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Fターム[4M112DA04]の内容

圧力センサ (26,807) | 製造工程 (5,073) | 素子本体の製造工程 (5,065) | エッチング (1,709) | ウェットエッチング (616)

Fターム[4M112DA04]に分類される特許

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【課題】異なる厚さを有する少なくとも2つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第1の基板と異なる厚さの第1及び第2の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、a)第1の基板の前面を加工して第1の基板よりも薄い第1の厚さの少なくとも1つの第1の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、b)懸架領域下部の第1の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第1の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、c)第1の基板の前面上に犠牲層を形成し、d)第1の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも1つの第2の懸架領域を形成し、第1の懸架領域の停止層に到達させ、e)第1及び第2の懸架領域をリリースする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】信頼性の向上を図るMEMS素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるMEMS素子は、基板10上に固定された平板形状の第1電極11と、前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第2電極15と、前記基板上において、前記第1電極および前記第2電極を収納するキャビティ20を有する膜26と、を具備する。前記第2電極は、ばね部16を介して前記基板上に接続されたアンカー部14に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 (もっと読む)


【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子1は、ベース基板2と、ベース基板2上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部33と、を備え、ベース基板2の空洞部21の底面には、平面視で可動部33と重複する位置に突起(25a,25b,25c等)が設けられ、突起(25a,25b,25c等)は、ベース基板2と一体で設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面1aに凹部3およびアライメントマーク4を有する第1の基板1と、第1の基板1の主表面1a上に形成されており、第1の基板1の凹部3内の空間IS上を覆うように設けられたダイヤフラム5およびダイヤフラム5上に設けられたゲージ抵抗6を有する第2の基板2とを備えている。アライメントマーク4は第2の基板2から露出するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ1は、固定板2と半導体基板4とを接合した際に、固定電極21a、21b、22a、22bに形成された固定電極側金属接触部25と、半導体基板4に形成された半導体基板側金属接触部13とが接触するようになっている。そして、半導体基板側金属接触部13を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部13の半導体基板4に接合される基部13a内に、より硬度の高い材料からなるバッファ層14を挿入した。 (もっと読む)


【課題】感度の高い静電容量トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】一連の可動フィンガおよび一連の固定フィンガのうちの一方の位置を画定するために、基体上の層に第1エッチングマスクを適用する。一連の可動フィンガ、一連の固定フィンガ、本体及びばねを画定するために、第2エッチングマスクを適用する。本体は一連の可動フィンガ及びばねに接続され、一連の可動フィンガは一連の固定フィンガと相互に入り込む。第2エッチングマスクを使用して、層および第1エッチングマスクをエッチングする。第1エッチングマスクを使用して、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガとのうちの一方が、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガのもう一方より短くなるように、エッチングされた層をエッチングする。力が本体に加わったときに、本体が基体に対して平行に動くように、本体、ばね及び一連の可動フィンガをエッチングを用いて分離する。 (もっと読む)


【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板1の上に第一の絶縁層2を形成し、第一の絶縁層2の一部を第一の基板1まで除去して隔壁3を形成し、第一の絶縁層2の一部が除去された第一の基板1の領域上に第二の絶縁層10を形成する。次に、第二の基板18を隔壁3の上に接合して間隙24を形成し、第二の基板18から、間隙24を介して第二の絶縁層10と対向する振動膜23を形成する。隔壁3を形成する工程では、第一の基板1に垂直な方向において間隙24側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁3を形成する。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の上方に設けられている可動部33と、可動部33に設けられている可動電極指361〜365、371〜375と、絶縁基板2上に設けられ、且つ可動電極指361〜365、371〜375に対向して配置された固定電極指381〜388、391〜398と、を含み、絶縁基板2には、配線41、42、43を有する凹部22、23、24が設けられ、平面視で配線41、42、43と重なる位置の素子片3に凸部471、472、481、482、50が設けられ、配線41、42、43と凸部471、472、481、482、50とが接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ100にセンシング部1を複数形成するとともに、センサウェハ100とパッケージウェハ200の一方のウェハに凹部2を形成する工程と、凹部2の側面に封止用材料30を配置する工程と、センサウェハ100とパッケージウェハ200とを接合する工程と、封止用材料30を加熱して溶かし、溶けた封止用材料30をセンサウェハ100とパッケージウェハ200の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料30を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料30で覆う工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】 厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣を生じることなくトレンチを形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書では、半導体層にトレンチが形成された半導体装置を開示する。その半導体装置では、前記半導体層において、前記トレンチの幅が急変する箇所に、前記トレンチの幅の急変を補償する補償パターンが形成されている。上記の半導体装置では、半導体層において、トレンチの幅が急変する箇所に補償パターンが形成されているので、ディープRIE法によってトレンチ加工を行う際に、半導体の残渣の原因となる急峻な傾斜部の発生を抑制することができる。これによって、厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣が発生することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】セルを配置した基板を支持する支持部材に進入する弾性波を低減して、支持部材内で反射する弾性波による送受信特性の劣化を抑制することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、第2の電極105と間隙104を介して対向して設けられた第1の電極102を含む振動膜101を夫々有する複数のセル200を基板106上に備え、送信動作及び受信動作の少なくとも一方を行う。基板106は、支持部材110との間にスペーサー間隙112が形成されるように、スペーサー手段111を介して支持部材111により支持される。セルを備えた基板106の面とは逆側の基板106の裏面と、この裏面に対向した支持部材110の面と、の間にスペーサー間隙112が形成され、スペーサー間隙内は、均一の気体または液体で満たされた状態に保たれている。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板42には、その表面から裏面へ貫通するように空洞44を設ける。空洞44の上方において、基板42の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム43を設ける。空洞44の少なくとも1つの壁面は、基板42の表面とその厚み方向中間部との間において、基板42の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板42の外側へ向かって広がった第1の斜面47aと、前記中間部と基板42の裏面との間において、前記中間部から基板42の裏面へ向かうにつれて次第に基板42の内側へ向かって狭まった第2の斜面47bとで構成される。また、空洞44の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第1基板21と、第2基板31と、第1基板21と第2基板31との間に位置する機能層を有する物理量センサ1において、外部端子に電気的に接続される第1内部配線層37を有し、複数のアンカ部11〜12の少なくとも1つに対して、第1内部配線層37が第2金属層32を平面視で内包するように形成されており、前記第1金属層と前記第2金属層とが接合する面より外縁に位置する第3絶縁層34に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第2金属層32と第1内部配線層37とが電気的に接続されてなる物理量センサ1。 (もっと読む)


【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第1ドーピング領域20と、該第1ドーピング領域20と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分32を含む第2ドーピング領域30と、該第1ドーピング領域と該第1振動部分32との間に備えられた、空間60と、を備えるトランスデューサ。第1及び第2ドーピング領域20,30は、一体である。第1振動部分は複数の貫通ホール40を含み、振動部分上に貫通ホール40を密封する物質膜50が備えられる。 (もっと読む)


【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 (もっと読む)


【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、配線42に接続され、配線41,42間には、配線41と配線42とを隔てるシールド部4が設けられている。 (もっと読む)


【課題】複数の基板を積層して積層体を形成する場合において、ウェーハ上にマーカーを設けることなく基板同士を位置合せして重ね合わせることが可能な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、感圧素子層10、ベース層の接合面に傾斜部208、306を形成する外形形成工程と、傾斜部208、306を用いて位置合せを行いながら、感圧素子層10、ダイアフラム層20、ベース層を重ね合わせて接合面を接合剤40で接合する接合工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】サポート部材を用いてマイクロフォンを形成するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】マイクロフォンを形成するための方法は、バックプレート、およびウェットエッチングの犠牲層の少なくとも一部分の上の可撓性の振動板を形成する。この方法は、ウェットエッチングのレジスト材料を追加し、ウェットエッチングのレジスト材料は、振動板を支持するように、振動板とバックプレートとの間に配置される。ウェットエッチングのレジスト材料の一部は、振動板とバックプレートとの間には配置されない。方法はその後、上述の追加の間に追加されたウェットエッチングのレジスト材料の一部を除去する前に、犠牲材料を除去する。その後、ウェットエッチングのレジスト材料は、犠牲材料の少なくとも一部が除去された後に、実質的にその全体が除去される。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なMEMSセンサを得る。
【解決手段】シリコン基板4と、シリコン基板4の上下両面4a、4bに接合される一対の絶縁基板2、3と、シリコン基板4と絶縁基板2、3とを接合した時に形成される密閉空間部6とを備えたMEMSセンサ1において、絶縁基板2、3またはシリコン基板4の露出した外表面3bに、密閉空間部6と連通する貫通孔7を設ける。 (もっと読む)


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