【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子１は、ベース基板２と、ベース基板２上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部３３と、を備え、ベース基板２の空洞部２１の底面には、平面視で可動部３３と重複する位置に突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）が設けられ、突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）は、ベース基板２と一体で設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、固定板２と半導体基板４とを接合した際に、固定電極２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂに形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板４に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、半導体基板側金属接触部１３を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部１３の半導体基板４に接合される基部１３ａ内に、より硬度の高い材料からなるバッファ層１４を挿入した。 （もっと読む）

【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板１の上に第一の絶縁層２を形成し、第一の絶縁層２の一部を第一の基板１まで除去して隔壁３を形成し、第一の絶縁層２の一部が除去された第一の基板１の領域上に第二の絶縁層１０を形成する。次に、第二の基板１８を隔壁３の上に接合して間隙２４を形成し、第二の基板１８から、間隙２４を介して第二の絶縁層１０と対向する振動膜２３を形成する。隔壁３を形成する工程では、第一の基板１に垂直な方向において間隙２４側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁３を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置１は、第１電極４と、間隙５を隔てて第１電極４と対向して設けられた第２電極６を備える振動膜７と、振動膜７を支持する支持部８と、で構成されるセルを複数有する。間隙５の外周部に、間隙５との間で支持部８の一部を介在させて、振動膜７と支持部８との間の段差を小さくするための構造物１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されているセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備え、基板１の主面１ａには、蓋体３との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃと、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられた配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、を含み、基板１及び蓋体３の少なくとも一方には、基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した第１接合パターン１０と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１と、第２基板３１と、第１基板２１と第２基板３１との間に位置する機能層を有する物理量センサ１において、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層３７を有し、複数のアンカ部１１〜１２の少なくとも１つに対して、第１内部配線層３７が第２金属層３２を平面視で内包するように形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置する第３絶縁層３４に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第２金属層３２と第１内部配線層３７とが電気的に接続されてなる物理量センサ１。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を積層して積層体を形成する場合において、ウェーハ上にマーカーを設けることなく基板同士を位置合せして重ね合わせることが可能な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、感圧素子層１０、ベース層の接合面に傾斜部２０８、３０６を形成する外形形成工程と、傾斜部２０８、３０６を用いて位置合せを行いながら、感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層を重ね合わせて接合面を接合剤４０で接合する接合工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】スティッキングを抑制することができつつ、ストッパ部の破損を抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部（可動電極）４３と固定電極４２の対向壁部４３ｅ、４２ｅどうし、錘部４３とばね部４４の対向壁部４３ｆ、４４ｆどうし若しくはばね部４４の対向壁部４４ｇ、４４ｇどうしのうち少なくとも何れか一つに、互いに相手側に向けて突出して錘部４３が動作した際に当該錘部４３の可動範囲を制限する一対のストッパ部５０，５０を設けるとともに、一対のストッパ部５０，５０を、線接触または面接触させるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第１支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第２支持基板と、第１支持基板と第２支持基板の少なくとも一方に設けられ、第１支持基板又は第２支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第１支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第１電極と、第２支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第２電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程Ｓ１と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程Ｓ２と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程Ｓ３と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程Ｓ４と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程Ｓ５と、を含み、配線の厚さ寸法ｔ１を溝部の深さ寸法ｄよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法ｔ１と突起部の厚さ寸法ｔ２との和を、溝部の深さ寸法ｄよりも大きくすることを特徴とする（ｄ＞ｔ１、且つ、ｄ＜（ｔ１＋ｔ２））。 （もっと読む）

【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部３０と枠部３０の内周側に配置された圧電振動片２２とを有する圧電振動基板２０と、圧電振動基板２０の一方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第１基板１２と、圧電振動基板２０の他方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第２基板４０と、を備え、圧電振動基板２０には、枠部３０の外周の圧電振動片２２を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部３２，３６の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の第１主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の第１主面２ａに設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、貫通電極４７１を介してベース基板２の第２主面２ｂに設けられた配線４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面から形成することができる圧力センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１の製造方法においては、図４Ａ〜Ｃに示すように、ｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃを４方向に等分且つ外側又は内側にずらして配置し、そのｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃの上部に重なるように環状のｎ型半導体拡散層５を形成し、その環状のｎ型半導体拡散層５及びｐ型半導体柱７Ａ、７Ｃのｎ型半導体拡散層５との重複部分をエッチングして、環状溝４で囲まれたメサ部３及び４個のブロック状のｐ型半導体部６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄを半導体基板２の表面側に形成した。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、一方の主面側であってスリット１２６により隔離された位置に夫々設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出しており、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、前記一対の接続部の一方に設けられ厚さ方向に貫通する貫通孔１３４と、貫通孔１３４の内部に設けられた導通手段１３５とを備え、前記一対の接続部の他方の主面に設けられた引出し電極１０９は、導通手段１３５により引出し電極１０９と極性が同じ第１パッド電極３４とを電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に配置された引出電極間の短絡を防止して生産の歩留を高めた圧電デバイス、圧電モジュールを提供する。
【解決手段】第１基板１４と、前記第１基板１４に導電性を有する第１の接合層６２Ａを介して積層された圧電振動基板２６と、を積層し、前記圧電振動基板２６は、圧電振動片（振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８）と、前記圧電振動片の外周を囲むように設けられた枠部２８と、を有し、前記第１基板１４は、前記圧電振動片に対向する主面側に第１の凹部１６を有する圧電デバイス１０であって、前記枠部２８は、前記第１の凹部１６の内壁よりも前記圧電振動片側に突出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固定電極に備えたシリコン接触部と可動電極とが、それらの接触する部分において、固着を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】シリコン接触部１４は、Ｒを有する凸状に形成され、可動電極５は、シリコン接触部１４との対向面にＲ形状を有する凸部１３を備える。これら、可動電極５と絶縁基板２０は、シリコン接触部１４および凸部１３を介して接触し、シリコン接触部１４と凸部１３とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。 （もっと読む）