【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】固定電極に備えたシリコン接触部と可動電極とが、それらの接触する部分において、固着を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】シリコン接触部１４は、Ｒを有する凸状に形成され、可動電極５は、シリコン接触部１４との対向面にＲ形状を有する凸部１３を備える。これら、可動電極５と絶縁基板２０は、シリコン接触部１４および凸部１３を介して接触し、シリコン接触部１４と凸部１３とは、それらが接触する点における法線の向きと点における離れる力の向きとが異なる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程に新たな工程を追加することなく、スティクションが発生し難い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持基板１０９と、支持基板１０９上の固定電極１０４、１０５と、ばね性を有し、支持基板１０９に固定アンカ１０６、１０６を介して固定される梁部１０２、１０２と、２つの梁部１０２の間にあって、可動電極１０３を有する質量部１１１とを含み、２つの固定アンカ１０６同士を結ぶ仮想的な直線を質量部１１１に平行移動させた直線ｒによって質量部１１１を第１質量部１１０と第２質量部１２０とに分けた場合、第１質量部１１０と第２質量部１２０の質量とが異なるように加速度センサを構成する。 （もっと読む）

【課題】 静電容量型加速度センサのスティクションの発生と共に基板の歪みによる特性変動をも抑止する。
【解決手段】 静電容量型加速度センサにおける錘として機能する質量部１０１と、質量部１０１に両端が支持される可動電極１０３と、可動電極１０３と対向して設けられる固定電極１０４、１０５と、固定電極１０４、１０５を、この固定電極下面の支持基板１０９に固定する固定アンカ１０７、１０８と、を含んで静電容量型加速度センサを構成する。そして、固定アンカ１０７、１０８は、固定電極１０４、１０５下面の中央部分のみと支持基板１０９とを接触させて固定する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度の高い物理量センサーを提供する。
【解決手段】本発明の物理量センサーは、支持基板２０と、前記支持基板に固定された固定電極指３８、３９と、前記固定電極指と対向し、印加される物理量に応じて変位する可動電極指３６、３７とを含む静電容量検出型の物理量センサーであって、固定電極指３８、３９の一面が支持基板２０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】中空構造等を作製するためのエッチング工程とガラス基板等他の部材の貼り付け工程を必要としない簡単な工程で、センサー等を作製するための貼り合わせ基板を製造する方法、及び構造強度の問題となる中空構造を形成しなくとも、センサー等の作製に用いることができる多孔質領域を有する貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１の貼り合わせ面に部分的に多孔質領域３を形成する工程と、ボンド基板４の貼り合わせ面に絶縁膜２を形成する工程と、絶縁膜２を介してベース基板１とボンド基板４を貼り合わせる工程と、貼り合わせられたボンド基板４を薄膜化して薄膜層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】くし歯状電極を有する静電容量型加速度計の機械的な振動に由来するノイズレベルを改善する。
【解決手段】可動質量部５及び／又は固定部２の各電極３、４のうち、少なくとも一つが幅広の基部と先端部で幅狭の輪郭をもつフィンガー形状を有する。更に静電容量の変化を検出する電子回路による反復的な復帰用静電気力を、可動質量部５及び／又は固定部２の各電極３、４の機械的共振周波数で実質的にゼロ出力となる領域をもつように設定する。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の下面に形成された凹部１１ｂ，１１ｄ，１２を塞いだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 検出軸以外の方向に生じる加速度によって物理量センサーの検出感度が低下することを抑制する。
【解決手段】 物理量センサーは、第１揺動体３００ａと第２揺動体３００ｂとを有し、
各揺動体３００ａ，３００ｂは、第１支持部４０ａと第２支持部４０ｂとによって基板に支持され、かつ、第１揺動体３００ａは、平面視で第１軸（支持軸）Ｑ１によって第１の領域ＰＴ１と第２の領域ＰＴ２とに区画され、第２揺動体３００ｂは、平面視で第２軸（支持軸）Ｑ２によって第３の領域ＰＴ１と第４の領域ＰＴ２とに区画され、第２の領域ＰＴ２の質量は第１の領域の質量よりも重く、第４の領域の質量は第３の領域よりも重く、第１の領域と第２の領域の並び方向と第３の領域と第４の領域の並び方向とは互いに同じであり、かつ、重力を受けた状態において第１揺動体３００ａおよび第２揺動体３００ｂは互いに反対向きに傾斜している。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い封止構造で密閉空隙を封止して信頼性を向上させた電気機械変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。封止部は、常温で流動性を持たない第１の封止材１６の上に、硬化された常温で流動性を持つ第２の封止材１７を重ねることで形成される。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りが大きく、かつ検知感度の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された基板１０と、凹部１００内に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１から離間した位置において基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備え、可動電極２１と基板１０との間に、線膨張熱係数が互いに異なる半導体層２２１とキャップ層２２２とが積層された反り部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】装置全体が小型でありながら、検出感度の高いセンサを製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に形成される可動体として具現化される。その可動体は、第１枠体と、前記第１枠体に対して、互いに対向して、かつ部分的にあるいは完全に重なり合うように配置されている第２枠体と、第１ばね部を介して前記第１枠体と接続しており、かつ第２ばね部を介して前記第２枠体と接続している結合部と、第３ばね部を介して前記結合部と接続している、前記基板に固定された固定部を備えている。前記第１ばね部、前記第２ばね部および前記第３ばね部は、一方向のばね定数が他の方向のばね定数に比べて顕著に低く、実質的に当該一方向のみの相対変位を許容する。前記第１ばね部、前記第２ばね部および前記第３ばね部が相対変位を許容する方向は、互いに直交している。 （もっと読む）

【課題】 振動子の小型化に伴う、電極や配線を形成する際の負担を軽減すること。
【解決手段】 音叉型振動片は、基部１０と、基部から、所定面内で第１方向に延出すると共に、所定面内で第１方向に垂直な第２方向に所定幅を有し、かつ、第１方向および第２方向の各々に垂直な方向であって所定面に垂直な第３方向に所定厚みを有する振動腕２０と、振動腕の第１面および第１面に対向する第２面の少なくとも一方に設けられ、第１方向の電界を生じさせる電極４１ａ，４１ｂと、第１方向の電界によって、振動腕に前記第１方向の伸縮を生じさせて、振動腕２０を第３方向に振動させ、かつ、振動腕２０における第２方向の所定幅をｗとし、第３方向の所定厚みをｔとしたとき、ｗ＞ｔが成立する。 （もっと読む）

【課題】簡便にセンサの耐圧性能を向上させた振動式圧力センサを実現することにある。
【解決手段】 ダイアフラムに振動子が設けられた検出素子を備えた振動式圧力センサにおいて、
前記検出素子の上面に設けられた圧力保護部材と、
前記検出素子の下面に設けられた支持部材と
を具備し、
前記圧力保護部材は、前記ダイアフラムと所定の間隔を保つように形成され、
前記ダイアフラムは過大圧力が印加されることにより変位して前記圧力保護部材に押圧されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】印加される加速度が大きい域で構成部材を接触させずに広い範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１００は、基板１と、基板１に対して基板１の厚み方向に変位可能に基板１の表面に支持され、かつ可動電極７を有する変位部材３と、可動電極７と対向するよう配置され、かつ可動電極７との間に静電力を発生させるための固定電極６とを備え、加速度が小さい域では、変位部材３が基板１の厚み方向に変位しても可動電極７と固定電極６との対向面積が一定であり、かつ加速度が大きい域で変位部材３が基板１の厚み方向に変位すると可動電極７と固定電極６との対向面積が変化するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】機能上有効な部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】支持基板２に接合した半導体基板３をエッチング加工することで形成される可動部４０および固定部５０を備え、当該可動部４０および固定部５０は、第１の間隙６２をもって対向配置される可動電極４１および固定電極５１をそれぞれ有し、当該固定電極５１に対する可動電極４１の相対変位に基づいて物理量を検出するＭＥＭＳ構造体１において、半導体基板３の支持基板２と当接する領域に、網目状溝部１０を形成した。 （もっと読む）

【課題】可動部と固定部との間の間隙部の断面形状がテーパ状になった場合にも、その間隙部の干渉部分が破損するのを抑制できる半導体物理量センサを得る。
【解決手段】断面テーパ状となった間隙部δ３の幅狭となる側の端部に、当該間隙部δ３の対向壁部Ｔｗが干渉した際に面接触する面接触部８を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、陽極接合時に可動部がガラス基板へ張り付くことを防止し、製造コストを抑制し、且つ接合不良を防止するＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、半導体基板に固定部と前記固定部の内側あるいは外側に位置する可動部を形成し、ガラス基板の一方の面上に前記半導体基板と対向させたときに前記可動部の周囲に位置する領域に導電部材を配置し、前記ガラス基板の他方の面を前記可動部と対向させた状態で前記半導体基板と前記導電部材の間に電圧を印加して前記半導体基板と前記ガラス基板の陽極接合を行う、ことを特徴とする。 （もっと読む）