説明

Fターム[4M112FA09]の内容

圧力センサ (26,807) | 目的、効果 (2,451) | 歪、応力の不均一是正 (161)

Fターム[4M112FA09]に分類される特許

1 - 20 / 161


【課題】シリコンチップの一部をモールド樹脂で封止し、他部をモールド樹脂より露出させてなる半導体装置の製造方法において、シリコンチップの露出部分と封止部分との境界を封止するための封止部材を、シリコンチップに取り付けるときの応力を低減し、シリコンチップへの損傷を極力抑制する。
【解決手段】封止部材として熱印加により収縮する材料よりなる環状の収縮シール部材60を用意し、この収縮シール部材60にシリコンチップ10を挿入して上記境界13に設けた後、収縮シール部材60に熱を印加して収縮を完了させ、その後、モールド工程では、収縮シール部材60を介して金型100にてシリコンチップ10を押さえ付けた状態で、モールド樹脂20を注入する。 (もっと読む)


【課題】接続部材の耐久性が損なわれることが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】チップ(10)と台座(30)とが接続部材(50)を介して機械的に接続された半導体装置であって、チップ(10)と台座(30)との間に接続部材(50)が介在され、チップ(10)の上面(10c)の全面、及び、側面(10b)の全面の少なくとも一方に、応力緩和部材(70)が機械的に接続されており、台座(30)は、接続部材(50)よりも線膨張係数が高く、台座(30)、接続部材(50)、及び、応力緩和部材(70)は、チップ(10)よりも線膨張係数が高い。 (もっと読む)


【課題】接合用電極に起因した不具合の発生を抑制する。
【解決手段】第1の接合用電極28は、フレーム部3において電極部8a,8bよりも重り部4から離れた位置、具体的には、電極部8a,8bを挟んで重り部4と対向するフレーム部3の端部(図1では下端部)に配設されている。同様に第2の接合用電極29は、フレーム部3において電極部9a,9bよりも重り部5から離れた位置、具体的には、電極部9a,9bを挟んで重り部4と対向するフレーム部3の端部(図1では下端部)に配設されている。そのため、従来例のように2つの重り部4,5に挟まれた幅細の部位に接合用電極100,101が設けられる場合と比較して、フレーム部3に残った接合用電極28,29の高温時の膨張や高温環境下での長時間放置による変形による不具合の発生が抑制できる。 (もっと読む)


【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも1つを実現した物理量センサー素子、物理量センサー素子を備える物理量センサー、および、物理量センサー素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子1は、絶縁基板2と、絶縁基板2の上方に設けられている可動部33と、可動部33に設けられている可動電極指361〜365、371〜375と、絶縁基板2上に設けられ、且つ可動電極指361〜365、371〜375に対向して配置された固定電極指381〜388、391〜398と、を含み、絶縁基板2には、配線41、42、43を有する凹部22、23、24が設けられ、平面視で配線41、42、43と重なる位置の素子片3に凸部471、472、481、482、50が設けられ、配線41、42、43と凸部471、472、481、482、50とが接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】梁部の損傷が抑制されたMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】支持基板(11)と、該支持基板(11)から高さ方向に浮いた浮遊部(15)と、該浮遊部(15)と支持基板(11)とを連結するアンカー(30)と、を有するMEMSデバイスであって、浮遊部(15)は、錘部(17)、及び、該錘部(17)とアンカー(30)とを連結する梁部(20)を有し、梁部(20)は、錘部(17)の端部と連結される第1部位(21)、アンカー(30)と連結される第2部位(22)、及び、第1部位(21)と第2部位(22)とを連結する2つの連結部(23)を有し、平面形状が環状を成しており、連結部(23)は、平面形状が弧状を成し、2つの端部の内の一方が、第1部位(21)の端部と連結され、残りもう一つの端部が、第2部位(22)の端部と連結されている。 (もっと読む)


【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置1は、第1電極4と、間隙5を隔てて第1電極4と対向して設けられた第2電極6を備える振動膜7と、振動膜7を支持する支持部8と、で構成されるセルを複数有する。間隙5の外周部に、間隙5との間で支持部8の一部を介在させて、振動膜7と支持部8との間の段差を小さくするための構造物10が設けられている。 (もっと読む)


【目的】 特に、Al−Ge共晶接合を有する接合部の接合強度を従来に比べて向上させることが可能なMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第1基材21と、第2基材22と、第1基材21と第2基材22間に位置し、第1基材21側に形成された第1の接続金属層54と第2基材22側に形成された第2の接続金属層55とを共晶接合してなる接合部50と、を有して構成され、接合部50は、第1基材21側から第2基材22側にかけて、Ta層53、AlあるいはAl合金で形成された第1の接続金属層54、及び、Geで形成された第2の接続金属層55の順に積層されており、Ta層53の膜厚t1は、200Å以上1500Å以下の範囲内であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。
【解決手段】第1基板21と、第2基板31と、第1基板21と第2基板31との間に位置する機能層を有する物理量センサ1において、外部端子に電気的に接続される第1内部配線層37を有し、複数のアンカ部11〜12の少なくとも1つに対して、第1内部配線層37が第2金属層32を平面視で内包するように形成されており、前記第1金属層と前記第2金属層とが接合する面より外縁に位置する第3絶縁層34に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第2金属層32と第1内部配線層37とが電気的に接続されてなる物理量センサ1。 (もっと読む)


【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 (もっと読む)


【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第1ドーピング領域20と、該第1ドーピング領域20と反対の型のドーピング領域であり、第1振動部分32を含む第2ドーピング領域30と、該第1ドーピング領域と該第1振動部分32との間に備えられた、空間60と、を備えるトランスデューサ。第1及び第2ドーピング領域20,30は、一体である。第1振動部分は複数の貫通ホール40を含み、振動部分上に貫通ホール40を密封する物質膜50が備えられる。 (もっと読む)


【課題】検出精度などの検出特性の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の主面2a側に設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、配線42に接続され、配線41,42間には、配線41と配線42とを隔てるシールド部4が設けられている。 (もっと読む)


【課題】小型化及び検出精度の向上が可能な物理量センサーの提供。
【解決手段】物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2の第1主面2aに設けられた固定部31,32と、連結部34,35と、可動部33と、可動部33に設けられた可動電極指361〜365と、ベース基板2の第1主面2aに設けられ、且つ、可動電極指361〜365に対向して配置された固定電極指381〜388と、を備え、固定電極指381〜388は、可動電極指361〜365の一方の側に配置された第1固定電極指382,384,386,388と、他方の側に配置された第2固定電極指381,383,385,387と、を有し、第1固定電極指(382など)は、ベース基板2の第1主面2aに設けられた配線41に接続され、第2固定電極指(381など)は、貫通電極471を介してベース基板2の第2主面2bに設けられた配線42に接続されている。 (もっと読む)


【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部30と枠部30の内周側に配置された圧電振動片22とを有する圧電振動基板20と、圧電振動基板20の一方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第1基板12と、圧電振動基板20の他方の主面と対向するように配置され、枠部30に接合された第2基板40と、を備え、圧電振動基板20には、枠部30の外周の圧電振動片22を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部32,36の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】圧力を正確に測定可能な圧力測定器を提供する。
【解決手段】ガラス台座201と、ガラス台座1上に配置された半導体台座2と、半導体台座2上に配置された半導体圧力センサ3と、を備え、ガラス台座201の高さh1及び半導体台座2の高さh2の和に対する、ガラス台座201の高さh1の比が、0.5乃至0.9である、圧力測定器。 (もっと読む)


【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極2に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板1を配置し、上部板1に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、IC回路の不純物領域である集積回路部5を設け、振動素子10にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 (もっと読む)


【課題】絶縁性の基板の一面に設けられた基板側電極と、該基板側電極に対向配置された対向電極を有する対向板とを備える振動素子であって、インピーダンスの低減及びキャパシタンス変換、信号増幅などの機能を行うと共に、素子自体のコンパクト化を図ることが出来る振動素子、及び該振動素子を製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板側電極2に対向するように、シリコン単結晶からなる上部板1を配置し、基板3と上部板1との間に、上部板1を保持する保持部31を介在させる。保持部31に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法によって形成される、IC回路の不純物領域である集積回路部5を設け、振動素子10にて変換効率の向上及び生産性向上、実装システムのコンパクト化を実現する。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせプロセス時のウェハの局所的な変形を低減する半導体製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第1及び第2の半導体基板の接合面同士を一点接触させて周囲に接合を進展させて第1及び第2の半導体基板を全面で接合する半導体製造装置である。半導体製造装置は、第1の半導体基板の外周部分を支持するステージと、第2の半導体基板の接合面とステージに支持された第1の半導体基板の接合面とを対向させて、第2の半導体基板を保持する基板支持装置と、接合面同士を対向させた第1及び第2の半導体基板の法線方向の同軸上に、法線方向に移動可能にそれぞれ配置された第1及び第2の圧子と、第1の圧子を第1の半導体基板の接合面と反対側の面と接触させ、その後、第2の圧子で第2の半導体基板の接合面とは反対側の面の一点を予め定められた圧力で加圧して接合開始点を形成するコントローラと、を備える。 (もっと読む)


【課題】出力特性の変動を低減することのできる静電容量式センサを提供する。
【解決手段】静電容量式センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極4,5と、可動電極4,5の一方面に対向して配置された上部固定板2aと、可動電極4,5の他方面に対向して配置された下部固定板2bと、可動電極4,5をフレーム部に対して揺動自在に支持するビーム部6a,6b,7a,7bと、上部固定板2aの可動電極4,5と対向する側に配置された固定電極20a,21aと、可動電極4,5と固定電極20a,21a間の静電容量の変化を検出する検出電極とを備え、可動電極4,5間にある中央部分のフレーム部である中央フレーム部22の一部または全部は、上部固定板2a及び下部固定板2bのうちの少なくとも1つと結合されていない。 (もっと読む)


【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるMEMSセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層10には、動作領域15と外部領域16とを区画する枠体14とが形成される。前記枠体14と支持基板1間は第1の絶縁層3aを介して接合される。枠体14と配線基板2間は、金属結合部30aを介して接合されている。金属結合部30aでは、配線基板2の表面に第1の金属層31aが形成され、枠体14の表面に第2の金属層32aが形成され、第1の金属層31aと第2の金属層32aとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第1の絶縁層3aの外周側面3cは、枠体14の外周側面14aよりも前記動作領域の方向に後退している。第1の金属層と前記第2の金属層との接合界面Aの外周端部Bは、前記第1の絶縁層3aの外周側面3cよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 (もっと読む)


【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体10は、接続部12と、前記接続部12を中心に直交する軸を第1軸および第2軸としたときに、前記接続部から第1軸の方向に延出し、第1折曲部24で折り返され、端部に第1支持部26を有する第1バネ20と、前記接続部12から前記第2軸の方向に延出し、第2折曲部34で折り返され、端部に第2支持部36を有する第2バネ30と、前記第1軸および前記第2軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第1及び第2バネ20,30から離間する斜め方向に、前記接続部12からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第3折曲部44で折り曲げられ第3支持部45を端部に有し、他方のビームは第4折曲部46で折り曲げられ第4支持部47を端部に有する第3バネ40と、を備えている。 (もっと読む)


1 - 20 / 161