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Fターム[4M112DA16]の内容

圧力センサ (26,807) | 製造工程 (5,073) | 素子本体の製造工程 (5,065) | 切断、ダイシング (230)

Fターム[4M112DA16]に分類される特許

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【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子1は、ベース基板2と、ベース基板2上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部33と、を備え、ベース基板2の空洞部21の底面には、平面視で可動部33と重複する位置に突起(25a,25b,25c等)が設けられ、突起(25a,25b,25c等)は、ベース基板2と一体で設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ100にセンシング部1を複数形成するとともに、センサウェハ100とパッケージウェハ200の一方のウェハに凹部2を形成する工程と、凹部2の側面に封止用材料30を配置する工程と、センサウェハ100とパッケージウェハ200とを接合する工程と、封止用材料30を加熱して溶かし、溶けた封止用材料30をセンサウェハ100とパッケージウェハ200の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料30を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料30で覆う工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 (もっと読む)


【課題】気密リークを抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】各チップ形成領域にそれぞれセンシング部19が形成された半導体ウェハ14aを用意すると共に、チップ単位に分割されることによりキャップ部20を構成するキャップウェハ20aを用意する。そして、半導体ウェハ14aとキャップウェハ20aとを真空下で貼り合わせて複数の気密室30を有する積層ウェハ50を形成する。その後、少なくともセンサ部10とキャップ部20との界面が露出するまで積層ウェハ50をチップ形成領域の境界に沿ってダイシングする。続いて、加熱してセンサ部10の一面とキャップ部20の一面との間に形成される隙間40に熱酸化膜41を形成する。 (もっと読む)


【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、配線42に接続され、配線41,42間には、配線41と配線42とを隔てるシールド部4が設けられている。 (もっと読む)


【課題】複数の基板を積層して積層体を形成する場合において、ウェーハ上にマーカーを設けることなく基板同士を位置合せして重ね合わせることが可能な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、感圧素子層10、ベース層の接合面に傾斜部208、306を形成する外形形成工程と、傾斜部208、306を用いて位置合せを行いながら、感圧素子層10、ダイアフラム層20、ベース層を重ね合わせて接合面を接合剤40で接合する接合工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明に係る静電容量型の物理量センサは、センサ特性の低下を招くことなく、小型化あるいはセンサの感度を向上させる物理量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】物理量センサは、フレーム部と、フレーム部の内側に配置された錘部と、錘部とフレーム部とを接続する可撓部と、を備えた半導体基板と、フレーム部の一方の側に接合された第1支持基板と、フレーム部の他方の側に接合された第2支持基板と、第1支持基板と第2支持基板の少なくとも一方に設けられ、第1支持基板又は第2支持基板の一方の側と他方の側を導通する配線用端子と、第1支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第1電極と、第2支持基板の面上に設けられ、錘部と対向する第2電極と、を備え、フレーム部には前記フレーム部の一方の側と他方の側を導通する貫通配線部が配設され、貫通配線部と前記配線用端子とは電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部30と枠部30の内周側に配置された圧電振動片22とを有する圧電振動基板20と、圧電振動基板20の一方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第1基板12と、圧電振動基板20の他方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第2基板40と、を備え、圧電振動基板20には、枠部30の外周の圧電振動片22を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部32,36の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることが可能な物理量センサーの製造方法の提供。
【解決手段】物理量センサーの製造方法は、ベース基板に溝部を形成し、溝部内に配線を設けるベース基板配線形成工程S1と、センサー基板に導電性を有する突起部を設けるセンサー基板突起部形成工程S2と、配線と突起部とが、平面視において、互いに重なるようにベース基板とセンサー基板とを位置合わせする位置合わせ工程S3と、ベース基板とセンサー基板とを接合し、配線と突起部とを接続する接合工程S4と、センサー基板をエッチングしてセンサー素子を形成するセンサー素子形成工程S5と、を含み、配線の厚さ寸法t1を溝部の深さ寸法dよりも小さく、且つ、配線の厚さ寸法t1と突起部の厚さ寸法t2との和を、溝部の深さ寸法dよりも大きくすることを特徴とする(d>t1、且つ、d<(t1+t2))。 (もっと読む)


【課題】支持基板の側面から電位を取出可能としたセンサとその他のセンサとを小型集積化させることのできるMEMSデバイスを得る。
【解決手段】MEMSデバイスDは、支持基板2aの側面2eに露出させた貫通電極22a〜22eの断面部を、可動電極4、5および固定電極20a〜21bの電位取出口として利用可能とした加速度センサ(第1のセンサ)S1と、この加速度センサS1に支持基板2aを介して積層されるセンサ基板1Aを有した圧力センサ(第2のセンサ)S2とを備える。 (もっと読む)


【課題】特性が安定で、ローコスト化が可能な圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第1の半導体基板の一方の面に形成された半導体歪ゲージと、第1の半導体基板の一方の面に一方の面が接合された第2の半導体基板と、半導体歪ゲージを挟んで第1の半導体基板と第2の半導体基板の一方の面に直交して互いに対向して設けられ半導体歪ゲージを含む測定ダイアフラムを形成する第1,第2の測定室と、第1の半導体基板の他方の面に一面が接して設けられた支持基板と、支持基板の他方の面に低融点ガラスを介して一面が接する金属よりなる支持台と、一端が第1の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第1の導圧孔と、一端が第2の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第2の導圧孔とを具備したことを特徴とする圧力センサである。 (もっと読む)


【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス1は、第1の面10aに第1の電極11を有する半導体装置としてのICチップ10と、基部21、前記基部21から延伸された振動部を有し、第1の面10aと対向する第2の面20aに第2の電極としての引き出し電極29を有する振動片としての振動ジャイロ素子20と、を備えている。第1の面10aには、絶縁樹脂からなり第1の電極11と配線36を介して電気的に接続された第3の電極37の少なくとも一部を露出させる開口部32aを有する筒状支持部32が設けられ、第1の面10aおよび開口部32aにより形成された凹部に導電性接着剤98が埋設され、引き出し電極29に設けられたバンプ12が凹部内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板の両面に配置された引出電極間の短絡を防止して生産の歩留を高めた圧電デバイス、圧電モジュールを提供する。
【解決手段】第1基板14と、前記第1基板14に導電性を有する第1の接合層62Aを介して積層された圧電振動基板26と、を積層し、前記圧電振動基板26は、圧電振動片(振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38)と、前記圧電振動片の外周を囲むように設けられた枠部28と、を有し、前記第1基板14は、前記圧電振動片に対向する主面側に第1の凹部16を有する圧電デバイス10であって、前記枠部28は、前記第1の凹部16の内壁よりも前記圧電振動片側に突出していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー1の感圧素子層100は、一辺を二分するように切り欠くスリット126が設けられ、一方の主面側であってスリット126により隔離された位置に夫々設けられ、スリット126により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層200よりも外側へ露出しており、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第1パッド電極34、第2パッド電極36と、前記一対の接続部の一方に設けられ厚さ方向に貫通する貫通孔134と、貫通孔134の内部に設けられた導通手段135とを備え、前記一対の接続部の他方の主面に設けられた引出し電極109は、導通手段135により引出し電極109と極性が同じ第1パッド電極34とを電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】圧力測定器を効率的に製造可能な圧力測定器の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔11、21が設けられた台座基板101、102を用意することと、貫通孔11、21を挟むようにして、少なくとも二つの切り込み溝111を、台座基板101、102の底面に、第1の刃を用いて形成することと、台座基板101、102の上面に、ダイアフラム30を備えるセンサウェハ103を、ダイアフラム30が貫通孔11、21を覆うように接合することと、接合されたセンサウェハ103及び台座基板101、102を、台座基板101、102の少なくとも二つの切り込み溝111の上方から、第1の刃より薄い第2の刃を用いて、切断することと、を含む、圧力測定器の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層10には、動作領域15と外部領域16とを区画する枠体14とが形成される。前記枠体14と支持基板1間は第1の絶縁層3aを介して接合される。枠体14と配線基板2間は、金属結合部30aを介して接合されている。金属結合部30aでは、配線基板2の表面に第1の金属層31aが形成され、枠体14の表面に第2の金属層32aが形成され、第1の金属層31aと第2の金属層32aとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第1の絶縁層3aの外周側面3cは、枠体14の外周側面14aよりも前記動作領域の方向に後退している。第1の金属層と前記第2の金属層との接合界面Aの外周端部Bは、前記第1の絶縁層3aの外周側面3cよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 (もっと読む)


【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第1部分に形成された検出装置を有する第1部分及び第2構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第2構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第1部分を囲む。封止構造は、第1部分の第1側に固定基準圧力を設け、第1部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 (もっと読む)


【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー1の感圧素子層100は、一辺を二分するように切り欠くスリット126が設けられ、スリット126により一対の接続部が分離して配置される。一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層200よりも外側へ露出している。感圧素子層100は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第1パッド電極34、第2パッド電極36と、スリット126の隣り合う側面とは反対側の側面のうち一方の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第1引出し電極109と、第1引出し電極109と信号が同じ第1電極パッド34とを電気的に接続する側面電極134とを備えている。 (もっと読む)


【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー1の感圧素子層100は、一辺を二分するように切り欠くスリット126が設けられ、スリット126により一対の接続部が分離して配置され、前記一対の接続部は、少なくとも一部がダイアフラム層200よりも外側へ露出しており、感圧素子層100は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに極性の異なる第1パッド電極34、第2パッド電極36と、一対の接続部のうちの何れか一方の接続部の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第1引出し電極109と、該引出し電極109と極性が同じ第1パッド電極34とを電気的に接続する側面電極134とを備えている。 (もっと読む)


【課題】主にMEMS技術を利用してダイアフラムを形成したセンサーの機能を有する半導体チップ構造の小型化を行う。
【解決手段】半導体チップは、平面視形状が多角形状をし、外周部のスクライブライン領域の内側に存在する有効領域17の中央にセンサー機能を有し、有効領域17内の2つの頂角の内側に電極パッド21,23が設けられており、ボンディング可能な大きさの正方形状の仮想電極パッドを頂角に最も近づけて形成すると仮想し、頂角の頂点31と、仮想電極パッドにおける頂点31から最も離れた位置との距離をLsとし、頂角の角度を2θとするとき、電極パッド21,23は、半径Rの円形状をし、半径Rは、R<Ls/(1+(1/sinθ))である。 (もっと読む)


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