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Fターム[4M112DA06]の内容

圧力センサ (26,807) | 製造工程 (5,073) | 素子本体の製造工程 (5,065) | CVD (331)

Fターム[4M112DA06]に分類される特許

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【課題】異なる厚さを有する少なくとも2つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第1の基板と異なる厚さの第1及び第2の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、a)第1の基板の前面を加工して第1の基板よりも薄い第1の厚さの少なくとも1つの第1の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、b)懸架領域下部の第1の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第1の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、c)第1の基板の前面上に犠牲層を形成し、d)第1の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも1つの第2の懸架領域を形成し、第1の懸架領域の停止層に到達させ、e)第1及び第2の懸架領域をリリースする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】信頼性の向上を図るMEMS素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるMEMS素子は、基板10上に固定された平板形状の第1電極11と、前記第1電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第2電極15と、前記基板上において、前記第1電極および前記第2電極を収納するキャビティ20を有する膜26と、を具備する。前記第2電極は、ばね部16を介して前記基板上に接続されたアンカー部14に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 (もっと読む)


【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板1の上に第一の絶縁層2を形成し、第一の絶縁層2の一部を第一の基板1まで除去して隔壁3を形成し、第一の絶縁層2の一部が除去された第一の基板1の領域上に第二の絶縁層10を形成する。次に、第二の基板18を隔壁3の上に接合して間隙24を形成し、第二の基板18から、間隙24を介して第二の絶縁層10と対向する振動膜23を形成する。隔壁3を形成する工程では、第一の基板1に垂直な方向において間隙24側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁3を形成する。 (もっと読む)


【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置1は、第1電極4と、間隙5を隔てて第1電極4と対向して設けられた第2電極6を備える振動膜7と、振動膜7を支持する支持部8と、で構成されるセルを複数有する。間隙5の外周部に、間隙5との間で支持部8の一部を介在させて、振動膜7と支持部8との間の段差を小さくするための構造物10が設けられている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第1基板21と、第2基板31と、第1基板21と第2基板31との間に位置する機能層を有する物理量センサ1において、外部端子に電気的に接続される第1内部配線層37を有し、複数のアンカ部11〜12の少なくとも1つに対して、第1内部配線層37が第2金属層32を平面視で内包するように形成されており、前記第1金属層と前記第2金属層とが接合する面より外縁に位置する第3絶縁層34に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第2金属層32と第1内部配線層37とが電気的に接続されてなる物理量センサ1。 (もっと読む)


【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第1ドーピング領域20と、該第1ドーピング領域20と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分32を含む第2ドーピング領域30と、該第1ドーピング領域と該第1振動部分32との間に備えられた、空間60と、を備えるトランスデューサ。第1及び第2ドーピング領域20,30は、一体である。第1振動部分は複数の貫通ホール40を含み、振動部分上に貫通ホール40を密封する物質膜50が備えられる。 (もっと読む)


【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子2は、圧電体層8の平面パターンが下部電極5の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極3の平面パターンが圧電体層8の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線6は、コンタクトホール13を介して下部電極5と電気的に接続され、コンタクトホール13の箇所を除いて圧電体層8の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線4は、下部電極引き回し配線6の延在方向と交差する方向に延在して上部電極3と一体に形成され、圧電体層8の一面上に配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第1支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第2支持基板と、第1支持基板と第2支持基板の少なくとも一方に設けられ、第1支持基板又は第2支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第1支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第1電極と、第2支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第2電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部30と枠部30の内周側に配置された圧電振動片22とを有する圧電振動基板20と、圧電振動基板20の一方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第1基板12と、圧電振動基板20の他方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第2基板40と、を備え、圧電振動基板20には、枠部30の外周の圧電振動片22を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部32,36の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第1力学量センサR1の第1力学量検出部M1と第2力学量センサR2の第2力学量検出部M2とが、第1の基板10に変位可能な状態に形成され、第2の基板20が貼り合わされて第1空間K1と第2空間K2が互いに連通せずに形成されてなり、第1の基板10がSOI基板からなり、SOI層3からなる一部の半導体領域Sで第1力学量検出部M1と第2力学量検出部M2がそれぞれ構成されてなり、第2力学量検出部M2が、第2可動半導体領域S2aと第2固定半導体領域S2bの対向する面の静電容量の変化を測定して、第2力学量を検出する力学量センサ装置100とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に気密性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第1の基材21と、第2の基材31と、可動部3及び枠体部5を備える機能部と、可動部3の変位を検出する検知部とを有し、第1の枠体部5aが第1の封止層23を有し、第2の基材31の第1の封止層23と対向する位置に第2の封止層33が形成され、第1の封止層23が第2の封止層33と対向する面に第1の接合面と第2の接合面とを有し、前記第1の接合面が前記第2の接合面よりも第2の基材31側に位置するように第1の封止層23と第2の封止層33とが接合されてなる物理量センサ1。 (もっと読む)


【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第1の膜を形成する工程(a)と、第1の膜の上方と基板の第1の膜を囲む領域の上方とにまたがる第2の膜を形成する工程(b)と、第2の膜に貫通孔を形成することにより、第1の膜の一部を露出させる工程(c)と、第1の膜をエッチングする工程(d)と、第2の膜の貫通孔を封止する工程(e)と、基板の第1の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第2の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程(f)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のMEMSセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層10には、動作領域15と外部領域16とを区画する枠体14とが形成される。前記枠体14と支持基板1間は第1の絶縁層3aを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部18が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面14fを介して前記横方向溝部18での間隔よりも近接する前記枠体と前記第2の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部30aを介して接合されている。傾斜側面14fの傾き角度θ1は、鈍角である。そして横方向溝部18内にて現れる金属接合部30aの外周表面が保護絶縁層41により覆われている。 (もっと読む)


【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層10には、動作領域15と外部領域16とを区画する枠体14とが形成される。前記枠体14と支持基板1間は第1の絶縁層3aを介して接合される。枠体14と配線基板2間は、金属結合部30aを介して接合されている。金属結合部30aでは、配線基板2の表面に第1の金属層31aが形成され、枠体14の表面に第2の金属層32aが形成され、第1の金属層31aと第2の金属層32aとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第1の絶縁層3aの外周側面3cは、枠体14の外周側面14aよりも前記動作領域の方向に後退している。第1の金属層と前記第2の金属層との接合界面Aの外周端部Bは、前記第1の絶縁層3aの外周側面3cよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 (もっと読む)


【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第1の基材と、前記第1の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第2の基材と、前記第1の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第1の基材と前記第2の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第1の基材と前記第2の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体10は、接続部12と、前記接続部12を中心に直交する軸を第1軸および第2軸としたときに、前記接続部から第1軸の方向に延出し、第1折曲部24で折り返され、端部に第1支持部26を有する第1バネ20と、前記接続部12から前記第2軸の方向に延出し、第2折曲部34で折り返され、端部に第2支持部36を有する第2バネ30と、前記第1軸および前記第2軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第1及び第2バネ20,30から離間する斜め方向に、前記接続部12からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第3折曲部44で折り曲げられ第3支持部45を端部に有し、他方のビームは第4折曲部46で折り曲げられ第4支持部47を端部に有する第3バネ40と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】エアーダンピングを抑制することで慣性質量体が基板側に変位する場合と慣性質量体が基板と反対側に変位する場合との感度差を抑制することによって高精度の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板1と、検出電極2と、ねじれ梁3と、検出プレート4と、リンク梁5と、一方面6aと他方面6bとが対向する方向に変位可能にリンク梁5に支持された慣性質量体6とを備えている。慣性質量体6は、該方向に慣性質量体6を貫通するように設けられた複数の第1の貫通孔H1を含んでいる。検出プレート4は、該方向に検出プレート4を貫通するように設けられた複数の第2の貫通孔H2を含んでいる。第1の貫通孔H1は、第2の貫通孔H2より大きい開口面積を有している。 (もっと読む)


【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】主面16を有する基板12と、前記主面12上に配置された溝部(第1の溝部24、第2の溝部26)と、前記基板12上の前記溝部を跨いで配置された固定素子部(第1の固定電極指78、第2の固定電極指80)と、を有し、前記溝部の内部には、前記固定素子部に平面視で重複する位置に前記基板および前記固定素子部の少なくとも一方を用いて形成された凸部54、56が設けられ、前記凸部54、56は接合面(端面82)を有し、該接合面側に配線(第1の配線30、第2の配線36)が配置され、前記配線を介して前記基板12と前記固定素子部とが接続されたことを特徴とする機能素子。 (もっと読む)


【課題】半導体マイクロデバイスの可動部への静電気の影響を緩和する。
【解決手段】本体1は枠体部1aと可動体部1bとを有し、可動体部1bは枠体部1aの内側にビーム1cを介して設けられており、第一の固定基板2には固定電極4が可動体部1b側表面に設けられており、第二の固定基板3にはダミー電極5が可動体部1b側表面に設けられており、可動体部1bは第一の固定基板2と可動体部1bとの距離の変化を測定するための可動電極6を有する半導体マイクロデバイスであって、可動体部1bには当該可動体部1bが固定電極4またはダミー電極5に接触する際に直接接触することを防ぐ第一接触部7が固定電極4側とダミー電極5側に設けられており、固定電極4上とダミー電極5上の少なくともいずれかには可動体部1bが近接した際に第一接触部7と接触する第二接触部8が対向して設けられており、第一接触部7と第二接触部8の材料は絶縁体である。 (もっと読む)


【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室33内に設けられ基板31に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第1,第2のシリコン単結晶の振動梁32a、32bと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の一端に接続される板状の第1の電極板34aと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の間に設けられた第2の電極板34bと、第1,第2の振動梁の両側に第1,第2の振動梁を挟んで且つ第1,第2の振動梁と第1,第2の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第3,第4の電極板34c、34dと、振動梁と第2、第3,第4の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部37とを具備した。 (もっと読む)


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