【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子１は、ベース基板２と、ベース基板２上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部３３と、を備え、ベース基板２の空洞部２１の底面には、平面視で可動部３３と重複する位置に突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）が設けられ、突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）は、ベース基板２と一体で設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】接合用電極に起因した不具合の発生を抑制する。
【解決手段】第１の接合用電極28は、フレーム部３において電極部8a，8bよりも重り部４から離れた位置、具体的には、電極部8a，8bを挟んで重り部４と対向するフレーム部３の端部(図１では下端部)に配設されている。同様に第２の接合用電極29は、フレーム部３において電極部9a，9bよりも重り部５から離れた位置、具体的には、電極部9a，9bを挟んで重り部４と対向するフレーム部３の端部(図１では下端部)に配設されている。そのため、従来例のように２つの重り部４，５に挟まれた幅細の部位に接合用電極100，101が設けられる場合と比較して、フレーム部３に残った接合用電極28，29の高温時の膨張や高温環境下での長時間放置による変形による不具合の発生が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】感度の高い静電容量トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】一連の可動フィンガおよび一連の固定フィンガのうちの一方の位置を画定するために、基体上の層に第１エッチングマスクを適用する。一連の可動フィンガ、一連の固定フィンガ、本体及びばねを画定するために、第２エッチングマスクを適用する。本体は一連の可動フィンガ及びばねに接続され、一連の可動フィンガは一連の固定フィンガと相互に入り込む。第２エッチングマスクを使用して、層および第１エッチングマスクをエッチングする。第１エッチングマスクを使用して、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガとのうちの一方が、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガのもう一方より短くなるように、エッチングされた層をエッチングする。力が本体に加わったときに、本体が基体に対して平行に動くように、本体、ばね及び一連の可動フィンガをエッチングを用いて分離する。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の上方に設けられている可動部３３と、可動部３３に設けられている可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８と、を含み、絶縁基板２には、配線４１、４２、４３を有する凹部２２、２３、２４が設けられ、平面視で配線４１、４２、４３と重なる位置の素子片３に凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０が設けられ、配線４１、４２、４３と凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０とが接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置１は、第１電極４と、間隙５を隔てて第１電極４と対向して設けられた第２電極６を備える振動膜７と、振動膜７を支持する支持部８と、で構成されるセルを複数有する。間隙５の外周部に、間隙５との間で支持部８の一部を介在させて、振動膜７と支持部８との間の段差を小さくするための構造物１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ１００にセンシング部１を複数形成するとともに、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の一方のウェハに凹部２を形成する工程と、凹部２の側面に封止用材料３０を配置する工程と、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程と、封止用材料３０を加熱して溶かし、溶けた封止用材料３０をセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料３０を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料３０で覆う工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】 厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣を生じることなくトレンチを形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書では、半導体層にトレンチが形成された半導体装置を開示する。その半導体装置では、前記半導体層において、前記トレンチの幅が急変する箇所に、前記トレンチの幅の急変を補償する補償パターンが形成されている。上記の半導体装置では、半導体層において、トレンチの幅が急変する箇所に補償パターンが形成されているので、ディープＲＩＥ法によってトレンチ加工を行う際に、半導体の残渣の原因となる急峻な傾斜部の発生を抑制することができる。これによって、厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣が発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されているセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備え、基板１の主面１ａには、蓋体３との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃと、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられた配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、を含み、基板１及び蓋体３の少なくとも一方には、基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した第１接合パターン１０と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１と、第２基板３１と、第１基板２１と第２基板３１との間に位置する機能層を有する物理量センサ１において、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層３７を有し、複数のアンカ部１１〜１２の少なくとも１つに対して、第１内部配線層３７が第２金属層３２を平面視で内包するように形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置する第３絶縁層３４に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第２金属層３２と第１内部配線層３７とが電気的に接続されてなる物理量センサ１。 （もっと読む）

【課題】気密リークを抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各チップ形成領域にそれぞれセンシング部１９が形成された半導体ウェハ１４ａを用意すると共に、チップ単位に分割されることによりキャップ部２０を構成するキャップウェハ２０ａを用意する。そして、半導体ウェハ１４ａとキャップウェハ２０ａとを真空下で貼り合わせて複数の気密室３０を有する積層ウェハ５０を形成する。その後、少なくともセンサ部１０とキャップ部２０との界面が露出するまで積層ウェハ５０をチップ形成領域の境界に沿ってダイシングする。続いて、加熱してセンサ部１０の一面とキャップ部２０の一面との間に形成される隙間４０に熱酸化膜４１を形成する。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）

【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２の主面２ａに設けられた固定部３１，３２と、連結部３４，３５と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、ベース基板２の主面２ａに設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を備え、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と、を有し、第１固定電極指（３８２など）は、ベース基板２の主面２ａ側に設けられた配線４１に接続され、第２固定電極指（３８１など）は、配線４２に接続され、配線４１，４２間には、配線４１と配線４２とを隔てるシールド部４が設けられている。 （もっと読む）