【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】 厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣を生じることなくトレンチを形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書では、半導体層にトレンチが形成された半導体装置を開示する。その半導体装置では、前記半導体層において、前記トレンチの幅が急変する箇所に、前記トレンチの幅の急変を補償する補償パターンが形成されている。上記の半導体装置では、半導体層において、トレンチの幅が急変する箇所に補償パターンが形成されているので、ディープＲＩＥ法によってトレンチ加工を行う際に、半導体の残渣の原因となる急峻な傾斜部の発生を抑制することができる。これによって、厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣が発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】全体の大形化を抑えながらも、外部応力に起因する可動電極部の変形を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板２上に絶縁層３を介して設けられた単結晶シリコン層４に溝を形成することにより、可動電極部６及び固定電極部７，８からなるセンサエレメント５を設ける。可動電極部６は、錘部６ａから櫛歯状に延びる可動電極６ｄを有し、錘部６ａの前後両端部に梁部６ｂを有すると共に、前端側に第１のアンカ部６ｃを有している。アンカ部６ｃの上面に、アルミ製の電極パッド９を設ける。アンカ部６ｃに、応力遮断用の２本のスリット１２を単結晶シリコン層４全体が除去される深さで形成する。各スリット１２は、アンカ部６ｃの左右の両側縁部から、電極パッド９の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法ｃを５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２支持基板と、第１支持基板と第２支持基板の少なくとも一方に設けられ、第１支持基板又は第２支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第１支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部１８が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面１４ｆを介して前記横方向溝部１８での間隔よりも近接する前記枠体と前記第２の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部３０ａを介して接合されている。傾斜側面１４ｆの傾き角度θ１は、鈍角である。そして横方向溝部１８内にて現れる金属接合部３０ａの外周表面が保護絶縁層４１により覆われている。 （もっと読む）

【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体１４と配線基板２間は、金属結合部３０ａを介して接合されている。金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃは、枠体１４の外周側面１４ａよりも前記動作領域の方向に後退している。第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】ジャイロメータは、基板と、基板の上に懸架された慣性質量部（２）であって、励振部（６）および検出部（８）を含む慣性質量部（２）と、前記慣性質量部（２）の平面内に含まれる、励振部（６）を少なくとも１つの方向（Ｘ）に移動させる手段と、前記質量部の平面の外側での前記検出部（８）の移動を検出する静電容量検出手段とを含む。
【解決手段】前記静電容量検出手段は、前記検出部（８、１０８）と共に可変コンデンサを形成するように、基板に面して位置する検出部（８）の上に配置された、少なくとも１つの懸架電極（１６）を含み、前記電極（１６）は、慣性質量部（２）を貫通する少なくとも１つの柱状体（２２）によって、前記検出部（８）の上に保持される。 （もっと読む）

【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム（ＭＥＭＳ）が、少なくとも２つの基板（５，６）、およびＭＥＭＳ−層内の少なくとも１つの可動構造体（３．１，３．２）を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも２つの基板（５，６，７）の間に封止されたキャビティ（８．１，８．２）内に配置される。前記可動構造体（３．１，３．２）を囲む導電性フレーム（１）が、２つの基板（５，６）の接合面に配置される。フレーム（１）が、前記可動構造体（３．１，３．２）から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部（１３．１，１３．２，１３．３；１４）によって、前記第一基板（５）および第二基板（６）に、各々、電気的に接続される。フレーム（１）が、最大で１５０μｍ（マイクロメートル）、好ましくは、最大で５０μｍ（マイクロメートル）の幅（ｗ）を有してよい。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、押圧部材と当接する受圧部表面の耐摩耗性を向上させた荷重センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における荷重センサ１は、荷重を受けて厚さ方向に変位可能な変位部４と、前記変位部４での変位量を検出可能な素子部（ピエゾ抵抗素子６）と、を有し、前記変位部４の荷重を受ける側の面から突出するシリコンからなる突起部５と突起部５の表面５ａに成膜された無機絶縁層３０とからなる受圧部１７が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。
【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第１の金属層３１ａのはみ出し部３１ｃと対向する部分で、枠体部１４に凹部１８が形成され、はみ出し部３１ｃと凹部１８の底表面１８ｂとの間に空隙部１９ａが形成される。ＣＶＤ法などで成膜される保護絶縁層４１が空隙部１９ａを経て金属結合部３０ａの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第１の金属層３１ａまたは第２の金属層３２ａの腐食を防止しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第１力学量検出手段（例えば容量式加速度センサ２０）を有する第１基板２１（シリコン製センサ基板）と、第２力学量検出手段（例えばピエゾ式圧力センサ３０）を有するとともに、第１基板に当接する第２基板（シリコン製センサ基板）とを備え、第１基板に、第２基板が対向して当接することにより封止空間３７が形成され、この封止空間内に第１力学量検出手段を封止することで、第１力学量検出手段を保護する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）