【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】流体の大気導入口への干渉を効果的に防止した半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、ケース１０と、ケース１０内に被測定対象の流体を導入する圧力導入口１１と、大気を導入する大気導入口１２と、大気圧に対する流体の圧力を測定するセンサチップ２０と、を備えている。圧力導入口１１及び大気導入口１２は、ケース１０の同一面側に配設されており、圧力導入口１１はケース１０の表面に立設された管状の圧力導入部１０ｂに連通しており、大気導入口１２は圧力導入部１０ｂに並置された管状の大気圧導入部１０ｃおよびケース１０内に連通している。そして、大気圧導入部１０ｃにおける大気導入口１２から離間した位置に複数の凹部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ベース基板と可動部との貼り付きを防止するとともに、落下等の衝撃時におけるベース基板の可動部に対する緩衝効果を向上させることが可能な物理量センサー素子、及び物理量センサー素子を備えた電子機器の提供。
【解決手段】センサー素子１は、ベース基板２と、ベース基板２上に設けられ、加えられた物理量に応じて可動する可動部３３と、を備え、ベース基板２の空洞部２１の底面には、平面視で可動部３３と重複する位置に突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）が設けられ、突起（２５ａ，２５ｂ，２５ｃ等）は、ベース基板２と一体で設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上を図るＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】本実施形態によるＭＥＭＳ素子は、基板１０上に固定された平板形状の第１電極１１と、前記第１電極の上方に対向して配置され、上下方向に可動である平板形状の第２電極１５と、前記基板上において、前記第１電極および前記第２電極を収納するキャビティ２０を有する膜２６と、を具備する。前記第２電極は、ばね部１６を介して前記基板上に接続されたアンカー部１４に接続されるとともに、その上方において前記膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】シリコンチップの一部をモールド樹脂で封止し、他部をモールド樹脂より露出させてなる半導体装置の製造方法において、シリコンチップの露出部分と封止部分との境界を封止するための封止部材を、シリコンチップに取り付けるときの応力を低減し、シリコンチップへの損傷を極力抑制する。
【解決手段】封止部材として熱印加により収縮する材料よりなる環状の収縮シール部材６０を用意し、この収縮シール部材６０にシリコンチップ１０を挿入して上記境界１３に設けた後、収縮シール部材６０に熱を印加して収縮を完了させ、その後、モールド工程では、収縮シール部材６０を介して金型１００にてシリコンチップ１０を押さえ付けた状態で、モールド樹脂２０を注入する。 （もっと読む）

【課題】接続部材の耐久性が損なわれることが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】チップ（１０）と台座（３０）とが接続部材（５０）を介して機械的に接続された半導体装置であって、チップ（１０）と台座（３０）との間に接続部材（５０）が介在され、チップ（１０）の上面（１０ｃ）の全面、及び、側面（１０ｂ）の全面の少なくとも一方に、応力緩和部材（７０）が機械的に接続されており、台座（３０）は、接続部材（５０）よりも線膨張係数が高く、台座（３０）、接続部材（５０）、及び、応力緩和部材（７０）は、チップ（１０）よりも線膨張係数が高い。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベースの傾斜面における物理量センサチップの実装面への接着剤の浸入をより抑制することのできる半導体物理量センサを得る。
【解決手段】パッケージ５の内底部５ｂに傾斜ベース４を実装するとともに、半導体を用いた物理量センサチップ２を、当該物理量センサチップ２の検出軸が内底部５ｂに対して傾斜するように傾斜ベース４の傾斜面４ａに実装する半導体物理量センサ１において、傾斜ベース４の肉薄側に、接着剤９の這い上がりを規制する規制部１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】測定精度が低下してしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、可動電極７と、可動電極７との共働で第１の静電容量発生部１３を形成する第１の固定電極８Ａと、可動電極７との共働で第２の静電容量発生部１４を形成する第２の固定電極８Ｂと、可動電極７を保持するばね部９と、を備えている。そして、第１の静電容量発生部１３と第２の静電容量発生部１４とが、可動電極７の重心Ｇを挟んで、可動電極７の移動方向の前後に配置されている。 （もっと読む）

【課題】接続部分の導通が不十分となってしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、固定板２と半導体基板４とを接合した際に、固定電極２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂに形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板４に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、半導体基板側金属接触部１３を金属材料を用いて形成し、当該半導体基板側金属接触部１３の半導体基板４に接合される基部１３ａ内に、より硬度の高い材料からなるバッファ層１４を挿入した。 （もっと読む）

【課題】接合用電極に起因した不具合の発生を抑制する。
【解決手段】第１の接合用電極28は、フレーム部３において電極部8a，8bよりも重り部４から離れた位置、具体的には、電極部8a，8bを挟んで重り部４と対向するフレーム部３の端部(図１では下端部)に配設されている。同様に第２の接合用電極29は、フレーム部３において電極部9a，9bよりも重り部５から離れた位置、具体的には、電極部9a，9bを挟んで重り部４と対向するフレーム部３の端部(図１では下端部)に配設されている。そのため、従来例のように２つの重り部４，５に挟まれた幅細の部位に接合用電極100，101が設けられる場合と比較して、フレーム部３に残った接合用電極28，29の高温時の膨張や高温環境下での長時間放置による変形による不具合の発生が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】感度の高い静電容量トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】一連の可動フィンガおよび一連の固定フィンガのうちの一方の位置を画定するために、基体上の層に第１エッチングマスクを適用する。一連の可動フィンガ、一連の固定フィンガ、本体及びばねを画定するために、第２エッチングマスクを適用する。本体は一連の可動フィンガ及びばねに接続され、一連の可動フィンガは一連の固定フィンガと相互に入り込む。第２エッチングマスクを使用して、層および第１エッチングマスクをエッチングする。第１エッチングマスクを使用して、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガとのうちの一方が、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガのもう一方より短くなるように、エッチングされた層をエッチングする。力が本体に加わったときに、本体が基体に対して平行に動くように、本体、ばね及び一連の可動フィンガをエッチングを用いて分離する。 （もっと読む）

【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板１の上に第一の絶縁層２を形成し、第一の絶縁層２の一部を第一の基板１まで除去して隔壁３を形成し、第一の絶縁層２の一部が除去された第一の基板１の領域上に第二の絶縁層１０を形成する。次に、第二の基板１８を隔壁３の上に接合して間隙２４を形成し、第二の基板１８から、間隙２４を介して第二の絶縁層１０と対向する振動膜２３を形成する。隔壁３を形成する工程では、第一の基板１に垂直な方向において間隙２４側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の上方に設けられている可動部３３と、可動部３３に設けられている可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８と、を含み、絶縁基板２には、配線４１、４２、４３を有する凹部２２、２３、２４が設けられ、平面視で配線４１、４２、４３と重なる位置の素子片３に凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０が設けられ、配線４１、４２、４３と凸部４７１、４７２、４８１、４８２、５０とが接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣を生じることなくトレンチを形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本明細書では、半導体層にトレンチが形成された半導体装置を開示する。その半導体装置では、前記半導体層において、前記トレンチの幅が急変する箇所に、前記トレンチの幅の急変を補償する補償パターンが形成されている。上記の半導体装置では、半導体層において、トレンチの幅が急変する箇所に補償パターンが形成されているので、ディープＲＩＥ法によってトレンチ加工を行う際に、半導体の残渣の原因となる急峻な傾斜部の発生を抑制することができる。これによって、厚い半導体層に幅の狭いトレンチを形成する際に、半導体の残渣が発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】梁部の損傷が抑制されたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】支持基板（１１）と、該支持基板（１１）から高さ方向に浮いた浮遊部（１５）と、該浮遊部（１５）と支持基板（１１）とを連結するアンカー（３０）と、を有するＭＥＭＳデバイスであって、浮遊部（１５）は、錘部（１７）、及び、該錘部（１７）とアンカー（３０）とを連結する梁部（２０）を有し、梁部（２０）は、錘部（１７）の端部と連結される第１部位（２１）、アンカー（３０）と連結される第２部位（２２）、及び、第１部位（２１）と第２部位（２２）とを連結する２つの連結部（２３）を有し、平面形状が環状を成しており、連結部（２３）は、平面形状が弧状を成し、２つの端部の内の一方が、第１部位（２１）の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第２部位（２２）の端部と連結されている。 （もっと読む）