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Fターム[4M113AA26]の内容

Fターム[4M113AA26]に分類される特許

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【課題】テラヘルツ検出器のテラヘルツ波の検出効率を高める。
【解決手段】テラヘルツ波を検出するテラヘルツ検出素子10は、基板11と、基板11上に形成され、テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有する複数のボウタイアンテナ13A,13Bで構成したアンテナ部13と、基板11上に形成され、アンテナ部13の中心に配置されたSTJ(超伝導トンネル接合)素子15と、を備える。 (もっと読む)


【課題】複数の帯域のテラヘルツ波を同時に検出することができるテラヘルツ検出器を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波を検出するテラヘルツ検出素子10は、基板11と、基板11上に形成され、テラヘルツ帯における異なる周波数をそれぞれの共振周波数として有する第1〜第3アンテナ部13a〜13cと、基板11上に形成され、それぞれが第1〜第3アンテナ部13a〜13cのそれぞれの中心に配置された第1〜第3STJ(超伝導トンネル接合)素子15a〜15cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】超伝導トンネル接合素子(STJ素子)が吸収するフォノンの量を多くでき、高い感度でフォトンを検出できる超伝導トンネル接合検出器を提供する。
【解決手段】基板11のSTJ素子10を搭載しない側の端面からテラヘルツ波を照射する。基板11内では、テラヘルツ波の吸収によって格子振動(フォノン)が発生し、このフォノン群は基板11内を伝播し、フォノンがSTJ素子10の下部超伝導電極12に到達することで、電極内のクーパー対を解離して準粒子を生成し、この準粒子の増加に伴うトンネル電流の増加分を信号として検出する。基板11のテラヘルツ波を照射する側には、単体のSTJ素子10と基板11を挟んで対向するように、集光用レンズ21を配置してある。これにより、テラヘルツ波は、集光用レンズ21によって単体のSTJ素子10に向けて集光されることになり、フォトンの集光効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】電磁放射線用の検出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電磁放射線用の検出装置は、該放射線を吸収する少なくとも一つの吸収膜を備える。該吸収膜は、窒化タングステン(WN)で形成されて窒素に対するタングステンの化学量論比が2に等しい吸収層(4)により形成される。 (もっと読む)


【課題】 熱的に安定な極微細なトンネル接合を再現性良く製作することは困難であった。
【解決手段】 耐火性金属材料であるニオブを蒸着して耐火性のニオブ金属電極を形成し、次に、酸素プラズマを照射することによって耐火性金属電極上に、当該ニオブ酸化膜(Nb)を形成する。続いて、蒸着角度を変化させて、酸化膜上にニオブ金属電極を形成して、酸化膜と極微細なトンネル接合を実現する。 (もっと読む)


【課題】ジョセフソン接合の動作特性に優れ、かつ、絶縁体膜の表面が緻密で平坦性に優れると共に、超電体層の平坦性および結晶性に優れる超電導素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物基板1上に、第1酸化物超電導体薄膜2、セリアからなる第1絶縁体薄膜3、第2酸化物超電導体薄膜4、セリアからなる第2絶縁体薄膜5を順次形成する。第2酸化物超電導体薄膜4に、第1絶縁体薄膜3に対して鈍角をなす斜面を形成すると共に、第2絶縁体薄膜5に、第2酸化物超電導体薄膜4の斜面に略連続する斜面を形成する。第2酸化物超電導体薄膜4の斜面に極薄い絶縁体薄膜を形成する。第2絶縁体薄膜5上、第2絶縁体薄膜5の斜面上、上記極薄い絶縁体薄膜上、および、第1絶縁体薄膜3上に、第3酸化物超電導体膜6を形成する。 (もっと読む)


【目的】 極低温中に設置された試料の抵抗を高精度で計測する抵抗検出素子を提供するものである。
【構成】 シャント抵抗4、被測定試料に流れる電流を検出するための入力コイル12を備えた超伝導量子干渉素子と、被測定試料を接続する信号読み出し用パッド5?1、5?2と、超伝導量子干渉素子を動作させる制御回路を接続する制御回路接続用パッド102と、シャント抵抗4および被測定試料にバイアス電流を加えるためのバイアス電流供給パッド103で構成し、超伝導薄膜プロセスにより1つの基板上に集積形成する。 (もっと読む)


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