【課題】流体の大気導入口への干渉を効果的に防止した半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、ケース１０と、ケース１０内に被測定対象の流体を導入する圧力導入口１１と、大気を導入する大気導入口１２と、大気圧に対する流体の圧力を測定するセンサチップ２０と、を備えている。圧力導入口１１及び大気導入口１２は、ケース１０の同一面側に配設されており、圧力導入口１１はケース１０の表面に立設された管状の圧力導入部１０ｂに連通しており、大気導入口１２は圧力導入部１０ｂに並置された管状の大気圧導入部１０ｃおよびケース１０内に連通している。そして、大気圧導入部１０ｃにおける大気導入口１２から離間した位置に複数の凹部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子１は、ベース基板２と、ベース基板２上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部３３と、を備え、ベース基板２の空洞部２１の底面には、平面視で可動部３３と重複する位置に突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）が設けられ、突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）は、ベース基板２と一体で設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】振動子の重心と支持部材による支持の中心とを一致させることで、外来振動に起因するノイズの低減と、安定した振動子の支持を実現した振動子デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ４０の内部で弾性材からなる支持部材２０により振動子１０が支持された振動子デバイス１であり、振動子１０と異なる部材で形成した錘５０を振動子１０上に設けることで、支持部材２０による振動子１０の支持の中心位置Ｐ２と、錘５０が設けられた振動子１０の重心調整位置Ｐ３とを一致させる構成とした。これにより、外来振動や衝撃に起因するノイズを低減して、安定した信号を出力する振動子デバイスを提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ１００にセンシング部１を複数形成するとともに、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の一方のウェハに凹部２を形成する工程と、凹部２の側面に封止用材料３０を配置する工程と、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程と、封止用材料３０を加熱して溶かし、溶けた封止用材料３０をセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料３０を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料３０で覆う工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置１は、第１電極４と、間隙５を隔てて第１電極４と対向して設けられた第２電極６を備える振動膜７と、振動膜７を支持する支持部８と、で構成されるセルを複数有する。間隙５の外周部に、間隙５との間で支持部８の一部を介在させて、振動膜７と支持部８との間の段差を小さくするための構造物１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】梁部の損傷が抑制されたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】支持基板（１１）と、該支持基板（１１）から高さ方向に浮いた浮遊部（１５）と、該浮遊部（１５）と支持基板（１１）とを連結するアンカー（３０）と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、浮遊部（１５）は、錘部（１７）、及び、該錘部（１７）とアンカー（３０）とを連結する梁部（２０）を有し、梁部（２０）は、錘部（１７）の端部と連結される第１部位（２１）、アンカー（３０）と連結される第２部位（２２）、及び、第１部位（２１）と第２部位（２２）とを連結する２つの連結部（２３）を有し、平面形状が環状を成しており、連結部（２３）は、平面形状が弧状を成し、２つの端部の内の一方が、第１部位（２１）の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第２部位（２２）の端部と連結されている。 （もっと読む）

【目的】 特に、Ａｌ−Ｇｅ共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１基材２１と、第２基材２２と、第１基材２１と第２基材２２間に位置し、第１基材２１側に形成された第１の接続金属層５４と第２基材２２側に形成された第２の接続金属層５５とを共晶接合してなる接合部５０と、を有して構成され、接合部５０は、第１基材２１側から第２基材２２側にかけて、Ｔａ層５３、ＡｌあるいはＡｌ合金で形成された第１の接続金属層５４、及び、Ｇｅで形成された第２の接続金属層５５の順に積層されており、Ｔａ層５３の膜厚ｔ１は、２００Å以上１５００Å以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されているセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備え、基板１の主面１ａには、蓋体３との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃと、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられた配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、を含み、基板１及び蓋体３の少なくとも一方には、基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した第１接合パターン１０と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）

【課題】気密リークを抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各チップ形成領域にそれぞれセンシング部１９が形成された半導体ウェハ１４ａを用意すると共に、チップ単位に分割されることによりキャップ部２０を構成するキャップウェハ２０ａを用意する。そして、半導体ウェハ１４ａとキャップウェハ２０ａとを真空下で貼り合わせて複数の気密室３０を有する積層ウェハ５０を形成する。その後、少なくともセンサ部１０とキャップ部２０との界面が露出するまで積層ウェハ５０をチップ形成領域の境界に沿ってダイシングする。続いて、加熱してセンサ部１０の一面とキャップ部２０の一面との間に形成される隙間４０に熱酸化膜４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、小型で且つ、高い感度を得ることが可能なＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 可動電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各可動支持部５０の側部から延出し、各可動支持部５０にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動電極子６０と、を有する。固定電極部は、Ｘ１−Ｘ２方向に間隔を空けて配置された複数本の可動支持部５０と、各固定支持部５１の側部から延出し、各固定支持部５１にてＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて配置された複数本の固定電極子６２と、を有する。複数本の可動支持部と複数本の固定支持部とがＸ１−Ｘ２方向に交互に配列されており、隣り合う可動支持部と固定支持部とが組６６にされて、各組の可動支持部と固定支持部の間にて可動電極子６０と固定電極子６２とが交互に配列されている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるＭＥＭＳデバイスを得る。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスＤは、支持基板２ａの側面２ｅに露出させた貫通電極２２ａ〜２２ｅの断面部を、可動電極４、５および固定電極２０ａ〜２１ｂの電位取出口として利用可能とした加速度センサ（第１のセンサ）Ｓ１と、この加速度センサＳ１に支持基板２ａを介して積層されるセンサ基板１Ａを有した圧力センサ（第２のセンサ）Ｓ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に配置された引出電極間の短絡を防止して生産の歩留を高めた圧電デバイス、圧電モジュールを提供する。
【解決手段】第１基板１４と、前記第１基板１４に導電性を有する第１の接合層６２Ａを介して積層された圧電振動基板２６と、を積層し、前記圧電振動基板２６は、圧電振動片（振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８）と、前記圧電振動片の外周を囲むように設けられた枠部２８と、を有し、前記第１基板１４は、前記圧電振動片に対向する主面側に第１の凹部１６を有する圧電デバイス１０であって、前記枠部２８は、前記第１の凹部１６の内壁よりも前記圧電振動片側に突出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撓み部に発生する浅いクラックを感知する感知基板およびそれを用いた加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１と、フレーム部１１の内側に設けられた錘部１２と、フレーム部１１と錘部１２との間をつなぎ錘部１２が変位することで撓む撓み部１３と、撓み部１３に形成され錘部１２の揺動に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗１４と、フレーム部１１に配置されピエゾ抵抗１４からの信号を取り出すピエゾ抵抗用電極パッド１５ａと、ピエゾ抵抗１４とピエゾ抵抗用電極パッド１５ａとの間をつなぐ拡散配線による拡散配線部１６と、を備える感知基板２０である。撓み部１３の表面には、金属でなる金属配線部１７を備え、金属配線部１７は、フレーム部１１に配置され金属配線部１７からの信号を取り出す金属配線部用電極パッドにつながっている。 （もっと読む）

【課題】検出範囲によらず、適切な自己診断を行うことのできる容量式物理量検出装置を提供する。
【解決手段】可動部２０と、可動部２０の変位方向に対向して配置され、可動部２０と共に第１容量部１６ａ、１６ｂを構成する第１固定部３０、４０と、可動部２０の変位方向と垂直方向に対向して配置され、可動部２０と共に第２容量部１７を構成する第２固定部１７とを備える。そして、自己診断時に、第１容量部１６ａ、１６ｂに第１変位信号を印加して第１容量部１６ａ、１６ｂで発生する静電気力によって可動部２０を当該可動部２０の変位方向に変位させ、第２容量部１７に第２変位信号を印加して第２容量部１７で発生する静電気力によって可動部２０を垂直方向に変位させる。 （もっと読む）