【課題】振動子の重心と支持部材による支持の中心とを一致させることで、外来振動に起因するノイズの低減と、安定した振動子の支持を実現した振動子デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ４０の内部で弾性材からなる支持部材２０により振動子１０が支持された振動子デバイス１であり、振動子１０と異なる部材で形成した錘５０を振動子１０上に設けることで、支持部材２０による振動子１０の支持の中心位置Ｐ２と、錘５０が設けられた振動子１０の重心調整位置Ｐ３とを一致させる構成とした。これにより、外来振動や衝撃に起因するノイズを低減して、安定した信号を出力する振動子デバイスを提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ガラス台座を設けることなく、センサチップの検出精度が低下することを抑制することができるセンサチップの実装構造およびその実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】センサチップ６０の裏面６１ｂに当該裏面６１ｂに対して交差する方向に突出すると共に凹部６２を取り囲む凸部６４と、裏面６１ｂのうち凸部６４を挟んで凹部６２側と反対側に位置する接合領域とを備え、接合材７０を接着剤７１と、接着剤７１に混入された間隔保持材７２とを有するものとし、被実装部材４０におけるセンサチップ６０の接合領域と対向する領域に塗布領域４１を備え、センサチップ６０と被実装部材４０との間に、センサチップ６０のうち接合領域と被実装部材４０とに接触する間隔保持材７２により、所定の間隔を形成する。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの破壊耐圧を向上させることのできる半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【解決手段】厚さ方向の一面に開口する凹部２が形成された第１半導体基板３と、第１半導体基板３の一面と相対して配置される第２半導体基板４と、第１半導体基板３と第２半導体基板４との間に介装され、凹部２と第２半導体基板４との間を連通する貫通穴５が形成された第１酸化シリコン膜６と、を備え、貫通穴５及び凹部２の開口と相対する側から見て、貫通穴５の縁部の少なくとも一部が、凹部２の開口縁部の内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】液体と気体のどちらにも使用することができ、小型化に適し、電子回路基板などに表面実装することが可能であり、信頼性が高い流量センサーを提供する。
【解決手段】表面実装型のパッケージ１２に流量検出手段を内蔵した流量センサー１０であって、パッケージ１２内に形成され、流体をパッケージ１２の下面に設けた流入口３０から流量検出手段を通してパッケージ１２の下面に設けた流出口３２に導く流体流路７０と、パッケージ１２の外面に設けられ流量検出手段の電気出力が導かれる外部端子４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する部材と信号入出力手段を設けている部材とが別部材となったパッケージ構造を有する半導体装置の構造を簡略にする。
【解決手段】マイクロフォン４１のパッケージを、カバー４４と基板４５によって構成する。カバー４４に設けた凹部４６内にはマイクチップ４２と回路素子４３を納めて凹部４６の天面に接着固定する。凹部４６の外側においてカバー４４の下面には複数個のボンディング用パッド４８を設ける。回路素子４３にボンディングワイヤ５１ａの一端を接続し、その他端をボンディング用パッド４８に接続する。基板４５は信号入出力手段として信号入出力端子５８を有しており、基板４５の上面には信号入出力端子５８と導通した接続電極５４がボンディング用パッド４８と対向して設けられている。基板４５とカバー４４は、接続電極５４とボンディング用パッド４８を導電性接着剤やハンダなどの導電性部材６０により接合される。 （もっと読む）

【課題】簡便にセンサの耐圧性能を向上させた振動式圧力センサを実現することにある。
【解決手段】 ダイアフラムに振動子が設けられた検出素子を備えた振動式圧力センサにおいて、
前記検出素子の上面に設けられた圧力保護部材と、
前記検出素子の下面に設けられた支持部材と
を具備し、
前記圧力保護部材は、前記ダイアフラムと所定の間隔を保つように形成され、
前記ダイアフラムは過大圧力が印加されることにより変位して前記圧力保護部材に押圧されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低くしつつ、傷から保護されるセンサデバイスを提供すること、およびこのようなセンサデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】成形体と成形体上に被着されているピエゾ抵抗センサ層とを有しており、ピエゾ抵抗センサ層は少なくとも１つの金属並びに炭素または炭化水素を含んでおり、ピエゾ抵抗センサ層上で薄膜パッシベーション層およびコンタクト層が省かれる、センサデバイス。 （もっと読む）

【課題】力学量の検出を行う感知部を有するセンサチップを、基板に搭載したものを、封止部材により封止してなるセンサ装置において、封止部材によってセンサチップに発生する応力を極力低減する。
【解決手段】感知部１１を表面に有するセンサチップ１０を、基板２０の一面側に搭載した後、センサチップ１０および基板２０を封止部材３０により被覆して封止するセンサ装置の製造方法であって、基板２０の一面側にセンサチップ１０を搭載するとともに、センサチップ１０の表面に揮発性を有する樹脂５０を配置して、当該表面を樹脂５０で被覆した後、これらセンサチップ１０および基板２０を封止部材３０によって封止し、その後、封止部材３０を硬化するとともに、樹脂５０を加熱して揮発させてセンサチップ１０の表面のうち封止部材３０で被覆されている部位と封止部材３０との間に空隙４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物の相転移を誘起するための相転移誘起方法は、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数ｋＶ／ｃｍよりも２桁低い４０Ｖ／ｃｍ〜８０Ｖ／ｃｍ程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させると共に、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。 （もっと読む）

本発明は、前面および後面を備えた基板を有するマイクロメカニカル素子に関する。前面は機能構造を有し、該機能構造はコンタクト領域において後面と電気的に接触接続しており、基板はコンタクト領域において少なくとも１つのコンタクトホールを有し、該コンタクトホールは後面側から基板内へと延在している。さらに本発明は、マイクロメカニカル素子の製造方法に関する。
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