【課題】 超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。
【解決手段】 Co₂Si型結晶構造をとり、化学組成が式MIrP（M=Ti,Zr,Nb又はMoから選択した１以上の元素）で表わされる化合物であることを特徴とする燐化合物。（但し、各成分M：Ir：Pの比率は基本的には1：1：1であるが、格子欠陥等により組成変動がある場合に、その組成変動範囲を含む） （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウムを用いた積層型ジョセフソントンネル接合が、より高い温度で動作できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に超伝導体層１０２が形成された後、アルミニウム単体を蒸着源とした蒸着法により、超伝導体層１０２の上に、膜厚１．４ｎｍ程度のアルミニウムの膜が形成された状態とし、ついで、アルミニウム膜の上に酸素ガスが供給された状態としてアルミニウム膜が酸化された状態とすることで、超伝導体層１０２の上にバリア層１０３が形成された状態とする。この後、Ｍｇ及びＢ単体各々を蒸着源とした電子ビーム共蒸着法により、バリア層１０３の上に超伝導体層１０４が形成された状態とする。 （もっと読む）