焼結体よりなり、回路チップ20側から基台10側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が1以上の円錐形状をなす円錐部材40であり、基台10の一面11に設けられたはんだ60により、円錐部材40の先端部42側と基台10とが接合されている。 (もっと読む)


【課題】気密リークを抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各チップ形成領域にそれぞれセンシング部19が形成された半導体ウェハ14aを用意すると共に、チップ単位に分割されることによりキャップ部20を構成するキャップウェハ20aを用意する。そして、半導体ウェハ14aとキャップウェハ20aとを真空下で貼り合わせて複数の気密室30を有する積層ウェハ50を形成する。その後、少なくともセンサ部10とキャップ部20との界面が露出するまで積層ウェハ50をチップ形成領域の境界に沿ってダイシングする。続いて、加熱してセンサ部10の一面とキャップ部20の一面との間に形成される隙間40に熱酸化膜41を形成する。 (もっと読む)


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