【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。
【解決手段】物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されているセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備え、基板１の主面１ａには、蓋体３との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃと、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられた配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、を含み、基板１及び蓋体３の少なくとも一方には、基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した第１接合パターン１０と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部３０と枠部３０の内周側に配置された圧電振動片２２とを有する圧電振動基板２０と、圧電振動基板２０の一方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第１基板１２と、圧電振動基板２０の他方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第２基板４０と、を備え、圧電振動基板２０には、枠部３０の外周の圧電振動片２２を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部３２，３６の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】封止部材の流動によるボンディングワイヤの断線を防止する。
【解決手段】センサチップ２とボンディングワイヤ３５との接合部をゲル状の封止部材３６にて封止する圧力センサにおいて、ダイヤフラム部２１と封止部材３６との間に壁２３を設ける。これによると、封止部材３６が硬化するまでの間、壁２３によりダイヤフラム部２１側への封止部材３６の移動が阻止されるため、ダイヤフラム部２１は封止部材がない状態が維持される。したがって、センサチップ２が受ける差圧が大きくなってダイヤフラム部２１がストッパ１２１に当接する状態になっても、封止部材３６は流動しない。これにより、ボンディングワイヤ３５に負荷がかかることが防止され、ひいてはボンディングワイヤ３５の断線が防止される。 （もっと読む）

【課題】 特に、動作空間を囲む枠体と対向基板とを接合する金属接合部の腐食を防止しやすい構造のＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体と配線基板との間には、枠体の外周側面から内側に向けて延出する横方向溝部１８が形成される。また横方向溝部よりも内側では傾斜側面１４ｆを介して前記横方向溝部１８での間隔よりも近接する前記枠体と前記第２の部材との対向面間が動作領域の全周を囲む金属接合部３０ａを介して接合されている。傾斜側面１４ｆの傾き角度θ１は、鈍角である。そして横方向溝部１８内にて現れる金属接合部３０ａの外周表面が保護絶縁層４１により覆われている。 （もっと読む）

【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体１４と配線基板２間は、金属結合部３０ａを介して接合されている。金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃは、枠体１４の外周側面１４ａよりも前記動作領域の方向に後退している。第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】加速度、角速度、を測定する、または駆動のためのマイクロ−電子機械システム（ＭＥＭＳ）が、少なくとも２つの基板（５，６）、およびＭＥＭＳ−層内の少なくとも１つの可動構造体（３．１，３．２）を備える。
【解決手段】前記可動構造体が、少なくとも２つの基板（５，６，７）の間に封止されたキャビティ（８．１，８．２）内に配置される。前記可動構造体（３．１，３．２）を囲む導電性フレーム（１）が、２つの基板（５，６）の接合面に配置される。フレーム（１）が、前記可動構造体（３．１，３．２）から電気的に分離され、少なくとも第一および第二導電性接続部（１３．１，１３．２，１３．３；１４）によって、前記第一基板（５）および第二基板（６）に、各々、電気的に接続される。フレーム（１）が、最大で１５０μｍ（マイクロメートル）、好ましくは、最大で５０μｍ（マイクロメートル）の幅（ｗ）を有してよい。 （もっと読む）

【課題】スパークによる接合強度の低下を抑制するとともに、ゲル部材の変形による応力がダイアフラムに作用するのを効果的に抑制することのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力伝達路（３３，４３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、センサチップ搭載面（３１）側の端部で最小、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分で端部の開口面積よりも大きく且つ最大とされ、任意位置の開口面積が、該任意位置よりもダイアフラム（２３）に近い位置の開口面積以上とされている。支持部材（１２）は、第１圧力伝達路（３３）を備え、接着材（５０）を介してセンサチップ搭載面（３１）にセンサチップ（１１）が固定された第１支持部材（３０）を有する。第１圧力伝達路（３３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分のほうが、センサチップ搭載面（３１）側の端部よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、固定部の内側に位置する可動部、固定部と可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極、及び可動部及び可撓部を覆い、且つ、金属電極を露出するセンサキャップを備えるセンサを基板上に配置し、センサの複数の金属電極及び基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、複数の金属電極と複数の端子の間にあるボンディングワイヤの一部が露出するように、センサキャップ上を除き、センサの複数の金属電極のボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 （もっと読む）

【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

メンブレン（２）はキャリア基板（３）上に配置され、キャリア基板（３）内の開口（３２）上に延在する。圧力センサ（１）は、媒体との直接的な接触からメンブレン（２）を保護するために保護層（４）を有する。保護層（４）は開口（３２）内側の第１領域（２８）および開口（３２）外側の第２領域（２９）におけるメンブレン（２）を被覆する。さらに、保護層（４）がエッチング処理のためのエッチストップを形成する、圧力センサ（１）の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐湿性等の信頼性を向上させたコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサは、半導体基板１００の貫通孔１２３を覆うように形成された第１の膜１０２と、第１の膜１０２の上方に第１の膜１０２と対向するように形成された第２の膜１１５とを備えている。第２の膜１１５は、半導体基板１００の貫通孔１２３上に位置する複数の第１の孔１２４と、複数の第１の孔１２４よりも開口面積が大きい少なくとも１つの第２の孔１２６とを有している。第２の孔１２６は、第１の膜１０２のうち貫通孔１２３に露出した部分よりも外側の部分と対向する領域のみに存在している。 （もっと読む）

【課題】経時による特性の変化が生じ難く、熱や電源電圧などの外部環境の変化による特性の変化が生じ難い、半導体センサ装置を提供する。
【解決手段】可動部を有する半導体センサが形成されている半導体基板２の片面にケース板３が積層されており、半導体基板２の上面に外部接続用電極７１〜７８が形成されており、ケース板３において、上面に複数の突起３ｂと、突起３ｂの外側に設けられた複数の貫通孔３ｅが形成されており、突起３ｂに設けられた端子電極５１〜５８が、外部接続用電極７１〜７８に、突起３ｂの側面から貫通孔３ｅ内に至る接続電極により電気的に接続されており、外部接続用電極７１〜７８の外側端部が半導体センサ装置１の側面に至らず、ケース板３により被覆されている、半導体センサ装置。 （もっと読む）

【課題】酸性環境において耐久性のある圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】圧力センサモジュールは、支持部材５の前方３に搭載された感知部材１を含む。支持部材５は、前方３から後方９に支持部材５を貫通する穴７を含む。感知部材１は、穴７を前方３で覆っている。支持部材５の後方９に設けられた後方バリア６は、支持部材５の後方９の表面を取り囲み閉じられた領域８を形成する。閉じられた領域８と穴７は、圧力チャンネル１０を形成する。後方保護部材２は、穴７と少なくとも部分的に閉じられた領域８とを充填する。支持部材５、後方バリア６、および後方保護部材２は、モジュールを形成する。そのモジュールは、圧力センサの製造過程で、圧力センサのハウジング内に位置され得る。 （もっと読む）

【課題】圧力媒体による配線の腐食を防止できる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサチップ３を貫通するように配線部４を設け、配線部４が保護キャップ５によって覆われるようにすると共に、配線部４のうちセンサチップ３の裏面から露出する第２埋込配線４ｃとケース２の搭載面２ａから露出するターミナル２ｃとを接続するバンプ４ｄを封止材７にて囲み、圧力媒体と大気とから分離されるようにする。配線部４は、センサチップ３を構成する半導体基板３ａのうちゲージ抵抗３ｃ以外の部分とは絶縁されるようにする。これにより、配線部４が圧力媒体と接触するような場所に露出しない構造となり、配線部４が腐食されることを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】耐環境性に優れ、また外部回路との接続工程を目視することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】センサチップ２０の表面に保護膜２２を配置すると共に、電極２１をセンサチップ２０の側面から露出するように配置する。そして、電極２１のうち露出されている部分を耐腐食金属２７で覆うと共に、電極２１と耐腐食金属２７とを電気的に接続する。このような構成とすれば、耐腐食金属２７がセンサチップ２０の側面に備えられている構成とすることができるので耐腐食金属２７と外部回路との接続工程を目視しながら行うことができる。またセンサチップ２０の表面は保護膜２２で覆われていると共に、電極２１のうちセンサチップ２０の側面から露出されている部分は耐腐食金属２７で覆われているので耐環境性にも優れている。 （もっと読む）

【課題】ハウジング内に配された半導体センサチップに対して太陽光や塵埃等の環境要素が影響することを低減できるようにする。
【解決手段】中空の空洞部を有するハウジング５内に圧力変動を検出する半導体センサチップ７を設けてなり、前記ハウジング５のうち前記半導体センサチップ７に対向しない位置に、前記空洞部を外方に連通させる開口部３が形成され、該開口部３が幅狭のスリット状に形成された貫通孔２５を備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐環境性に優れ、高い圧力感度を有しつつもセンサ上の配線等による微小応力の影響を受けることのない圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体でできたセンサチップ１０の所定位置にダイアフラム１１を形成し、少なくともこのダイアフラムを含んだセンサチップ上に差圧又は圧力検出用のセンサゲージ２１０を設け、このセンサゲージが協働してブリッジ回路を形成する複数のセンサゲージからなり、センサゲージ間は半導体抵抗２２０で接続され、かつ当該半導体抵抗及びセンサゲージは絶縁膜２３０で覆われ、絶縁膜の一部を貫通して形成され半導体抵抗に電気的に接続されたコンタクト２５０を形成するための電極取り出し用のコンタクト穴２４０の個数が、前記センサゲージの数以下となっている。 （もっと読む）

【課題】マイクロフォンチップや圧力センサチップ等の半導体センサチップに対する環境要素の影響を低減すると同時に小型化を図る。
【解決手段】中空の空洞部Ｓを有するハウジング５内に圧力変動を検出する半導体センサチップ７及び該半導体センサチップ７を駆動制御するための半導体チップ９を設け、前記ハウジング５のうち半導体センサチップ７及び半導体チップ９を搭載する搭載面１７ａに前記空洞部Ｓを外方に連通させる開口部１９を開口させた構成の半導体装置１であって、前記半導体チップ９の少なくとも一部が、前記開口部１９の上方に配置されることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）