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Fターム[4M112DA08]の内容

圧力センサ (26,807) | 製造工程 (5,073) | 素子本体の製造工程 (5,065) | 蒸着 (122)

Fターム[4M112DA08]に分類される特許

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【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の上方に設けられている可動部33と、可動部33に設けられている可動電極指361〜365、371〜375と、絶縁基板2上に設けられ、且つ可動電極指361〜365、371〜375に対向して配置された固定電極指381〜388、391〜398と、を含み、絶縁基板2には、配線41、42、43を有する凹部22、23、24が設けられ、平面視で配線41、42、43と重なる位置の素子片3に凸部471、472、481、482、50が設けられ、配線41、42、43と凸部471、472、481、482、50とが接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】気密リークを抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各チップ形成領域にそれぞれセンシング部19が形成された半導体ウェハ14aを用意すると共に、チップ単位に分割されることによりキャップ部20を構成するキャップウェハ20aを用意する。そして、半導体ウェハ14aとキャップウェハ20aとを真空下で貼り合わせて複数の気密室30を有する積層ウェハ50を形成する。その後、少なくともセンサ部10とキャップ部20との界面が露出するまで積層ウェハ50をチップ形成領域の境界に沿ってダイシングする。続いて、加熱してセンサ部10の一面とキャップ部20の一面との間に形成される隙間40に熱酸化膜41を形成する。 (もっと読む)


【課題】検出感度を向上させることが可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】加速度センサー1は、第1凹部11が設けられたベース基板10と、第1凹部11の上方に配置され、支持部23a,23bにより第1凹部11の深さ方向に揺動可能に支持されたセンサー部21と、を備え、センサー部21は、支持部23a,23bを境に第1部分21Aと第2部分21Bとに区分され、第1部分21A及び第2部分21Bに可動電極部を有し、且つ、第1部分21Aよりも質量が大きい第2部分21Bには、少なくとも先端側に貫通孔24が形成され、ベース基板10は、第1凹部11における可動電極部に対向する位置に固定電極部12,13を有し、且つ、固定電極部12,13よりもセンサー部21の先端寄りであって、センサー部21の先端側に対向する部分に、第1凹部11よりも深い第2凹部14が設けられている。 (もっと読む)


【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、配線42に接続され、配線41,42間には、配線41と配線42とを隔てるシールド部4が設けられている。 (もっと読む)


【課題】素子の変形により電気的変化を生じるセンサであって、時間が経過しても感度が低下しないセンサを提供する。
【解決手段】電歪素子の変形により静電容量変化を生じる電歪センサ(40)において、第1の電歪材料層(1)およびその両面に各々配置された一対の電極(3a、3b)より構成される第1の電歪素子(10)と、第2の電歪材料層(11)およびその両面に各々配置された一対の電極(13a、13b)より構成される第2の電歪素子(20)と、これら電歪素子間に挟持された基材(25)とを含む受感部(30)を設ける。受感部(30)は、外力の作用を受けることにより変形である。第1および第2の電歪材料層(1、11)の静電容量をそれぞれ測定可能なように、各電極に引出し線(5a、5b、15a、15b)が接続される。第1および第2の電歪材料層(1、11)は、10μm以下の厚みおよび20以上の比誘電率を各々有するものとする。 (もっと読む)


【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の第1主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の第1主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の第1主面2aに設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、貫通電極471を介してベース基板2の第2主面2bに設けられた配線42に接続されている。 (もっと読む)


【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部30と枠部30の内周側に配置された圧電振動片22とを有する圧電振動基板20と、圧電振動基板20の一方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第1基板12と、圧電振動基板20の他方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第2基板40と、を備え、圧電振動基板20には、枠部30の外周の圧電振動片22を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部32,36の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第1支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第2支持基板と、第1支持基板と第2支持基板の少なくとも一方に設けられ、第1支持基板又は第2支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第1支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第1電極と、第2支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第2電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程S1と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程S2と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程S3と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程S4と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程S5と、を含み、配線の厚さ寸法t1を溝部の深さ寸法dよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法t1と突起部の厚さ寸法t2との和を、溝部の深さ寸法dよりも大きくすることを特徴とする(d>t1、且つ、d<(t1+t2))。 (もっと読む)


【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ20の一端23側をモールド樹脂50で封止してモールド樹脂50で片持ち支持するようにしたモールドパッケージS1の製造方法においてリードフレーム30として、センサチップ20の他端24側を支持する支持部33を有するものを用意し、センサチップ20の他端23側を支持部33で受けて支持するようにし、支持部33による支持を維持した状態にてモールド樹脂50による封止を行った後に、リードフレーム30から支持部33をカットして、センサチップ20の他端24側から支持部33を除去する。 (もっと読む)


【課題】センサー部やベース基板の損傷を抑制しつつ、製造時などにおけるベース基板とセンサー部との貼り付きを回避可能な物理量センサー、および物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサー1は、肉薄部6aおよび肉厚部6bが設けられたベース基板6と、ベース基板6の肉薄部6aの上方に揺動可能に配置されたセンサー部4と、を有し、ベース基板6には、平面視でセンサー部4の端部と重複する肉薄部6aの少なくとも一部に導電膜9,10が設けられ、導電膜9,10が、肉厚部6bの表面の少なくとも一部まで延びていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極2に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板1を配置し、基板3と上部板1との間に、上部板1を保持する保持部31を介在させる。保持部31に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、IC回路の不純物領域である集積回路部5を設け、振動素子10にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 (もっと読む)


【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極2に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板1を配置し、上部板1に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、IC回路の不純物領域である集積回路部5を設け、振動素子10にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 (もっと読む)


【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス1は、第1の面10aに第1の電極11を有する半導体装置としてのICチップ10と、基部21、前記基部21から延伸された振動部を有し、第1の面10aと対向する第2の面20aに第2の電極としての引き出し電極29を有する振動片としての振動ジャイロ素子20と、を備えている。第1の面10aには、絶縁樹脂からなり第1の電極11と配線36を介して電気的に接続された第3の電極37の少なくとも一部を露出させる開口部32aを有する筒状支持部32が設けられ、第1の面10aおよび開口部32aにより形成された凹部に導電性接着剤98が埋設され、引き出し電極29に設けられたバンプ12が凹部内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体100は、第1の基板1と、第1の基板1の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層2と、多孔層2において第1の基板1が形成されている側の面と反対側の面に形成された第2の基板3とを備え、多孔層2における各孔2aの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔2aを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層2の厚さは、1μmよりも大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー1の感圧素子層100は、一辺を二分するように切り欠くスリット126が設けられ、一方の主面側であってスリット126により隔離された位置に夫々設けられ、スリット126により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層200よりも外側へ露出しており、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第1パッド電極34、第2パッド電極36と、前記一対の接続部の一方に設けられ厚さ方向に貫通する貫通孔134と、貫通孔134の内部に設けられた導通手段135とを備え、前記一対の接続部の他方の主面に設けられた引出し電極109は、導通手段135により引出し電極109と極性が同じ第1パッド電極34とを電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】検出範囲によらず、適切な自己診断を行うことのできる容量式物理量検出装置を提供する。
【解決手段】可動部20と、可動部20の変位方向に対向して配置され、可動部20と共に第1容量部16a、16bを構成する第1固定部30、40と、可動部20の変位方向と垂直方向に対向して配置され、可動部20と共に第2容量部17を構成する第2固定部17とを備える。そして、自己診断時に、第1容量部16a、16bに第1変位信号を印加して第1容量部16a、16bで発生する静電気力によって可動部20を当該可動部20の変位方向に変位させ、第2容量部17に第2変位信号を印加して第2容量部17で発生する静電気力によって可動部20を垂直方向に変位させる。 (もっと読む)


【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー1の感圧素子層100は、一辺を二分するように切り欠くスリット126が設けられ、スリット126により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は、少なくとも一部がダイアフラム層200よりも外側へ露出しており、感圧素子層100は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに極性の異なる第1パッド電極34、第2パッド電極36と、一対の接続部のうちの何れか一方の接続部の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第1引出し電極109と、該引出し電極109と極性が同じ第1パッド電極34とを電気的に接続する側面電極134とを備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、他軸感度を発生せず、X軸、Y軸、Z軸からなる3軸方向の加速度を正確に検出でき、かつ、加速度検知素子の小型化および低背化を実施してもセンサ感度を維持できる3軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の3軸加速度センサは、基板21の略中央部に設けられた第1の錘部23と、支持枠部24と、梁状可撓部25,25′,26,26′と、歪抵抗素子Rx21,Rx22等とを備え、前記支持枠部内に一対の梁状可撓部の中心軸に関して略対称で平行な一対の薄肉部27,27′,28,28′,29,29′,30,30′を設けることにより、第2、第3、第4、第5の錘部31〜34を形成したものである。 (もっと読む)


【課題】検出精度の低下を抑制可能な力学量センサを提供する。
【解決手段】接合部300において、枠の外形を構成する外形輪郭線が矩形状の角部が除去された多角形状にする。これによれば、接合部が矩形枠状とされている従来の力学量センサに対して、角部が除去された部分では一辺の長さが短くなるために膨張量・収縮量が小さくなる。このため、角部が除去されることによって新たに形成された角部に発生する応力を低減することができ、当該角部からセンサ基板100に印加される応力を小さくすることができる。したがって、検出精度が低減することを抑制することができる。 (もっと読む)


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